Предложена методика интерферометрических исследований макроскопических дефектов периодического объекта в реальном времени с регулированием чувствительности измерений. Показана возможность компенсации абеpраций интерферометра при использовании эталонной голограммы. Приведены инерференционные картины с различной чувствительностью измерений, визуализирующие дефекты металлического экрана, составленного из двух совмещенных решеток.

Проведен теоретический анализ электрических характеристик квантовых интерференционных T-транзисторов на материалах GaAs, InAs, InSb, Si с учетом зависимости эффективных масс от размеров квантовой проволоки. Показано, что при экстремально малых размерах проволоки ни один из материалов не будет иметь существенных преимуществ перед другими по частотным характеристикам исследованных транзисторов.

Предложены методы повышения чувствительности измерений при перезаписи голограмм одним пучком некогерентного света. Для достижения высокой чувствительности измерений предлагается в оптических системах перезаписи использовать дополнительно пропускающую дифракционную решетку. Рассмотрены случаи перезаписи голограмм как линейного, так и нелинейного вида. Методы позволяют снять ограничения на количество циклов перезаписи голограмм, достичь максимальной чувствительности измерений. Приведены результаты экспериментальной апробации при визуализации слабых конвенционных потоков воздуха возле нагретого тела.

Природные алмазы типа IIa исследовались методами фотопроводимости на сверхвысоких частотах и постоянном токе, оптического поглощения при нормальных условиях, а также тока фотоэмиссии в вакуум (~ 10-5 Pa). Предложена модель СВЧ фотопроводимости алмаза (материала с отрицательным электронным сродством поверхности к электрону), учитывающая как внутренний, так и внешний фотоэффект.

Предложена простая и эффективная самосогласованная схема определения средних потенциалов, позволяющая при небольших затратах машинного времени вычислять термодинамические функции и другие равновесные характеристики решеточных систем с высокой точностью. Эта схема использована для анализа выражений для коэффициентов диффузии и электропроводности, полученных на основе современной статистической теории неравновесных процессов. Результаты вычислений сопоставляются с данными моделирования по методу Монте-Карло, полученными с помощью параллельных векторных алгоритмов на ЭВМ Крэй ТЗЕ общества Макса Планка (Германия).

Исследовалось влияние импульсов электрического тока длительностью 10-5 s и плотностью до 60 A/mm2 при наличии внешнего магнитного поля величиной 0.2 T на поведение ансамблей клиновидных двойников в монокристаллах висмута, облученных ионами бора энергией 25 keV, дозой 1017 ion/cm2. Установлено, что как облучение ионами, так и пропускание через кристалл импульсов тока при действии магнитного поля ведут к стимуляции подвижности двойникующих дислокаций. Дан вывод условия равновесия двойникующих дислокаций в имплантированном веществе при пропускании через него электрического тока и одновременном действии внешнего магнитного поля.

Изучены механизмы пластической деформации монокристаллов висмута при деформировании плоскости (111) индентором Берковича со скоростью нагружения 1-10 mN / s. Установлено, что в исследуемом интервале скоростей нагружения пластическая деформация реализуется преимущественно за счет пирамидального скольжения.

Предлагается для муаровой визуализации макроскопических дефектов композитных периодических структур при сравнении исследуемой структуры с эталонной в качестве последней использовать перезаписанные снимки раздельно каждой структуры. Перезапись снимков при выделении комплексно-сопряженных порядков дифракции света позволяет на конечном этапе получения муаровой картины повышать чувствительность измерений.

Проанализирована зависимость концентрации свободных носителей заряда от интенсивности света для двух возможных типов кристаллов, в одном из которых фоторефрактивные центры являются ловушками, а во втором --- донорами. Выяснены условия, при которых эта зависимость становится сублинейной при сравнительно невысоких уровнях интенсивности света.

С помощью предложенных электрических моделей и разработанного комплекса программ EC--RTS--NANODEV проведено теоретическое исследование нескольких простых приборных структур, включающих резонансно-туннельные диоды. Показано, что проанализированные структуры могут использоваться в качестве элементов многозначной логики, преобразователей частоты и генераторов самых различных сигналов, включая гармонические, релаксационные и хаотические.