Для Z-среза гексагонального кристалла со свободной статически-шероховатой поверхностью в рамках теории возмущений с помощью модифицированного метода среднего поля в аналитическом виде получены выражения для дисперсии фазовой скорости и обратной длины затухания поверхностных акустических волн сдвиговой горизонтальной поляризации. Рассмотрены как двумерно-, так и одномерно-шероховатые поверхности. При этом одномерно-шероховатая поверхность рассматривается как частный случай двумерно-шероховатой. Показано, что на плоской поверхности Z-среза гексагонального кристалла существование сдвиговых поверхностных волн горизонтальной поляризации невозможно. Полученные выражения исследованы аналитически и численно во всем достижимом в теории возмущений диапазоне частот. Рассмотрен наиболее интересный с точки зрения эксперимента длинноволновый предел, когда длина волны много больше корреляционного радиуса шероховатости. Найдены условия существования волн SH-поляризации для обоих типов шероховатости. Показано, что характер дисперсии и затухания волн SH-поляризации качественно совпадает с рассмотренным нами ранее для изотропной среды.

Рассматривается поглощение света свободными носителями заряда с участием поверхностных и объемных оптических фононов. Используются статистика Больцмана и гамильтониан электрон-фононного взаимодействия Пекара--Фрелиха для полярного слоя в рамках модели прямоугольной квантовой ямы (КЯ). Обнаружены различия в поведении вкладов в вероятность поглощения света для поверхностных и объемных мод в зависимости от ширины КЯ. Показано, что из-за различия частот объемных и поверхностных оптических колебаний линия фотон-фононного резонанса имеет сложную структуру. Исследовано влияние соседних сред на показатель поглощения света.

Получено общее выражение для энергии обменного взаимодействия электрона в полупроводнике для произвольной степени вырождения электронного газа. Одночастичная обменная энергия выражена через интегральную функцию, зависящую только от отношения энергии уровня Ферми, отсчитываемой от дна зоны проводимости, к тепловой энергии электрона. Для сильно вырожденного Ферми-газа и нулевой температуры это выражение переходит в формулу Слэтера для обменной энергии электрона в металле. С увеличением температуры обменная энергия монотонно уменьшается. В пределе невырожденного электронного газа общее выражение приобретает простой аналитический вид. На диэлектрической стороне перехода Мотта обменная энергия с ростом температуры изменяется немонотонно: она имеет максимум при температуре порядка энергии ионизации доноров. Показано, что анизотропия изоэнергетической поверхности электронов практически не влияет на величину обменной энергии. Приведены зависимости сужения запретной зоны от концентрации при нескольких температурах для кремния и арсенида галлия.

Исследовались инфракрасные спектры пропускания монокристаллических образцов n-CdTe и n-Cd1-xZnxTe при 295 и 77 K. Проведен анализ полученных экспериментальных данных в предположении, что наблюдаемые спектральные зависимости коэффициента пропускания обусловлены поглощением инфракрасного излучения свободными носителями заряда. Показано, что результаты расчета удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Значения концентраций и подвижностей электронов, рассчитанные из спектров пропускания, близки к значениям аналогичных параметров, полученных из электрических измерений.

Рассматривается влияние температурной зависимости времени релаксации свободных электронов и их равновесной концентрации на реализацию оптической бистабильности и неустойчивость стационарных состояний. Рассмотрение проводится в рамках модели, описывающей процесс взаимодействия оптического излучения с полупроводником, при различных предположениях относительно условий этого взаимодействия.

Проанализирована при различных температурах (T=4.8-77 K) форма наблюдаемой в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия полосы фотолюминесценции, обусловленной рекомбинацией свободных электронов на мелких акцепторах--- атомах углерода. Показано, что при низких температурах она существенно отличается, а при высоких--- близка к ожидаемой теоретической для излучательных переходов <свободный электрон>--<изолированный мелкий акцептор>. Наблюдаемое различие экспериментальной и теоретической формы указанной полосы фотолюминесценции связано с уширением создаваемых углeродом акцепторных уровней (т. е. с образованием акцепторной примесной зоны) вследствие воздействия электрических полей беспорядочно расположенных ионизированных акцепторов и доноров на "изолированные" атомы углерода. Их совпадение связано с существенным возрастанием средней энергии свободных электронов (дозначений порядка и выше ширины акцепторной примесной зоны).

Исследованы спектры оптического поглощения, фотолюминесценция, эффект Холла в монокристаллах ZnSe : In. Установлено наличие электрически активных донорных центров InZn+, ответственных за примесное поглощение и электропроводность кристаллов. Показано, что компенсация проводимости в кристаллах ZnSe : In осуществляется вакансиями катионов. Доноры InZn+ и вакансии катионов образуют ассоциативные дефекты, ответственные за длинноволновую люминесценцию ZnSe : In. Высокая проводимость кристаллов (~ 5 Ом-1·см-1) достигается в результате отжига ZnSe : In в расплаве цинка, приводящего к экстракции катионных вакансий. Подвижность электронов в высокопроводящих кристаллах ограничена процессами рассеяния на LO-фононах и макродефектах, образующихся вследствие уменьшения растворимости индия в кристаллах при их отжиге в цинке.

Оптическими методами исследовано взаимодействие фуллерена C60 споли(2.6-диметил)-фениленоксидом (ПФО) впленках. Показано наличие двух состояний электронной структуры C60 вэтих пленках, при этом энергетическое состояние связанного сПФО C60 не зависит от его концентрации. Сопоставление спектров фотолюминесценции для систем ПФО-C60 иполистирол--C60 позволяет утверждать, что взаимодействие между компонентами систем осуществляется за счет pi-электронов фуллерена ибензольных колец полимеров. Предполагается, что C60 вполимерах существует вдвух состояниях, различающихся электронной структурой: молекулярно-диспергированном (ввиде комплекса сполимером) иввиде кристаллов (агрегатов) фуллерена.

Методом селективного травления ирентгенодифрактометрии изучены особенности строения нелегированных слитков CdTe, выращенных вгазодинамическом потоке при 620oC. Установлено, что вплоть до скорости осаждения 500 мкм/ч образцы состоят из независимо растущих стержней < 111> обеих полярностей, что свидетельствует впользу стехиометричности состава паров взоне роста. Оба типа стержней имеют поперечную штриховку из-за присутствия вних восновном двойников вращения, при этом взернах снаправлением роста[111] A двойниковые границы являются также ималоугловыми границами сдополнительной разориентацией двойниковых индивидов на 0.2--0.3o.

Исследованы монокристаллы ZnSe : In и (ZnSe : In) : Zn, полученые методом свободного роста. Инверсия типа проводимости достигнута путем отжига кристаллов в атмосфере насыщенных паров селена. Впервые достигнута дырочная проводимость в кристаллах (ZnSe : In) : Zn, исходно имевших высокую электронную проводимость (3--5 Ом-1·см-1). Установлена природа донорных и акцепторных центров, ответственных за проводимость кристаллов.