Обсуждается природа и механизмы возникновения самопроизвольной поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках в процессе формирования тонкопленочной конденсаторной структуры и ее релаксации под воздействием электрического поля, температуры и освещения. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-16738) и Федерального агенства по образованию РФ (проект N 75112). PACS: 77.22.Ej, 77.84.Dy
Афанасьев В.П., Пронин И.П., Холкин А.Л. Механизмы возникновения ирелаксации самопроизвольной поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1143

Изучение профилей распределения элементов по толщине тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторных структур методом электронной Оже-спектроскопии позволило установить связь между элементным и фазовым составом структур и их электрофизическими свойствами. Выявлены особенности поведения подслоя титаната свинца сразу после изготовления и после старения структур. Показано, что в процессе старения изменение характеристик конденсаторных структур связано с диффузией элементов на интерфейсах и в пленке PZT на фоне значительного увеличения концентрации кислорода, в результате чего формируются оксидные слои, модифицирующие границы раздела, уменьшается плотность ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах для всех образцов. Работа выполнена при финансовой поддержке Института передовых технологий Самсунга и Федерального агенства по образованию РФ в рамках программы \glqq Развитие научного потенциала высшей школы\grqq 2005 года (проект N 75122). PACS: 85.50.-n, 82.80.Pv
Афанасьев В.П., Афанасьев П.В., Грехов И.В., Делимова Л.А., Ким С.-П., Коо Ю.-М., Машовец Д.В., Панкрашкин А.В., Парк Я., Петров А.А., Шин С. Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1130

В сополимерах винилиденфторида (ВДФ) и гексафторпропилена (ГФП) с разным соотношением компонент в области температур -100-150o обнаружены четыре релаксационных процесса и один фазовый переход сегнетоэлектрик-параэлектрик. Самый низкотемпературный из них связывается с локальной подвижностью, а более высокотемпературный --- с микроброуновским движением сегментов аморфной фазы в области стеклования. В области 50-70oC обнаружен размытый релаксорный фазовый переход полярной модификации alpha-фазы блоков ВДФ в параэлектрическое состояние. В области еще более высоких температур отмечен интенсивный процесс, связываемый с релаксацией пространственного заряда или с проявлением нормальной моды релаксации. PACS: 77.22.-d, 77.22.Gm, 77.84.Jd, 77.80.Bh
Малышкина И.А., Маркин Г.В., Кочервинский В.В. Исследование процессов диэлектрической релаксации всополимерах винилиденфторида игексафторпропилена // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1127

Синтезированы сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на подложке из поликора (Al2O3). Определены основные параметры, характеризующие наличие диэлектрического гистерезиса: спонтанная поляризация, коэрцитивное поле, внутреннее поле смещения, температура фазового перехода. Методом импедансной спектроскопии исследована дисперсия диэлектрической проницаемости в широком температурном и частотном диапазонах. Выявлена аномалия на частотных зависимостях комплексной диэлектрической проницаемости в области частот порядка 107 Hz. Работа выполнена при поддержке гранта VZ-010 Американского фонда гражданских исследований и развития, а также Министерства образования и науки Российской Федерации. PACS: 77.22.-d, 77.22.Ch, 77.55.+f, 77.84.Dy
Сидоркин А.С., Нестеренко Л.П., Смирнов Г.Л., Смирнов А.Л., Рябцев С.В. Диэлектрические свойства тонких пленок титаната свинца наподложке изполикора // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1118

