В интервале температур 10/ 120 K исследованы экситонные спектры отражения (ЭСО) и фотолюминесценции (ФЛ) эпитаксиальных слоев ZnSe/GaAs толщиной 2/ 4 mum. Показано, что одной из причин образования дублетной структуры An=1-полосы ФЛ является интерференция экситонного излучения на границах приповерхностного мертвого слоя.

При помощи экспериментальной методики накачки и зондирования исследовано влияние фотовозбужденных носителей на динамику спектров экситонного поглощения GaAs / AlxGa1-xAs-многослойных квантовых ям. Применение метода анализа моментов для обработки результатов позволило выделить одновременный вклад изменения силы осциллятора и уширения экситонных линий в насыщение экситонного поглощения. Оказалось, что сила осциллятора восстанавливает свое первоначальное значение в течение первых 100--130 ps, тогда как уширение и энергетический сдвиг экситонных линий наблюдаются в течение 700--800 ps. Впервые экспериментально измерена плотность насыщения силы осциллятора в случае влияния на экситонное состояние только свободных электрон-дырочных пар и в случае влияния только других экситонов.

Теоретически исследованы флуктуации смещения смектических слоев и корреляции между ними в свободно подвешенных смектических-A пленках, образованных жидкокристаллическими (ЖК) соединениями с объемными фазовыми переходами смектик--A--изотропная жидкость (SmA--I) и SmA--нематик (SmA--N). При этом были учтены зависимости модулей поперечного изгиба K и растяжения (сжатия) B смектических слоев от расстояния до свободных поверхностей пленок. Результаты расчетов сравнивались с результатами, полученными в рамках модели Holyst'а для пространственно однородных свободно подвешенных смектических-A пленок. Установлено, что ниже температуры исчезновения смектического порядка в объеме ЖК учет профилей упругих модулей K и B не дает существенных расхождений с этой моделью. Однако при температурах, значительно превышающих температуры фазовых переходов SmA--I и SmA--N, такой учет приводит к заметным отклонениям от предсказаний модели Holyst'а.

Исследованы спектры отражения и низкотемпературной фотолюминесценции пленок ZnTe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (ориентация (100), отклонение на 3o к < 110> ). Показано, что деформационное расщепление свободного экситона (Delta Eex) не зависит от толщины пленок ZnTe в диапазоне 1--5.7 mum и обусловлено двуосным растяжением пленки в плоскости слоя. Величина напряжений определяется в основном разницей термических коэффициентов пленки и подложки. При этом показано, что остаточные напряжения, обусловленные неполной релаксацией параметра решетки пленки к его равновесному значению при температуре роста, также вносят определенный вклад. Положение линии локализованного на нейтральном акцепторе (As) экситона хорошо описывается в рамках существующих моделей, учитывающих напряжения, величина которых вычислена на основе значения Delta Eex. Данная работа выполнена в рамках проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 98-02-16980, N 97-02-16721 и N 99-02-18161) и проекта Межведомственной программы ФТНС министерства науки РФ N 97-1045. Работа также частично поддержана грантом поддержки научных школ РФФИ (N 96-15-96341).

Исследованы и проанализированы закономерности отжига избыточного свободного объема в аморфных сплавах и показана связь механизма его залечивания с вязким течением. Установлено, что уменьшение этого объема за счет действия повышенных температур или давлений приводит к повышению прочности и объясняет особенности ее температурной зависимости. Обнаружен эффект активирующего действия растягивающей нагрузки на процесс уменьшения объема. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-18287).

Работа посвящена теоретическому исследованию зеркального отражения и диффузного рассеяния рентгеновских лучей на свободно подвешенной смектической-А пленке с учетом ее пространственной неоднородности и отклонения ориентационного и позиционного упорядочений в смектических слоях от идеального. Результаты расчетов сравниваются с данными экспериментов по малоугловому рассеянию рентгеновских лучей на свободно подвешенных пленках жидких кристаллов 7 AB. Отмечается согласие между теорией и экспериментом. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 98-03-32448).

Приведены экспериментальные рентгеновские спектры Cl L2,3 края поглощения, полученные для свободных кластеров NaCl разного размера. Методом полного многократного рассеяния проведен теоретический расчет спектров рентгеновского поглощения кластера Na4Cl4. Определена наиболее вероятная геометрическая структура кластера Na4Cl4 --- искаженный куб. Получены кривые парциальных плотностей электронных состояний кластера. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ--ННИО N 98-02-04097.

Для Z-среза гексагонального кристалла с помощью модифицированного метода среднего поля в рамках теории возмущений аналитически исследованы дисперсия и затухание поверхностных акустических волн Рэлея на свободной статистически шероховатой поверхности. В области частот, достижимых по теории возмущений, выполнены численные расчеты с использованием выражений для действительной и мнимой частей комплексного сдвига частоты волн Рэлея, вызванного слабой шероховатостью поверхности. Показано, что для Z-среза гексагонального кристалла характер дисперсии и затухания рэлеевских волн качественно совпадает со случаем изотропной среды, отличаясь в количественном отношении. В длинноволновом пределе lambda>> a, где a --- поперечная корреляционная длина шероховатости, в явном аналитическом виде получены выражения для относительного изменения фазовой скорости и обратной длины затухания волн Рэлея, с использованием которых также были выполнены численные расчеты.

Рассмотрены винтовые супердислокации с полыми ядрами (трубки), формирующиеся в процессе роста полупроводниковых кристаллов типа карбида кремния и нитрида галлия. Впервые получены точные аналитические выражения для полей перемещений, деформаций и напряжений трубки, перпендикулярной плоской свободной поверхности упругоизотропного полупространства. Показано, что строгий учет граничных условий на цилиндрической свободной поверхности трубки существенно влияет на поле напряжений содержащейся в ней дислокации. Область сильного влияния расположена вокруг трубки на расстоянии порядка ее радиуса. В этой области упругие деформации могут достигать величин порядка долей процента. Полученные результаты могут быть использованы при анализе взаимодействий трубок между собой и с другими дефектами, а также для моделирования их поведения в процессе роста кристалла. Работа выполнена при поддержке программы \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq Минпрома России и программы \glqq Интеграция\grqq (грант Б0026).

В аналитическом виде получены выражения для дисперсии и затухания волн Рэлея, распространяющихся в произвольном направлении вдоль статистически шероховатой свободной поверхности гексагонального кристалла (Z-срез). Рассматривается шероховатость --- канавки случайной решетки --- одномерного типа (функция профиля шероховатости зависит от одной координаты). Использовались результаты, полученные ранее при решении аналогичной задачи для шероховатости двумерного типа. Найденные выражения для дисперсии и затухания волн Рэлея исследованы аналитически и численно во всем диапазоне частот, достижимых в рамках теории возмущений. Показано, что характер дисперсии и затухания рэлеевских волн качественно совпадает со случаем изотропной среды.