В электростатическом пределе рассчитана сила взаимодействия между параксиальным релятивистским электронным пучком и предварительно созданным омическим плазменным каналом низкой проводимости. Для конкретных параметров релятивистского электронного пучка найдена зависимость указанной силы от значения проводимости канала и расстояния от фронта пучка при различных значениях скорости нарастания тока в пучке.

Излагается методика выбора оптимального амплитудного интервала для импульсов пропорционального счетчика в условиях, когда уровень полезного сигнала сравним с уровнем собственного фона. Показано, что для случая гауссовой функции амплитудного распределения импульсов счетчика оптимальный интервал соответствует 1.4sigma. Применение методики демонстрируется на тестовом примере обработки рентгеновского спектра Kalpha железа.

На основе разработанной теории прохождения тяжелых ионов низких энергий в веществе получены простые аналитические выражения для расчета средних значений проективных пробегов ионов и среднеквадратичных отклонений проективных пробегов. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных пробегов тяжелых ионов с атомными номерами 29=<q Z1=<q 83 в мишенях из Be, B, C и Si. Наблюдается хорошее согласие теории с экспериментом.

Предлагаемый метод диагностики основан на измерении импульсного распределения электронов, вылетающих в практически одной плоскости из области фотоионизации с малыми геометрическими размерами и под двумя различными углами относительно оси пучка. Для реализации этого метода на сильноточном пучке нейтральных частиц малой энергии (десятки--сотни килоэлектрон-вольт для атомов водорода или дейтерия) предложено устройство, позволяющее оперативно и невозмущающим образом измерять распределения частиц по импульсу, сечению пучка и в поперечном фазовом пространстве.

Представлены результаты экспериментального исследования объемного разряда низкого давления с клинообразным полым катодом в плазменном источнике электронов при инициировании этого разряда отражательным и магнетронным разрядами.

Проанализирована возможность получения однородной плазмы в разрядах низкого давления с полым катодом и полым анодом. Показано, что в отличие от разрядов высокого давления, в которых для формирования однородной плазмы необходима равномерная ионизация, в разрядах низкого давления близкий к однородному радиальный плазменный профиль получается при наличии неоднородной ионизации с повышенной вероятностью на периферии системы и пониженной вблизи оси. Показано, что использование магнитных полей может быть фактором, способствующим, а не препятствующим генерации однородной плазмы.

Недавними экспериментальными и теоретическими исследованиями было показано, что сила трения покоя в "атомно-плотном" контакте двух кристаллических тел отсутствует при условии, что периоды их кристаллических решеток несоизмеримы, а взаимодействие на поверхности раздела не превышает определенного критического значения. В этом случае единственными механизмами трения являются излучение фононов и возбуждение электронов проводимости. Проведены теоретические оценки как фононного, так и электронного вкладов в силу трения (последнего как в нормальном, так и в сверхпроводящем состоянии металла).

Обнаружена и исследована нелинейность оптических параметров полупроводниковых и диэлектрических пленок на длине волны излучения 0.63 nm при интенсивности света менее 100 mW/cm2.

Собраны и проанализированы экспозиционные характеристики, полученные при выращивании различных пленок на естественных, с низкими индексами Миллера поверхностях некоторых кристаллов. Построена эволюционная терия, объясняющая их характерный вид. Показано, что наблюдаемая форма дозовых характеристик говорит о реконструкции, неравновесном структурном фазовом переходе, происходящем на поверхности. Проведен количественный анализ существующих экспериментов. В частности, получена количественная оценка того, в какой степени покрытие свинцом замедляет окисление никелевой поверхности. При интенсивном световом или при электронном облучении кремния преимущественными центрами образования точечных и протяженных радиационных дефектов, а также локальных областей плавления являются дивакансии. Для некоторых двумерных систем (дивакансий, атомов серы на поверхностях пассивированных полупроводников, оксидных пленок) определены времена задержки и времена эволюции возникающей самоорганизованной структуры.

Выполнены исследования в слабоионизованной плазме послесвечения импульсного разряда в кислороде низкого давления (0.05-0.15 Torr). Проведена зондовая диагностика и выполнены измерения проводимости плазмы путем подачи дополнительного зондирующего импульса тока в нужный момент послесвечения. Для дополнительного контроля за поведением концентраций заряженных частиц проведены также измерения интенсивностей свечения спектральных линий. Измерения временного поведения концентрации электронов в плазме послесвечения кислорода, выполненные различными методами, подтверждают сделанный ранее вывод о обострении их диффузионного ухода из объема и образовании ион-ионной плазмы. Показана также возможность реализации противоположного предельного случая --- отлипательного режима распада с ростом концентрации электронов до концентрации положительных ионов на первой стадии и переходом к электрон-ионной плазме на второй стадии.