Рентгенодифракционным методом исследованы дефекты междоузельного типа в кремнии, имплантированном ионами P и Si. Установлено, что образующиеся при имплантации и в процессе последующей термообработки междоузельные комплексы не содержат в себе атома P. Предложена модель пары PI: атом P--междоузельный атом Si. Пара PI --- это атомы P и Si в одном междоузлии, не связанные между собой химической ковалентной связью. Модель пары отвечает особенностям диффузии имплантированного фосфора в кремнии.

Выполнен теоретический анализ явления анизотропии магнитного тушения позитрониевых состояний в ориентированных относительно направления внешнего магнитного поля некубических кристаллах. Показано, что начальная поляризация позитронов усиливает анизотропию магнитного тушения позитрония и понижает величину магнитного поля, в котором анизотропия максимальна. Получены численные оценки величины экспериментально наблюдаемого эффекта для квазипозитрония в монокристалле кристаллического кварца и позитрониевого комплекса в монокристалле нафталина.

Впервые получены выражения для длин экранирования и амбиполярной диффузии при сосуществовании прыжковой и зонной проводимостей в полупроводниках с водородоподобными примесями. Предложен метод нахождения коэффициента диффузии прыгающих по примесям электронов (дырок) из эффекта Холла при равенстве прыжковой и зонной проводимостей. Дана интерпретация известных результатов исследований прыжковой фотопроводимости по акцепторам (Ga) и донорам (As) в трансмутационно легированном p-Ge при T=4.2 K. Показано, что измерение зависимости прыжковой фотопроводимости от интенсивности межзонной подсветки позволяет определить соотношение между подвижностями прыгающих по донорам электронов и прыгающих по акцепторам дырок.

С целью описания прыжкового транспорта по ближайшим соседям развита модель, согласно которой в кристаллической матрице основная и компенсирующая примеси образуют единую простую кубическую решетку. Прыжки происходят при термически активируемом "выравнивании" уровней основных примесей, в то время как компенсирующие примеси блокируют соответствующие узлы. Рассматриваются достаточно высокие температуры, когда взаимодействиями, приводящими к кулоновской щели, можно пренебречь и плотность состояний в зоне основных примесей предполагать гауссовой. Найдены концентрационные зависимости энергии активации прыжковой проводимости varepsilon3, которая имеет вид кривой с максимумом, а также ее предэкспоненциального множителя sigma3. Результаты сравниваются с полученными разными авторами экспериментальными данными для нейтронно-легированного Ge : Ga. Работа была частично поддержана грантами БФФИ N 97-246 и РФФИ N 98-02-17353.

Проведены измерения характеристик деформации нанокристаллического ниобия в интервале температур 4.2--300 K. Показано, что при температурах 4.2 и 10 K развивается сильная локализация деформации с выраженными полосами макросдвига. Сделаны оценки тепловых эффектов при скачке деформации по переходу из сверхпроводящего в нормальное состояние самого образца или полоски ниобия, помещенной вблизи него. Показано, что температурная зависимость предела текучести sigmas(T) имеет три области: две --- с небольшим изменением sigmas (T70 K) и одну --- с сильной зависимостью sigmas(T). Сравниваются деформационные характеристики поликристаллов с наноразмерным и более крупным зерном, а также монокристаллов. Работа выполнена при финансовой поддержке Научного совета МНТП "Физика твердотельных наноструктур" (проект N 97-3006).

Рассматриваются наполненные атомами K, Rb, Cs однослойные углеродные нанотрубки, у которых каждые десять атомов углерода захватывают один электрон легирующих атомов. Предполагается, что положительный заряд в объеме нанотрубки и отрицательный на ее поверхности распределены равномерно, так что потенциальная энергия электрона проводимости внутри нанотрубки квадратично зависит от расстояния до ее центра. В одноэлектронном приближении получена зависимость квазиимпульса Ферми электронов проводимости внутри нанотрубки от их объемной плотности и радиуса трубки для произвольного числа подзон поперечного движения. По формуле Ландауэра рассчитана зависимость проводимости металлической подсистемы нанотрубки от ее радиуса. Работа поддержана грантом Ф97-246 Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований.

Обнаружено, что двойникование в кристаллах висмута, возникающее при воздействии сосредоточенной нагрузки, частично подавляется приложением постоянного магнитного поля. Исследованы основные закономерности влияния однородного магнитного поля постоянной величины на двойникование монокристаллов висмута при длительном воздействии сосредоточенной нагрузки. Получено, что в присутствии магнитного поля длина и число клиновидных двойников, заклинившихся у отпечатка индентора, уменьшаются. Это свидетельствует о снижении подвижности частичных двойникующих дислокаций и интенсивности процесса зарождения клиновидных двойниковых прослоек в постоянном магнитном поле. В то же время приложение магнитного поля увеличивает толщину двойников у устья. Установлено, что анизотропия магнитопластического эффекта в случае двойникования отсутствует. Настоящая работа была выполнена при поддержке Белорусского фонда фундаментальных исследований (грант N T97M-170).

Показано, что одновременное воздействие на кристаллы висмута импульсного электрического тока и постоянного магнитного поля существенно снижает среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций, локализованных на границах клиновидных двойников. Снижение средней линейной плотности двойникующих дислокаций сопровождается падением микротвердости образцов.

Для описания прыжковой термоэдс развита модель, по которой в кристаллической матрице основная и компенсирующая примеси совместно образуют простую кубическую решетку. Дан расчет термоэдс в режиме прыжков дырок (электронов) по водородоподобным примесям с учетом их возбужденных состояний. Результаты расчетов сравниваются с известными экспериментальными данными по низкотемпературной термоэдс Ge : Ga и теплоемкости Si : P на диэлектрической стороне перехода изолятор--металл.

Дан анализ нелинейного экранирования ионизованного донора вырожденным газом электронов проводимости кристаллического полупроводника. При нелинейном экранировании плотность заряда экранирующего ион электронного облака не пропорциональна суммарному электростатическому потенциалу иона и облака. В результате потенциал слабее спадает с расстоянием от иона, чем в линейном приближении, и величина энергии электростатической корреляции иона с экранирующим облаком меньше. Работа поддержана грантом Белорусского государственного университета.