Получены стекла, содержащие наночастицы полупроводниковых соединений состава CuInSe2xTe2(1-x) (0=<q x=<q 1) путем высокотемпературного плавления смесей компонентов матрицы стекла и соответствующих соединений. Образуются частицы со средним размером 15-30 нм, характеристики которых подобны для соединений с разнымx. Изучено оптическое поглощение стекол в области фундаментального края в ближней инфракрасной и в видимой областях спектра, а также влияние на оптические свойства дополнительной термообработки стекол. Природа наблюдаемых изменений спектров при вариации состава соединений (соотношения [Se]/[Te]) связывается с возможными трансформациями кристаллической структуры наночастиц.

Для определения влияния степени кристаллографического упорядочения магнитоактивных ионов в оксиде Sr2FeMoO6 на свойства этого соединения проведено исследование образцов, полученных различными методами. Синтезированный по обычной керамической технологии в токе аргона образец характеризовался высокой степенью катионного упорядочения ионов железа и молибдена. Вполученном под высоким давлением образце, закаленном до комнатной температуры, степень упорядочения магнитоактивных ионов была несколько ниже. Установлено, что кристаллографическое разупорядочение ионов железа и молибдена отразилось на магнитных и магниторезистивных свойствах. Врезультате разупорядочения наблюдается снижение величины удельной намагниченности вследствие формирования антиферромагнитных взаимодействий между одноименными ионами, а также снижение величины магниторезистивного эффекта вследствие уменьшения степени спиновой поляризации носителей заряда.

Методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии (PICTS) исследовались глубокие уровни в полуизолирующих монокристаллах CdS, выращенных с варьированием стехиометрического состава. Обнаружен ряд глубоких уровней с энергией термической активации 0.066-0.54 эВ. Обнаружено, что соотношение сигнала в наборе спектров не соответствует базовой модели PICTS. Разработана методика оценки концентрации глубоких уровней в данной ситуации.

Исследованы ограничения на максимальную концентрацию дефектов, при которой в теории рекомбинации Шокли--Рида--Холла все еще применимо часто используемое предположение о равенстве времен жизни электронов и дырок. На примере легированного кремния рассмотрена зависимость данной концентрации от уровня инжекции и различных параметров дефектов. Исследованы случаи, когда полупроводник содержит дефекты только одного типа, а также нескольких типов. Проведенный анализ позволяет определить параметры образца, при которых для расчета времен жизни носителей заряда может быть использована упрощенная модель рекомбинации.

Проведено численное моделирование динамики фазовых переходов, инициируемых в CdTe наносекундным излучением рубинового лазера. Показано, что испарение атомов кадмия приводит к охлаждению поверхности, формируя немонотонный профиль температурного поля с максимальной температурой, находящейся в объеме полупроводника на расстоянии ~(10-30) нм от поверхности. Образовавшийся под поверхностью расплав при плотностях энергии излучения, превышающих пороговое значение, распространяется как к поверхности, так и в объем полупроводника. Кристаллизация происходит как с поверхности в глубь образца в результате роста зародышей в условиях сильного обеднения расплава атомами кадмия и интенсивного теплоотвода, так и по направлению к поверхности путем эпитаксиального роста от подложки.

Методом Монте-Карло рассчитана фотоэдс Дембера, а также исследована генерация электромагнитных терагерцовых импульсов в арсениде индия, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением. Динамика электрического поля и транспорт носителей тока рассчитывались самосогласованным образом. Показано, что при возбуждении полупроводника лазерными импульсами с энергией кванта homega=<sssim 1.5 эВ фотоэдс достигает максимальной величины через50-100 фс после возбуждения, а затем затухает, осциллируя с плазменной частотой. Величина фотоэдс в максимуме может намного (вдесятки раз) превосходить типичные значения эдс Дембера при стационарном освещении. При возбуждении полупроводника более коротковолновым излучением (homega>~= 1.6 эВ) фотоэлектроны рассеиваются в боковыеL- иX-долины, в результате чего фотоэдс и эффективность генерации терагерцового излучения уменьшаются. PACS: 78.47.+p, 78.70.Gg, 73.50.Mx

Цель исследования заключалась в разработке метода модификации структуры квантовых точек в наноструктурах Ge/Si с применением импульсного лазерного излучения. Изменение структуры квантовых точек GexSi1-x анализировалось по данным спектроскопии комбинационного рассеяния света. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследован энергетический спектр дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками GexSi1-x до и после импульсного лазерного воздействия. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, что лазерная обработка позволяет уменьшить слоевую плотность квантовых точек, изменить их состав и увеличить средний размер. Наиболее важным результатом является обнаруженный эффект увеличения однородности параметров квантовых точек в результате наносекундного лазерного воздействия. Так, обработка образца со средним латеральным размером квантовых точек 8 нм (6монослоевGe) десятью лазерными импульсами приводит к двукратному уменьшению дисперсии энергетических уровней дырок в массиве квантовых точек. PACS: 63.22.+m, 66.10.Cb, 81.15.Hi

Исследовались кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·1016 см-2). Индуктивность диодов(L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока0.25 мА. Одновременно с измерениемL на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p+-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур Ta=225-375oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии(DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия--кислород, вводимые облучением. PACS:85.30.Kk, 73.40.Lq, 71.55.Cn, 61.80.Fe

Методами инфракрасного поглощения, эффекта Холла и нестационарной емкостной спектроскопии исследованы комплексы вакансия--два атома кислорода (VO2) в облученных кристаллах Si n-типа с различным уровнем легирования. Подтверждена обнаруженная ранее бистабильность VO2 и приведены доказательства электрической активности дефекта в метастабильной конфигурации VO2*. Установлено, что в данной конфигурации дефект обладает акцепторным уровнем, расположенным у EC-0.06 эВ. Показано, что полосы поглощения у967 и1023 см-1 обусловлены отрицательно заряженным состоянием VO2*, а полосы у928 и 1004 см-1 соответствуют нейтральному зарядовому состоянию дефекта. PACS:61.80.Fe, 61.82.Fk, 71.55.Cc, 78.30.Am

Предложен количественный метод исследования восстановленного волнового фронта с одиночной голограммы фазового объекта. Метод предназначен для исследования грубых неоднородностей в фазовых объектах. Приведены результаты экспериментальной апробации метода, подтверждающие его работоспособность.