Рассмотрено влияние многократных потерь и захватов электронов на процесс формирования прерывистых треков от высокоэнергетических ионов в кристаллах. Предлагаемая модель флуктуации заряда позволяет количественно оценить продольные размеры дефектов в прерывистом треке, в то время как расширенная модель термического пика, учитывающая кулоновское расталкивание, дает разумные значения для поперечных размеров дефектов.

Разработан оптический метод окраски в различные цветовые тона изображений зон диффузно рассеивающих плоских поверхностей, имеющих различную степень деформации. Метод основан на принципах пространственной фильтрации при оптической обработке снимков спроецированных полос в белом свете. Приведены результаты экспериментальных апробаций.

Решена осесимметричная электростатическая задача для тонкой незамкнутой эллипсоидальной оболочки и диска. Проведены вычисления емкостных коэффициентов для некоторых геометрических параметров проводников.

Описан способ настройки на муаровые полосы конечной ширины при визуализации углов отклонения лучей восстановленных голограммой фазового объекта. Предложено результирующую муаровую картину получать при наложении двух искаженных изображений амплитудных решеток различного периода. Приведен результат экспериментальной апробации метода.

На основе применения интеграла Фурье построена приближенная теоретическая модель расчета полей отражения и преломления гауссова светового пучка на плоской границе раздела двух изотропных сред. Вблизи критического угла падения данная модель предсказывает наличие двух преломленных пучков, один из которых смещен вдоль границы на величину сдвига Гооса--Хенхен, причем для каждого из них имеют место кривизна фазовых фронтов и несовпадение эффективных направлений распространения энергии и фазы, как в анизотропной среде.

Изучено изменение зависимостей нормальной скорости движения двойниковых границ от величины сдвиговых напряжений в плоскости двойникования vn=vn(tau) в кристаллах висмута при ионно-кластерном легировании и окислении облученной поверхности. Облучение производилось ионами углерода энергией 25 keV, дозой 1017 ion/cm2. Двойникование кристаллов проводилось в условиях импульсной нагрузки при длительности импульсов 10-4-10-5 s и амплитуде напряжений 0.2-2.0·103 g/mm2. Установлено, что облучение ионами углерода монокристаллов висмута приводит к смещению зависимости vn=vn(tau) в область более низких напряжений. Окисная пленка тормозит движение двойникующих дислокаций.

С помощью классического метода получены дисперсионные уравнения колебаний атомов двойниковой границы.

Теоретически исследовано распространение нелинейной поверхностной магнитостатической волны (ПМСВ) в планарной феррит-полупроводниковой структуре в зависимости от концентрации носителей тока в полупроводниковом слое. Показано, что при определенных концентрациях ПМСВ неустойчива относительно продольных возмущений и может распространяться перпендикулярно магнитному полю в виде солитонов.

Сообщается о возможности визуализации в реальном времени крупномасштабных объектов с повышением чувствительности измерений при использовании некогерентного освещения.

Исследованы процессы формирования и деградации периодических фоторельефов на поверхности полимерных слоев с существенно различной температурой стеклования при изменяющейся температуре активации процесса. Установлено, что основным фактором, ограничивающим разрешающую способность периодических релаксационных фоторельефов на поверхности стеклообразных полимерных слоев, содержащих димеризующиеся производные антрацена, является наличие сдвиговых напряжений. Их действие ослабляется при термораспаде димеров, формирующем инвертированные рельефы более высоких пространственных частот. Показано, что повысить разрешение более чем на порядок можно, используя полимерную матрицу в высокоэластичном состоянии.