Исследовано инфракрасное поглощение обогащенных изотопами 16O и(или) 18O кристаллов Ge n- и p-типа проводимости после облучения электронами сэнергией 6 МэВ. Спектры инфракрасного поглощения измерялись при комнатной температуре и 10 K. Дополнительно кизвестным полосам кислородсодержащих дефектов обнаружены новые линии при 669, 944 и 990 см-1. Отжиг этих полос происходит вобласти температур 120--140oC и коррелирует сотжигом полосы при 621 см-1, приписанной ранее комплексу кислород--вакансия вGe. Установлена одинаковость температурного (10-> 300 K) и изотопического (16O-> 18O) сдвигов полос при 621 и 669 см-1. Найдено, что эти полосы принадлежат различным зарядовым состояниям центра суровнем энергии вблизи Ev+0.25± 0.03 эВ. Предополагается, что таким дефектом является комплекс кислород--вакансия (A-центр). Малоинтенсивные полосы при 944 и 990 см-1 отнесены ккомбинации валентных антисимметричных мод при 621 и 669 см-1 ссимметричной модой при 320 см-1 для нейтрального и отрицательно заряженного состояний A-центра соответственно.

Исследован характер изменения спектральной плотности шума ивремени жизни неосновных носителей заряда вкремниевых p-n-структурах стонкой областью умножения при термическом отжиге радиационных дефектов. Показано, что изменение частотных свойств шума p-n-структур при термическом отжиге связано свосстановлением поверхностных состояний. Предложено качественное объяснение самоограничения лавинного процесса вструктурах стонкой областью умножения.

Изучалась динамика отражения зондирующего пучка с длиной волны lambda=0.63 мкм от кремния, аморфизованного ионной имплантацией, (a-Si) при инициировании в нем процессов плавления и отвердевания воздействием эксимерного ArF-лазера. Установлено, что однократное плавление a-Si при энергиях ниже эпитаксиального порога не приводит к формированию поликристалла, но инициирует образование в аморфной матрице удаленных друг от друга нанокристаллов. Их присутствие обусловливает формирование поликристаллической структуры из расплава под действием второго лазерного импульса и возможность промежуточной кристаллизацииSi в лазерно-индуцированной последовательности фазовых переходов. Проведено сравнение полученных данных с результатами изучения в аналогичных экспериментальных условиях фазовых превращений, инициируемых в тонких слоях гидрогенизированного a-Si на стеклянных подложках.

Исследовано поведение кремниевых детекторов частиц, облученных электронами с энергией 2.5 МэВ, при отжиге. Обнаружено, что отжиг при 100-250oC приводит к образованию двух ловушек с уровнями Ec-0.32 эВ и Ev+0.29 эВ. При повышении температуры отжига до 300oC обе ловушки исчезают. Наосновании полученных данных сделан вывод о том, что обнаруженные ловушки связаны с водородосодержащими комплексами. Результатом наличия водорода в кристалле явилось понижение температуры отжига комплексов вакансия--кислород (VO) и <межузельный углерод>--<межузельный кислород>(CiOi). Причина этого эффекта связана с пассивацией этих комплексов водородом, с образованием электрически активного центра VOH (уровень Ec-0.32 эВ) на одной из промежуточных стадий этого процесса. Предполагается, что водород попал в исследованные структуры во время одной из технологических операций их изготовления.

Обсуждены экспериментальные данные по распределению и атомарным соотношениям элементов в монокристаллах Bi2Te2.94Se0.06, Bi2Te2.88Se0.12, Bi1.99Sn0.01Te2.94Se0.06, Bi1.99Sn0.01Te2.88Se0.12, полученные методами рентгеновского микроанализа и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопией. Установлено, что примесь олова, введенная в концентрации x=0.01, повышает однородность распределения висмута и теллура в твердых растворах, а увеличение концентрацииSe с y=0.06 до0.12 приводит к флуктуации состава от0.5 ат% в не легированных и до0.3 ат% в легированныхSn твердых растворах на основеBi2Te3. Определены энергии связи остовных электронов в указанных монокристаллах и обнаружено изменение полной плотности электронных состояний в валентной зоне вблизи уровня Ферми при введении примесиSn.

Исследовалось воздействие импульсов излучения рубинового лазера на нанокластеры Ge, сформированные на подложке Si(100). Плотность энергии облучения соответствовала порогу плавления поверхности Si. Изменение структуры нанокластеров анализировалось на основании данных спектроскопии комбинационного рассеяния света всопоставлении срасчетами на основе моделей Борна--фон-Кармана и Волькенштейна. Установлено, что воздействие одного импульса изменяет структуру нанокластеров. Наблюдается изменение их размеров и частичная релаксация напряжений сжатия. Еще более существенные изменения происходят при воздействии 10 импульсов. Нанокластеры Ge трансформируются вкластеры твердого раствора GexSi1-x, предположительно за счет диффузионных процессов, стимулированных механическими напряжениями и вакансионными дефектами. Проведено численное моделирование динамики теплового воздействия лазерного излучения на нанокластеры германия вкремнии.

Представлены результаты экспериментальных исследований InP:Zn, полученного методом диффузии цинка в открытой системе в незащищенную поверхностьInP. Изучено влияние отжигов в атмосферах азота и водорода, проведенных перед диффузиейZn на параметры фосфида индия. Установлено, что при термическом отжиге в атмосфере азота в фосфиде индия создается насыщенный азотом приповерхностный слой, который препятствует испарению фосфора, уменьшает генерацию рекомбинационных центров в фосфиде индия и увеличивает концентрацию электрически активной примеси цинка в p-области фосфида индия.

Обсуждается исследование высокоомных монокристалловCdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней(ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование эксперимента, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методамиФЭНСГУ и термостимулированной проводимости. Сравниваются экспериментальные возможности этих методов.

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследовано образование комплексов <радиационный дефект>--<остаточная примесь в кремнии>. Установлено, что термические обработки диффузионных Si p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами, приводят к активации остаточной примеси Fe и образованию комплексов FeVO (ловушкаE0.36) и FeV2 (ловушка H0.18). Формирование этих ловушек сопровождается ранней (100-175oC) стадией отжига основных вакансионных радиационных дефектов: A-центра (VO) и дивакансии (V2). Обнаруженные комплексы электрически активны, вводят новые электронный (E0.36: Eet=Ec-0.365 эВ, sigman=6.8·10-15 см2) и дырочный (H0.18: Eht=Ev+0.184 эВ, sigmap=3.0·10-15 см2) уровни в запрещенную зону полупроводника и проявляют высокую термическую стабильность. Полагается, что наблюдавшимся ранее в литературе неизвестным дефектом с энергией Eet=Ec-(0.34-0.37) эВ, возникающим при отжиге облученных диффузионныхSi p+-n-переходов, является комплекс FeVO.

Исследована фотолюминесценция и генерация Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеров с различным дизайном активной области, излучающих в зеленом спектральном диапазоне (длины волн lambda=510-530 нм) в широком интервале температур и интенсивностей накачки азотным лазером. Минимальный порог генерации10 кВт/см2, максимальная внешняя квантовая эффективность12% и максимальная выходная мощность 20 Вт были получены для структуры, активная область которой состояла из трех изолированных квантовых ям ZnSe с дробно-монослойными вставками CdSe. Лазеры имели высокую температурную стабильность порога генерации (характеристическая температура T0=330 K до100oC). Впервые предложен и исследован интегральный конвертер, состоящий из зеленого Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазера, оптически накачиваемого синим InGaN/GaN-лазером с множественными квантовыми ямами, выращенным на подложкеSi(111).