Обнаружены эффекты самоорганизации алмазных нанокристаллитов в полимероподобных углеводородных пленках, образующихся в неравновесной СВЧ-плазме паров некоторых углеродсодержащих веществ при низких температурах подложки. Исследована природа этого явления. Определены условия образования и роль углеводородной матрицы в процессе получения наноалмазных кристаллитов, способы управления их размером и концентрацией. PACS: 52.77.-j, 81.07.-b

Теоретически обсуждается влияние атермических (квантовых) механизмов преодоления дислокациями локальных барьеров на тепловую неустойчивость пластической деформации кристаллов в области низких и сверхнизких (

Теоретически обсуждается связь локальных разогревов кристалла линиями и полосами скольжения с наблюдаемыми при низких (

Обсуждается влияние отрицательного объемного заряда (ООЗ) на стационарное и нестационарное распределения поля в полимерном диэлектрике. Накопление ООЗ происходит за счет инжекции электронов с микровыступов на катоде. Микровыступ моделируется сферическим конденсатором, в котором электрод меньшего радиуса --- катод. При расчетах учитывается, что распределение ООЗ зависит от скорости захвата и освобождения электронов из ловушек, а энергия активации этого процесса зависит от напряженности электрического поля. Предполагается экспоненциальное распределение ловушек по энергиям. Показано, что заметные электрические перенапряжения вблизи микроострий на катоде возникают лишь в начальный момент времени после включения напряжения. В течение 10-6-10-5 s коэффициент электрических перенапряжений снижается до нескольких единиц и становится близким к своему стационарному значению. Область локализации заметных электрических перенапряжений порядка размеров микроострия.

Проведены измерения характеристик деформации и разрушения нанокристаллических меди и никеля в интервале температур 4.2-300 K. Обнаружены чувствительность напряжений течения к знаку нагрузки, неустойчивость деформации при температурах, близких к температуре жидкого гелия. Получена температурная зависимость предела текучести. Показано, что при низких температурах существует область атермической деформации, которая простирается до 60 K для никеля и 200 K для меди. Обсуждаются возможные причины особенностей деформационного поведения нанокристаллических материалов, в частности, роль квантовых эффектов в низкотемпературной деформации.

Теоретически обсуждается механизм нарушения закона Аррениуса для скорости пластической деформации и появления платообразных участков на температурных зависимостях термоактивационных параметров при деформировании кристаллов в области низких (

Исследовано влияние частиц ZrO2 на низкотемпературную деформацию нанокристаллической меди, полученной интенсивной пластической деформацией по методу равноканального углового прессования. Сравниваются характеристики деформации при растяжении и сжатии в области температур 4.2-400 K, измеренные для меди и композита Cu : 0.3 vol.% ZrO2. Показано, что в области температур 4.2-200 K предел текучести sigmas композита выше, чем у меди, и достигает 680 MPa при 4.2 K, затем до комнатной температуры sigmas близки, а при повышении температуры снова расходятся. Обсуждаются возможные причины различного влияния примеси на характеристики прочности и пластичности нанокристаллической меди в разных температурных областях.

Теоретически обсуждается влияние сверхпроводящего перехода на нестабильный, скачкообразный характер пластической деформации кристаллов в интервале низких (

В рамках метода самосогласованного псевдопотенциала рассчитаны энергии связи состояний изображения для поверхностей (0001), (1010) и (1120) бериллия. Показано, что для грани (0001) в точке Gamma поверхностной зоны Бриллюэна существует хорошо выраженное резонансное состояние изображения n=1 с энергией -0.95 eV. На поверхности (1010), имеющей широкую запрещенную энергетическую щель в окрестности вакуумного уровня, рассчитанное состояние изображения n=1 в точке Gamma имеет энергию -1.2 eV и является поверхностным состоянием щелевого типа. Для грани (1120) в окрестности точки Gamma отсутствуют запрещенные щели. Однако симметрия объемных состояний вблизи вакуумного уровня делает возможным существование резонансного состояния изображения n=1 с энергией -0.6 eV.

Выполнено молекулярно-динамическое моделирование атомных каскадов столкновений, инициируемых нормально падающими на поверхность кристалла Al(100) ионами Ar и Xe с энергиями 25, 40 и 50 eV при температуре кристалла 300 K. Обсуждается образование вакансий, радиационно-адсорбированных и межузельных атомов в каскаде. Показано, что при бомбардировке Al ионами Xe числа образуемых в каскадах поверхностных и объемных вакансий имеют два максимума в интервалах 0.2-0.3 и 0.7-1.0 ps с начала каскада, тогда как в случае Ar генерации вакансий имеют один максимум в интервале 0.2-0.3 ps. Работа поддержана грантом GZ 41002 / 8-19 / 91 Венского технического университета. Один из авторов (Г.В.К.) считает своим приятным долгом выразить признательность Австрийскому фонду научных исследований за предоставление финансовой поддержки во время его работы в Institut fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien, Австрия.