Кулагин В.В., Черепенин В.А.. Генерация сжатых состояний при отражении света от системы свободных электронов // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Коржуев М.А.. Влияние свободных электронов на рост новообразований в смешанных электронно-ионных проводниках // Письма в ЖЭТФ, том 64, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Ораевский А.Н.. Генерация когерентных состояний экситонов в полупроводниках за счет рекомбинации свободных носителей // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

Литвиненко К.Л., Хвам Й.М., Лысенко В.Г.. Влияние когерентности свободных электрон-дырочных пар на экситонное поглощение в GaAs/AlGaAs сверхрешетках // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Волков О.В., Кукушкин И.В., фон~Клитцинг К., Эберл К.. Свободные и локализованные положительно заряженные экситоны в спектре излучения GaAs/AlGaAs квантовых ям // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Мелетов К.П., Негрий В.Д.. Свободные и локализованные экситоны в спектре люминесценции кристаллов С$_{60}$ при высоком давлении // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Акулов Ю.А., Мамырин Б.А.. Ограничения на величину периода полураспада свободного нейтрона, определяемые характеристиками бета-распада трития // Письма в ЖЭТФ, том 72, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Исследованы линейные ориентационные дефекты (2pi- и piD стенки) в тонких свободно подвешенных пленках смектика C в магнитном поле. Определены упругие константы продольного и поперечного изгибов, ориентационная вязкость двумерного поля {bf c}-директора. Установлено, что структура стенок кардинально трансформируется при изменении полярного и азимутального углов ориентации магнитного поля в образце. Последнее связано с анизотропией ориентационной упругости {bf c}-директора.

Предложен и проанализирован способ создания перепутанных квантовых состояний спинов свободного электрона и ядерного спина при резонансной ступенчатой лазерной фотоионизации свободных атомов.

Обсуждаются свойства минимальной энергии W свободного малоэнергичного электрона в инертном газе. Величина W является одной из основных характеристик электрона в задачах о формировании в таких средах различных заряженных кластеров (пузырьков либо уплотнений) и низкоразмерных электронных состояний вдоль фазовых границ. Показано, как соотносится энергия W с аналогичным определением W0 в так называемом оптическом приближении, где энергия W0 линейна по плотности газа ng. Результаты сравнения позволяют определить зависимость вводимой при ``оптическом'' описании газовой среды длины рассеяния a0 от ng и показать, в каких условиях a0(ng) может менять свой знак, что, по определению, выходит за рамки оптического приближения и наблюдается экспериментально.