В интервале температур 4.2-300K в области края фундаментального поглощения исследованы люминесценция и пропускание монокристаллов диарсенида цинка. При низких температурах обнаружены интенсивные линии люминесценции и поглощения 1.0384 и 1.0488, 1.0507эВ, относящиеся к основному (n=1) и возбужденным (n=2, n=3) состояниям свободного экситона. На основании водородоподобной модели определена энергия связи свободного экситона ~13.9мэВ и ширина прямой запрещенной зоны, составившая 1.0523, 1.0459 и 0.9795эВ при 4.2, 78 и 300K соответственно.

Анализ температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда в бездислокационном n-кремнии позволил сделать заключение о рекомбинационной активности ростовых микродефектов различных типов. Определены параметры основных рекомбинационных центров, связанных с микродефектами A- иB-типа.

В интервале температур 4.2--300 K исследованы оптические свойства структурно-совершенных монокристаллов CuInSe2 c использованием фотолюминесценции, оптического поглощения, оптического отражения и оптического отражения с модуляцией по длине волны (ООМДВ). Обнаружены интенсивные линии свободных экситонов A (~ 1.0414 эВ) и B (~ 1.0449 эВ) с полушириной ~ 0.7 мэВ при 4.2 K, относящиеся к двум экстремумам валентной зоны, расщепленной кристаллическим полем. Обнаружены экситоны, дающие в спектрах ООМДВ линию C (~ 1.2779 эВ) и относящиеся к нижней валентной зоне, расщепленной спин-орбитальным взаимодействием. В рамках квазикубической модели Хоупфилда рассчитаны параметры расщепления валентной зоны Deltacf=5.2 мэВ и Deltaso=234.7 мэВ, определяемые кристаллическим и спин-орбитальным взаимодействием соответственно. В области края фундаментального поглощения обнаружены линии связанных экситонов с полушириной ~ 0.3 мэВ, что свидетельствует о высоком качестве выращенных кристаллов CuInSe2.

Исследована динамика отражательной способности жидкой фазы кремния на длине волны 0.63 мкм в условиях моноимпульсного нагрева поверхности полупроводника ультрафиолетовым излучением ArF эксимерного лазера. Установленa зависимость коэффициента отражения в момент наибольшего нагрева поверхности от плотности энергии в лазерном импульсе. Показано, что температурное снижение отражательной способности расплава наиболее выражено при нагреве поверхности значительно выше равновесной точки кипения кремния. Возможный перегрев жидкой фазы вблизи энергетического порога абляции составляет около1500 K.

Исследовано нелинейное поглощение света в сильно легированном вырожденном n-GaAs в спектральной области вблизи края фундаментального поглощения. На основе квазиклассической модели флуктуационных уровней проанализирован относительный вклад в нелинейное поглощение эффектов заполенения состояний, сужения запрещенной зоны и экранирования хвостов плотности состояний неравновесными носителями. Показано, что наблюдаемое в эксперименте просветление в основном обусловлено заполнением состояний фотовозбужденными носителями.

Исследован процесс образования малых кислородных кластеров при температурах T=280-375oC в кристаллическом кремнии, легированном водородом путем высокотемпературной диффузии. Установлено, что присутствие водорода в концентрациях 1015-1016 см-3 приводит к существенному возрастанию (до 106раз при T=< 300oC) коэффициента диффузии кислорода в кристаллах Si. Обсуждаются возможные механизмы взаимодействия примесных атомов O и H и причины ускоренной водородом диффузии кислорода в кремнии.

Проведены мессбауэровские исследования на 119Sn полупроводников PbTeSnSe и GeSnTe в интервале температур 5-240 K. Анализ температурной зависимости квадрупольного расщепления мессбауэровских спектров образцов в цикле охлаждение--нагревание подтвердил наличие нецентральных атомов в полупроводниках.

Исследована возможность целенаправленного смещения высокочастотной границы платоспектральной плотности шума кремниевых p-n-структур в область высоких частот при облучении гамма-квантами. Наблюдалось максимальное увеличение полосы рабочей области частот до2-2.5раз. При дальнейшем облучении исследуемых структур ширина плато не увеличивалась и его граница размывалась. Обнаружена корреляция между изменением времени жизни неосновных носителей заряда и шириной низкочастотного плато спектральной плотности шума. Предложена качественная модель для описания изменения спектральной плотности шума с потоком облучения для кремниевых p-n-структур, определяемых размерами p-n-перехода.

Исследовано поглощение в инфракрасной области спектра как исходных, так и термообработанных и облученных быстрыми электронами кристаллов Ge с повышенным содержанием изотопов кислорода 16O или18O. Колебательные полосы поглощения в Ge при 780, 818 и 857 см-1 приписаны комплексам из двух атомов кислорода (димерам) 16O, а полосы при 741, 776 и 811 см-1--- комплексам из атомов 18O. Установлено, что облучение кристаллов вблизи комнатных температур с последующим отжигом при 120-250oC приводит к увеличению интенсивности полос при 780 и 818 см-1. Полоса при 857 см-1 не изменяет свою интенсивность при облучении и по аналогии с Si отождествляется с другой конфигурацией кислородных димеров в Ge. Энергия связи димеров, обусловливающих полосы при 780 и 818 см-1, оценена на уровне 0.35-0.4 эВ.

Ультрадисперсные частицы состава CdSexTe1-x (0=<q x=<q 1) были сформированы в матрице силикатного стекла путем введения соответствующих готовых соединений в смесь SiO2 и оксидов Ca, Na, K, Li. Первоначально образующиеся частицы среднего размера 10--15 нм увеличиваются в 2--3 раза при дополнительной термообработке стекол; спектры оптического поглощения заметно изменяются только в случае твердых растворов CdSexTe1-x (x=0.8 или 0.4), но не в случае бинарных соединений CdSe иCdTe. Все синтезированные стекла обнаруживают схожие полосы люминесценции в видимой области. Наблюдаемые закономерности интерпретируются в предположении разделения двух кристаллических модификаций (вюрцита и сфалерита) при термообработке стекол, активированных твердыми растворами.