Найдено научных статей и публикаций: 291   
151.

Ван-дер-ваальсовы волны в жидкостях со свободной поверхностью     

Саночкин Ю.В. - Журнал Технической Физики , 2003
Показано, что в жидкости с горизонтальной свободной границей могут существовать помимо гравитационных также поверхностные и внутренние волны, обусловленные действием сил Ван-дер-Ваальса. Выведено уравнение для волн и с использованием кусочно-постоянной аппроксимации его коэффициентов получено дисперсионное соотношение. Поверхностные волны по дисперсии и распределению амплитуд подобны поверхностным гравитационным, отличаясь от последних на несколько порядков большей частотой. Другая последовательность корней в спектре возбуждений соответствует внутренним ван-дер-ваальсовым волнам, характеризующимся границей сверху по частоте и типичным для многомодового волновода законом дисперсии.
152.

О формировании узора трещины в свободно высыхающей пленке водного раствора белка     

Гольбрайх Е., Рапис Е.Г., Моисеев С.С. - Журнал Технической Физики , 2003
Как было показано Е.Г. Рапис, практически всегда на поверхности водного раствора белка при его высыхании при нормальных условиях возникает одна и та же структура трещин. В настоящей работе предлагается модель последовательности процессов, которые могут определять формирование структур в наблюдаемых образцах.
153.

Нелинейные периодические волны на заряженной свободной поверхности идеальной жидкости     

Климов А.В., Белоножко Д.Ф., Григорьев А.И. - Журнал Технической Физики , 2004
В асимптотических расчетах четвертого порядка малости по амплитуде периодической бегущей волны на однородно заряженной свободной поверхности бесконечно глубокой идеальной несжимаемой жидкости найдено аналитическое выражение для профиля нелинейной волны и для нелинейной поправки к ее частоте. Выяснилось, что при использовании в решении задачи начальном условии, обеспечивающем неизменность во времени амплитуды и длины волны первого порядка малости в четвертом порядке приближений, добавки к амплитуде нелинейной волны и ее частоте отсутствуют. Нелинейный анализ критических условий реализации неустойчивости свободной поверхности жидкости по отношению к поверхностному заряду показал, что критическая для начала неустойчивости плотность заряда и волновое число наиболее неустойчивой волны не постоянны, как это имело место в линейной теории, а являются функциями амплитуды волны и снижаются с ее ростом.
154.

Получение автономных долгоживущих плазменных образований в свободной атмосфере     

Фуров Л.В. - Журнал Технической Физики , 2005
Приведены результаты экспериментов по получению автономных долгоживущих плазменных образований в свободной атомосфере с временем жизни до 2 s в видимом диапазоне длин волн. Дано описание экспериментальной установки и результатов наблюдений в виде осциллограмм и фотографий. Определены энергетические условия их гарантированного получения.
155.

Конвективные движения в слое вязкой жидкости с однородно заряженной свободной поверхностью     

Белоножко Д.Ф., Григорьев А.И. - Журнал Технической Физики , 2006
Теоретически обнаружен эффект снижения в результате взаимодействия капиллярно-гравитационных и конвективных движений жидкости критических условий реализации неустойчивости заряженной поверхности жидкости по отношению к избытку электрического заряда. Выявлено, что при стремлении плотности поверхностного заряда к критической в смысле проявления неустойчивости Тонкса-Френкеля конвективные движения жидкости возникают при сколь угодно малых значениях градиента температуры, причем этот эффект зависит от толщины слоя жидкости. PACS: 47.55.pb
156.

Электродинамическая конвекция свободных носителей заряда в полупроводниках     

Браже Р.А. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 1997
Показана возможность конвективного движения свободных носителей заряда в тонком слое полупроводника при наложении поперечного электрического поля. Исследованы условия возникновения такой электродинамической конвекции и критерии устойчивости конвективных ячеек.
157.

Формирование доменной структуры в сегнетоэлектриках в условиях экранирования поляризации зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда     

Сидоркин А.С., Даринский Б.М., Сигов А.С. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 1997
Исследуется влияние экранированя зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда на ширину плоскопараллельной доменной структуры. Определен период доменной структуры в рамках его отождествления с периодом модулированного распределения поляризации, возникающего по механизму потери устойчивости в сегнетоэлектрическом кристалле конечных размеров. Описано влияние на период параметров поверхностных электронных состояний, поверхностного несегнетоэлектрического слоя и экранирования свободными носителями заряда.
158.

Избыточный свободный объем и механические свойства аморфных сплавов     

Бетехтин В.И., Глезер А.М., Кадомцев А.Г., Кипяткова А.Ю. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 1998
Исследуются и анализируются характеристики избыточного свободного объема в аморфных сплавах, полученных закалкой из расплава. С помощью метода малоуглового рентгеновского рассеяния установлено, что под воздействием высокого гидростатического давления происходит уменьшение этого объема. Последнее ведет к повышению ряда характеристик механических свойств аморфных сплавов.
159.

Позитронные исследования элементов свободного объема в полимерных газоразделительных мембранах     

Шантарович В.П., Новиков Ю.А., Азаматова З.К. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 1998
Работа представляет часть исследований, направленных на превращение позитронного метода в инструмент количественных исследований микродефектности полимеров. На основе позитронных данных оценивается количество (1019 cm-3) и эффективные радиусы элементарных свободных объемов (0.2-2.8 nm) в газоразделительных полимерных мембранах политриметилсилилпропине (ПТМСП) и пористом полифениленоксиде (ПФО 200 и 70 m2/g). Расчеты облегчаются использованием взаимодополняющих друг друга математических программ PATFIT и CONTIN, а также возможностью оценки коэффициентов диффузии позитрония в образцах ПФО с различной удельной поверхностью.
160.

Серия линий свободного экситона в диарсениде цинка     

Морозова В.А., Вавилов В.С., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Чукичев М.В. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 1998
В диарсениде цинка в спектрах оптического пропускания при 5 K обнаружена структура, соответствующая состояниям свободного экситона с n=1,2,3. Определены ширина запрещенной зоны для E normal C в области температур 5-300 K и энергия связи экситона (17.5 meV).