Исследована структура спектра капиллярно-релаксационных движений жидкости с заряженной свободной поверхностью при учете эффекта релаксации вязкости. На основе численного анализа дисперсионного уравнения для волновых движений в вязкоупругой несжимаемой жидкости показано, что для фиксированного значения волнового числа диапазон значений характерного времени релаксации, в котором существуют волновые движения релаксационного типа, ограничен, с ростом волнового числа он расширяется; инкремент неустойчивости заряженной поверхности жидкости существенно зависит от характерного времени релаксации, увеличиваясь с его ростом; наличие у жидкости упругих свойств приводит к увеличению скорости диссипации энергии капиллярных движений жидкости. При закритическом для начала реализации неустойчивости Тонкса-Френкеля значении поверхностной плотности заряда существуют как чисто гравитационные волны, так и волны релаксационной природы.

Исследованы спектральные и энергетические параметры генерации лазера на кристалле изумруда. Проведено сравнение параметров генерации исследованного лазера с параметрами генерации лазера на кристалле александрита. Показано, что свободная генерация ионов хрома в кристалле изумруда в обычных условиях происходит в режиме незатухающих пульсаций интенсивности излучения, как и на других средах с ионами хрома.

Теоретически исследованы механизмы генерирования и усиления электромагнитных волн тонким трубчатым пучком электронов, вращающихся в свободном пространстве в радиальном электростатическом поле. Показано, что генерирование и усиление электромагнитных полей возможно за счет черенковского резонанса. Найдены частоты и инкременты генерируемых волн, а также постоянные распространения и коэффициенты усиления усиливаемых волн.

Выполнено исследование конденсации смеси 5% SiH4+95%Ar в импульсных сверхзвуковых газовых потоках. Анализ временных характеристик, регистрируемых методом импульсной молекулярно-пучковой масс-спектрометрии, позволил определить последовательность протекания отдельных стадий процесса конденсации. Показано, что конденсация в импульсной струе аргон-моносилановой смеси приводит к селективному нагреву компонентов смеси, причем этот процесс зависит от плотности смеси в форкамере сопла.

Проанализирована зависимость концентрации свободных носителей заряда от интенсивности света для двух возможных типов кристаллов, в одном из которых фоторефрактивные центры являются ловушками, а во втором --- донорами. Выяснены условия, при которых эта зависимость становится сублинейной при сравнительно невысоких уровнях интенсивности света.

Конденсация газовых смесей моносилан--аргон и моносилан--гелий исследовалась в свободных струях с помощью диагностики, основанной на рэлеевском рассеянии лазерного излучения. Процесс конденсации в смеси SiH4--Ar начинается при меньшем давлении торможения, на меньшем расстоянии от сопла и протекает более интенсивно, чем в смеси моносилан--гелий и в чистом аргоне. Результаты рэлеевских измерений в струе кондесирующейся смеси моносилан--аргон обобщаются по параметру P0d0.8. Анализ полученных результатов и литературных данных позволяет предположить, что в смеси моносилан--аргон идет процесс совместной конденсации моносилан--аргон с образованием смешанных кластеров.

Рассматривается околокритическое поведение свободной поверхности идеальной проводящей жидкости во внешнем электрическом поле. На основе анализа трехволновых процессов методом интегральных оценок сформулированы достаточные критерии жесткой неустойчивости плоской поверхности. Показано, что нелинейности старших порядков не стабилизируют неустойчивость, вследствие чего рост возмущений носит взрывной характер.

Методом голографической интерферометрии реального времени проведено исследование процесса развития свободно-конвективной струи в замкнутой полости, заполняемой различными жидкостями, под действием линейного источника тепла и источника, близкого к точечному. Измерены характерные времена процесса. Построены поля температуры и профили температуры в струе.

Исследованы свободные колебания упругой пластины плавающей на свободной поверхности идеальной несжимаемой тяжелой жидкости конечной глубины. Задача решена в приближении мелкой воды. Определены условия существования дискретных частот системы пластина--жидкость, лежащих до частоты отсечки волновода, и соответствующих им локализованных (не распространяющихся) мод колебаний жидкости.

Рассмотрено преобразование плоских электромагнитных волн синхронным скачкообразным изменением во времени диэлектрической и магнитной проницаемостей в слое анизотропной свободной магнитодиэлектрической среды. На толщину слоя, как и на значения скачков проницаемостей, не накладывается никаких ограничений. Данная задача решается аналитически, методом интегральных уравнений. Получены точные выражения для компоненты электрического поля во всем пространстве после скачка параметров в слое. Проведен физический анализ полученных выражений.