На основе метода частичных областей построена двумерная теоретическая модель дифракции плоской электромагнитной волны на щели в идеально проводящем экране. При решении систем алгебраических уравнений для амплитуд мод щели использована процедура тихоновской регуляризации, что дало возможность расширить область применимости теории на проводящие экраны произвольной толщины, а также позволило значительно повысить точность решения для случаев, когда ширина щели и толщина экрана сравнимы с длиной волны дифрагирующего излучения. Показано, что не существует непрерывного предельного перехода от случая сколь угодно малой, но конечной толщины экрана к случаю бесконечно малой его толщины. Рассмотрены граничные условия для вектора потока энергии, вводится понятие энергетического потенциала, удобное для компьютерных расчетов линий тока энергии двумерных полей дифракции.

Рассмотрена схема двухзеркального интерферометра для определения макродефектов пространственно-периодических структур. Показано, что такая схема позволяет получать как двухлучевые интерферограммы, так и сдвиговые интерферограммы, визуализирующие поведение соответственно функции и ее производной, отображающих макродефект исследуемой структуры. PACS: 61.18.-j

Получены уравнения для концентраций заряда решетки и свободных носителей, порождаемых стоячей световой волной в анизотропном фоторефрактивном кристалле, и найдены их решения. Установлена зависимость величины заряда и электрического поля от ориентации решетки относительно кристаллографических осей среды. Показано, что кинетика решеток заряда определяется разностью двух экспонент с характерными временами, сумму которых можно трактовать как постоянную затухания решетки. Обнаружено существование трех областей значений времени максвелловской релаксации, отличающихся между собой характером поведения этой постоянной. Проанализирована кинетика решеток для некоторых кристаллов. PACS: 81.05.-t

Представлено строгое решение двумерной задачи дифракции плоской электромагнитной волны на щели в плоском идеально проводящем экране произвольной толщины с поперечным плоским бесконечным диэлектрическим слоем, проходящим через щель. В каждой из трех областей существования поля (полупространства по обе стороны от экрана и внутренность щели) решение представляется в виде разложения по кусочно-синусоидальным или экспоненциальным модам, изначально учитывающим отражение и преломление на границах диэлектрического слоя. Установлено, что система функций, описывающих такие моды является достаточно полной для построения решения, удовлетворяющего всем граничным условиям дифракционной задачи. Процедура построения такого решения сравнивается со случаем такой же дифракционной структуры, но без диэлектрического слоя. PACS: 41.20.Jb

Рассмотрена возможность эффективной генерации излучения на разностной частоте среднего и дальнего ИК-диапазонов при выполнении условия фазового синхронизма между волной нелинейной поляризации и разностной модой при распространении в полупроводниковом волноводе на основе фосфида галлия (GaP) двух фундаментальных мод в диапазоне 1 mum. В планарном волноводе с шириной 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды может достигать до 300 muW в области частот 1-8 THz при комнатной температуре. При использовании подложки из кремния для структуры с GaP-волноводом мощность разностной моды при тех же условиях может достигать до 5 mW в области частот 10-14 THz. PACS: 42.55.Dx

При учете экранирования ионов прыгающими по примесям электронам уточнены две известные модели расчета критической концентрации NC перехода диэлектрик--металл для температуры T->0 K в зависимости от боровского радиуса aH изолированной примеси. В одной модели переход при NC1 объясняется появлением делокализованных электронов при выталкивании примесной зоны в зону разрешенных энергий за счет уменьшения энергии сродства ионизированных примесей к электрону (дырке). В другой --- неограниченным возрастанием статической диэлектрической проницаемости кристалла при увеличении концентрации атомов примеси до NC2. Полученные аппроксимации N1/3C1aH~0.24 и N1/3C2aH~0.20 для степени компенсации K=0.01 описывают известные экспериментальные данные при 1

В интервале температур 10/ 120 K исследованы экситонные спектры отражения (ЭСО) и фотолюминесценции (ФЛ) эпитаксиальных слоев ZnSe/GaAs толщиной 2/ 4 mum. Показано, что одной из причин образования дублетной структуры An=1-полосы ФЛ является интерференция экситонного излучения на границах приповерхностного мертвого слоя.

Измерения магнитострикции изотропного высокотемпературного сверхпроводника Ba0.66K0.34BiO3, обнаружили величину эффекта порядка 10-6, превыщающую значения для традиционных сверхпроводников, но не достигающую величин гигантской магнитострикции купратных ВТСП. Проведены термодинамический анализ результатов и сопоставление с данными численных расчетов эффектов, индуцированных пиннингом магнитного потока.

Представлены результаты исследования методом рентгеновской дифракции особенностей дефектообразования в кремнии, облученном ионами Kr+ (210 MeV, 8·1012-3·1014 cm-2) и Xe+ (5.6 GeV, 5·1011-5·1013 cm-2). Установлено, что такое облучение приводит к образованию в объеме кремния дефектной структуры, состоящей из ионных треков, имеющих плотность, меньшую по сравнению с матрицей. Особенности дефектообразования обсуждаются с учетом каналирования части ионов по ранее сформированным трекам и доминирующей роли электронных потерь высокоэнергетичных ионов. Показано, что эффективность введения стабильных дефектов при внедрении высокоэнергетичных ионов ниже, чем при имплантации ионов средних масс с энергией в сотни килоэлектронвольт.

В континуальном приближении дан вывод формулы для прыжкового тока электронов и дырок (электронных вакансий) по примесям одного сорта, находящимся в трех зарядовых состояниях (-1,0,+1). Рассчитаны длина экранирования электростатического поля и длина диффузии носителей заряда. Получена зависимость эффективного времени жизни прыгающих по примесям эылектронов относительно переходов (-1)->(+1) (дырок относительно переходов (+1)->(-1)) от степени компенсации и интенсивности межпримесного фотовозбуждения, стимулирующего образование ионов. Расчеты зависимости прыжковой фотопроводимости от интенсивности фотовозбуждения согласуются с известными экспериментальными данными, не находившими ранее теоретического объяснения.