Разработан метод определения плотности ловушек на интерфейсах металл/сегнетоэлектрик полностью истощенной сегнетоэлектрической пленки с двумя барьерами Шоттки. Метод основан на перезарядке ловушек, индуцированной импульсом внешнего смещения. Определен диапазон смещений и параметров структуры металл/сегнетоэлектрик/металл, для которого возможно аналитическое решение уравнения Пуассона. С помощью этого метода из измерений переходного тока определена плотность заряда ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO2/Si) конденсаторов. Величина интерфейсного заряда, оцененная из плотности ловушек, оказалась значительно меньше остаточной поляризации PZT пленки. Наблюдаемое соответствие между симметрией интерфейсных зарядов ловушек и симметрией гистерезисных петель и токов переключения указывает на объективность оценки плотности ловушек, определяемой с помощью развитого метода. Работа была поддержана Samsung Advanced Institute of Technology, программами Фундаментальных исследований Президиума РАН \glqq Незкоразмерные квантовые структуры\grqq, РАН \glqq Физика конденсированных сред\grqq и грантом РФФИ-НШ N 758.2003.2. PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 73.20.At
Делимова Л., Грехов И., Машовец Д., Шин С., Коо Ю.-М., Ким С.-П., Парк Я. Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1111

Представлены результаты исследования влияния механических напряжений на диэлектрические свойства тонкой сегнетоэлектрической пленки PZT. К образцу прикладывалась внешняя нагрузка G, приводящая к росту остаточного напряжения растяжения вдоль одной из осей пленки. Определено, что при малых и средних электрических полях рост напряжения sigma способствует увеличению диэлектрической проницаемости varepsilon' образца. Дальнейшее увеличение напряженности измерительного поля ведет к обратному эффекту --- наблюдается уменьшение varepsilon' с возрастанием G. Наблюдаемые эффекты объясняются особенностями поведения доменной структуры пленки в полях внутренних напряжений. Работа выполнена при поддержке гранта \glqq Ведущие научные школы\grqq (НШ-1514.2003.2). PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 68.60.Bs
Лалетин Р.А., Бурханов А.И., Жога Л.В., Шильников А.В., Сигов А.С., Воротилов К.А. Влияние механических напряжений надиэлектрический отклик тонких сегнетоэлектрических пленок PZT // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1109

Проведено исследование низко- и инфранизкочастотных диэлектрических свойств тонких пленок Ba0.7Sr0.3TiO3, отожженных при температуре 750 и 900oC, в широкой области температур (от -180 до +100oC), частот (от 0.1 Hz до 10 kHz) и амплитуд электрического поля (от 15 до 255 kV/cm). Обнаружено, что в образцах имеет место гигантская релаксация, характерная для слоистых гетерогенных структур. Отмечено, что более высокая температура (900oC) отжига приводит к смещению области релаксации в сторону низких температур (высоких частот). Работа выполнена при поддержке гранта \glqq Ведущие научные школы\grqq (НШ-1514.2003.2). PACS: 77.22.-d, 77.84.Dy, 77.22.Gm
Лалетин Р.А., Бурханов А.И., Шильников А.В., Сигов А.С., Воротилов К.А., Васильев В.А. Исследование низко- и инфранизкочастотного диэлектрического отклика тонких пленок BST // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1107

Измерения динамической диэлектрической проницаемости были выполнены для пленок сополимера поливинилиденфторида с трифторэтиленом --- П(ВДФ/ТрФЭ) --- состава 70/30 в широком частотном и температурном интервалах. Для сверхтонких пленок П(ВДФ/ТрФЭ) толщиной 15--45 nm, полученных по технологии Ленгмюра--Блоджетт (ЛБ), обнаружен дебаевский тип диэлектрической релаксации. Обнаружено увеличение времени релаксации tau с ростом температуры при приближении к сегнетоэлектрическому фазовому переходу, что интерпретируется как результат явления критического замедления. Изучено влияние gamma-излучения на диэлектрический отклик ЛБ пленок в 10 и 30 монослоев. Работа поддержана INTAS (грант N 03-51-3967) и РФФИ (грант N 05-02-16871). PACS: 77.22.-d, 77.22.Ch, 77.55.+f, 77.84.Jd
Лотонов А.М., Иевлев А.С., Гаврилова Н.Д., Верховская К.А., Юдин С.Г. Диэлектрическая дисперсия вполимерных сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра--Блоджетт // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 6, Стр. 1101