Развивается модель двух центров для объяснения электронной структуры кислородных термодоноров в кремнии. В рамках теории эффективной массы проведен расчет энергетических уровней 2p-состояний однократно ионизованных термодоноров. Из сравнения результатов расчета с экспериментальными данными оценено расстояние между ядрами атомов пары, которое равно 0.75/0.95 нм для первых трех видов термодоноров (TDD1--TDD3) и 1.35/ 1.75 нм для четырех последующих (TDD4--TDD7).

Исследована структура валентной зоны в точкеGamma зоны Бриллюэна пленок Cu(In,Ga)Se2 на основе данных интерференционной спектрофотометрии и анализа структуры краевого поглощения в рамках квазикубической модели p-d-гибридизации валентных зон в халькопиритных соединениях. Определены основные параметры квазикубической модели, связанные с расщеплением валентной зоны под действием тетрагонального поля кристаллической решетки (Deltacf), спин-орбитального взаимодействия (Deltaso) и степени подмешивания (гибридизации) d-состояний меди к верхним p-уровням халькогена в халькопиритных пленках Cu(In,Ga)Se2. Установлена зависимость прямых разрешенных переходов EA, EB, EC от состава твердых растворов CuInxGa1-xSe2 (0=< x=<1).

Установлено, что химическое травление пористого кремния в HF приводит к существенному изменению его вольт-амперных характеристик и параметров фотолюминесценции. Результаты исследования могут быть использованы для повышения эффективности электролюминесценции структур In--<пористый Si>--Al за счет повышения уровня инжекции неосновных носителей, реализации режима двойной инжекции и высокой скорости поверхностной рекомбинации в приповерхностной области пористого Si.

Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленки твердых растворов CuIn(TexSe1-x)2, где 0

На кристаллах соединений CuGaS2, AgGaS2 и твердых растворов на их основе исследованы спектры ИК отражения и спектры комбинационного рассеяния в поляризованном свете. Определены значения частот продольных и поперечных оптических фононов, коэффициенты затухания, ИК интенсивности, varepsilon0 иvarepsilonбесконечность. Построены концентрационные зависимости указанных параметров и установлен характер поведения оптических колебаний в твердых растворах.

Методами инфракрасной спектроскопии и измерений эффекта Холла установлено, что формирующиеся в процессе предварительной высокотемпературной обработки кислородные преципитаты подавляют генерацию термодоноров в Si, выращенном как методом Чохральского, так и путем наложения на расплав магнитного поля. Предложены возможные механизмы влияния преципитации на формирование термодоноров.

Для изучения характеристик электрон-фононного взаимодействия в кремнии был реализован из первых принципов псевдопотенциальный метод теории функционала плотности. Температурное смещение величины непрямого перехода, фононный спектр и энтальпия были вычислены в рамках теории функционала плотности. Между температурными зависимостями ширины запрещенной зоны Delta Eg(T) и энтальпии Delta H(T) существует соотношение Delta H(T)=K|Delta Eg(T)|. Обсуждаются физические причины данной корреляции.

На монокристаллах тройных соединений CuIn5S8, AgIn5S8 и их твердых растворов исследованы электрические свойства, спектры фотолюминисценции. Определены: тип проводимости, подвижность, концентрации носителей заряда и энергии излучательных переходов в этих материалах. На основе монокристаллов изготовлены поверхностно-барьерные структуры и измерена вольтовая фоточувствительность.

Показано, что при высоких плотностях однофотонного возбуждения неоднородное распределение неравновесных носителей по глубине оказывает сильное влияние на соотношение интенсивностей различных полос и может приводит к практически полному подавлению полос электронно-дырочной плазмы в спектрах краевого излучения кристаллов. Оценена величина разлета неравновесной электронно-дырочной плазмы.

Приведены зависимости диэлектрической проницаемости и проводимости соединений Cd1-xFexTe (0< x=< 0.03) от температуры и частоты измерений. Установлено, что атомы Fe располагаются коррелированным образом в подрешетке Cd.