Исследована низкотемпературная (при 2 K) фотолюминесценция Si/Ge-структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при низких температурах (250-350oC) осаждения германия. Обнаружены существенные изменения в спектрах люминесценции, когда средняя толщина слоя германия превышает 6монослоев: линия излучения псевдоморфного слоя (квантовой ямы), сохраняя свое спектральное положение, возрастает по интенсивности за счет линии люминесценции островков (квантовых точек), которая при этом полностью исчезает. Полученные результаты показывают, что механизм низкотемпературного эпитаксиального роста заметно отличается от реализующегося при обычно используемых температурах роста (500-700oC).

С помощью метода, основанного на измерении анизотропии неупругого рассеяния электронов, исследовалось накопление структурного разупорядочения вмонокристаллахSi, облучаемых ионами Ne+ сэнергией10 кэВ. Показано, что накопление разупорядочения происходит как нарастание аморфного слоя от границы между естественным окислом икристаллическимSi. Установлено, что скорость роста аморфного слоя не зависит от плотности тока ионов ичто существует пороговая доза накопления. Результаты объясняются спомощью модели, основанной на диффузии генерируемых подвижных точечных дефектов кповерхности споследующей их сегрегацией ина предположении оналичии висходных монокристаллах насыщаемых стоков. Проведенные по этой модели численные расчеты показали хорошее согласие сэкспериментальными результатами, полученными как вданной работе, так идругими авторами.

Бесконтактными методами исследованы характеристики рабочей итыльной сторон подложек монокристаллического арсенида галлия, подвергнутого обработке тыльной стороны ионами аргона низких энергий. Обнаружены изменения оптических ифотоэлектрических свойств облучаемых инеоблучаемых сторон. Предложен солитонный механизм проникновения дефектов вглубь кристалла.

Впервые исследованы спектры фотолюминесценции и возбуждения стекол стехио- инестехиометрического составов спримесьюAu при T=77 K. Обнаружено расщепление спектра фотолюминесценции встеклах нестехиометрического состава смалой концентрацией примеси надве полосы, одна изкоторых обусловлена примесью.

Решается задача о расчете продольной и поперечной подвижности, ограниченной рассеянием на ионах примеси, для электронов сверхрешетки с легированными квантовыми ямами. Рассматривается случай низких температур и малых концентраций носителей заряда. При решении уравнения Больцмана для невырожденного электронного газа в области слабой экранировки кулоновского потенциала ионов примеси используется гипотеза Конуэлл--Вайскопфа о минимальном угле рассеяния. Численные расчеты проведены для симметричной сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As с периодом 10 нм и концентрацией электронов 1014 см-3 при T=20 K.

Проведено исследование спектров фотолюминесценции и магнитосопротивления эпитаксиальных структур p--3C-SiC/n+-6H-SiC при температурах 6-80 K. Проведенные исследования показали влияние гетероперехода как на спектр фотолюминесценции, так и на величину сопротивления. Однако недостаточное структурное совершенство эпитаксиальных структур не позволили пока получить эффекты, \glqq классические\grqq для структур с двумерным газом. Следует ожидать, что усложнение техники эксперимента, а также оптимизация ростовых и послеростовых технологийSiC позволят это сделать в ближайшем будущем.

Забавкин А.б. Спектроскопические измерения параметров плазмы сильноточного диффузного разряда низкого давления в магнитном поле // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 109-114

Гусаров И., Коврижин Д., Коровушкин А., Мешакин В., Осадчиев В. Кинетика позитронов низких энергий в бинарных смесях малых частиц // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 132-134

Маслов В.б., Мишуров О.в., Першенков В.с., Черепко С.в., Согоян А.в. Механизм деградации коэффициента усиления биполярных NPN транзисторов при воздействии излучения низкой интенсивности // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.6 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 83-84

Першенков В.с. Связь эффекта низких интенсивностей с толщиной диэлектрика // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 165-166