Изучены особенности генерации и движения дислокаций в бездислокационных пластинах кремния (монокристаллы выращены методом Чохральского), подвергнутых термообработкам при 450 и 650oC. Установлено, что низкотемпературные термообработки пластин с содержанием кислорода (7-8)· 1017 cm-3 оказывают существенное влияние на динамические характеристики вводимых в них при четырехточечном изгибе дислокаций, вызывая увеличение стартовых напряжений начала их движения. Обнаружена характерная пространственная неоднородность в генерации и распространении дислокаций от отпечатков индентора при игзибе термообработанных пластин. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.

С помощью разработанного гипоциклоидального электронного спектрометра с высоким энергетическим (=<50 meV) и угловым разрешениями (~1o-5o) методом спектроскопии обратного рассеяния электронов низких энергий (0-10 eV) проведены исследования особенностей плотности заполненных электронных состояний благородных металлов (Au, Ag, Cu) ниже уровня Ферми. Установлено, что особенности в спектрах отражения электронов хорошо согласуются с экстремумами теоретически рассчитанных энергетических распределений плотностей состояний. Полученные результаты существенно дополняют данные методов ультрафиолетовой и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопий.

Моделирование профилей распределения ионов Cu+, Ag+ и Au+ при имплантации в аморфные диэлектрики SiO2, Al2O3 и сода-натриевое силикатное стекло проведено при помощи программы DYNA, алгоритм которой основан на эффектах парных столкновений внедряемых ионов с атомами подложки, приводящих к динамическому изменению фазового состава приповерхностного слоя облучаемого материала, а также с учетом явления поверхностного распыления. Рассмотрены случаи ионной имплантации дозами =< 1016 cm-2 при низких энергиях 30, 60 и 100 keV. Проведено сравнение полученных результатов по динамическому изменению профилей распределения концентрации имплантированных ионов в зависимости от дозы со стандартным статическим распределением, рассчитаным по TRIM-алгоритму. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (N 99-02-17767).

В висмуте, легированном теллуром, с концентрацией электронов 1.8· 1019=<q nL=<q 1.4· 1020 cm-3 исследуется фононная теплопроводность kappa22 (nabla T|| C1) и kappa33 (nabla T|| C3) в температурном интервале 2

Проведено исследование низко- и инфранизкочастотных диэлектрических свойств тонких пленок Ba0.7Sr0.3TiO3, отожженных при температуре 750 и 900oC, в широкой области температур (от -180 до +100oC), частот (от 0.1 Hz до 10 kHz) и амплитуд электрического поля (от 15 до 255 kV/cm). Обнаружено, что в образцах имеет место гигантская релаксация, характерная для слоистых гетерогенных структур. Отмечено, что более высокая температура (900oC) отжига приводит к смещению области релаксации в сторону низких температур (высоких частот). Работа выполнена при поддержке гранта \glqq Ведущие научные школы\grqq (НШ-1514.2003.2). PACS: 77.22.-d, 77.84.Dy, 77.22.Gm

В кристаллах CdxHg1-xTe n-типа измерены фотопроводимость и фотоэлектромагнитный эффект в условиях однооосной упругой деформации. Показано, что рост времени жизни носителей тока в низкотемпературном диапазоне (T

Методом емкостной спектроскопии исследованы свойства барьеров Шоттки Au/GaAs на структурах, в которых тонкий слой арсенида галлия, выращенный при низкой температуре (LT-GaAs) и содержащий кластерыAs, был вставлен между двумя однородно легированными слоями n-GaAs, выращенными при стандартных температурах. Обнаружена аккумуляция элктронов в слое LT-GaAs, которая сопровождается образованием областей обеднения в прилегающих слоях n-GaAs. Эмиссия электронов из LT-GaAs при 300 K приводит к появлению протяженного плато на зависимости емкости от напряжения. Установлено, что наличие слоя LT-GaAs толщиной 0.1 мкм, вставленного между гораздо более толстыми слоями n-GaAs, приводит к увеличению напряжения электрического пробоя до 230 кВ/см, что значительно превышает величины, характерные для стандартных структур Au/n-GaAs.

Теоретически исследован фотоемкостной эффект в монополярном МДП конденсаторе при оптической ионизации примесных атомов в полупроводниковом электроде при низких температурах. Выведены аналитические выражения для характеристик емкость--напряжение и фотоемкость--напряжение для МДП конденсатора с электродом из полупроводника p-типа. Показано, что зависимость фотоемкостной чувствительности от напряжения смещения имеет вид относительно узкого пика, величина и положение которого на оси напряжений зависит от концентрации донорной примеси. Представлены емкостные и фотоемкостные характеристики для МДП конденсатора с электродом из кремния, легированного индием.

Показано, что в неупорядоченных полупроводниках, характеризующихся достаточно быстро убывающей энергетической плотностью локализованных состояний, при низких температурах, когда можно пренебречь вкладом термоактивированных прыжков носителей заряда в процесс прыжкового транспорта, в трехмерном случае может существовать равновесное энергетическое распределение носителей заряда. Асимптотика этого распределения является больцмановской экспонентой с некоторой эффективной температурой, зависящей от напряженности электрического поля.

Слои аморфного кремния, полученные имплантацией ионов водорода с энергией 24 кэВ в SiO2/Si и Si дозами соответственно 2.7· 1017 и 2.1· 1017 см-3, исследованы методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с вариацией энергии возбуждающих электронов. Установлено, что при имплантации происходит аморфизация приповерхностного слоя кремния толщиной до 150--200 нм. Имплантация ионов водорода в кремний с пленкой окисла на поверхности приводит к формированию слоя гидрогенизированного кремния, имеющего большую температурную стабильность.