Сформулирована и решена в изотропном приближении трехмерная задача определения поля напряжений и деформаций в бездислокационных пластинах кремния диаметром 200 и 300 mm, располагающихся горизонтально на трех симметрично расположенных опорах, в условиях действия гравитационных сил и термических напряжений. Показано, что в случае действия гравитационных сил пластина в целом наименее напряжена при расположении опор на расстоянии 0.6-0.7R от центра пластины. Рассчитаны поля сдвиговых напряжений для всех возможных систем скольжения. Установлено, что для пластин диаметром 300 mm даже при радиальном перепаде температуры 10 K решающую роль в формировании поля упругих напряжений играют гравитационные силы. В пластинах диаметром 200 mm при таком перепаде температур вклад термических напряжений соизмерим с вкладом гравитационных сил. При радиальных перепадах температур менее 5 K вкладом термических напряжений можно пренебречь и в случае пластин диаметром 200 mm. Исходя из полученных значений максимальных сдвиговых напряжений, нельзя исключать возможность генерации дислокаций в пластинах в области контакта с опорами в процессах высокотемпературного отжига пластин диаметром 200 mm и особенно пластин диаметром 300 mm. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 01-02-16816).

Представлены результаты исследований фундаментальных колебаний в структурах Ge/Si c напряженными и срелаксированными квантовыми точками Ge, выполненных с помощью резонансного комбинационного рассеяния света. Самоорганизованные напряженные квантовые точки Ge/Si выращены в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si, ориентированных в направлении (001). Выращивание ультратонкого слоя оксида кремния до нанесения слоя Ge позволяло формировать срелаксированные квантовые точки Ge. Резонансное комбинационное рассеяние света, селективное по размеру квантовых точек, позволило однозначно идетифицировать линию вблизи 300 cm-1, обусловленную оптическими фононами, локализованными в срелаксированных квантовых точках Ge. Изучено влияние эффектов локализации и механических напряжений на колебательный спектр структур с квантовыми точками Ge. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17746) и ИНТАС (грант N 01-0444).

В спектрах субмиллиметрового (f=130-1250 GHz) магнитопоглощения в напряженных многослойных гетероструктурах Ge / GeSi(111) с квантовыми ямами при межзонной оптической подсветке при T=4.2 K обнаружены линии, связываемые с возбуждением остаточных мелких акцепторов. Наблюдаемое резонансное поглощение может быть обусловлено оптическими переходами между примесными состояниями, связанными с двумя парами уровней Ландау дырок в квантовых ямах в слоях Ge. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-16808), Минпромнауки РФ и ФЦП \glqq Интеграция\grqq (проект N Б0039 / 2102).

С целью получения монокристаллов рубина с высокой степенью структурного совершенства методами четырехточечного нагружения при T=1490oC и ямок химического травления исследовалась эволюция структурного состояния и измерялось стартовое напряжение для начала движения дислокаций taust. Установленные закономерности распределения дислокаций и измеренное taust=2 MPa позволяют определить оптимальные параметры термомеханической обработки монокристаллов и приблизиться к решению проблемы их долговременной работоспособности.

Исследованы магнитные свойства двух типов нанокристаллических образцов антиферромагнетика CuO (плотная нанокерамика и рыхлые порошки). Уменьшение размера частиц приводит к увеличению восприимчивости chi при понижении температуры T

Магнитооптическим методом исследовано влияние неоднородных радиально направленных механических напряжений на доменную структуру, магнитную восприимчивость и петли магнитного гистерезиса монокристалла FeBO3. Обнаружено, что в магнитном поле, приложенном в базисной плоскости FeBO3 вдоль направления вектора напряжения, в процессе намагничивания в кристалле возникает система клиновидных доменов, существующая в некотором зависящем от температуры интервале полей H0=<q H=<q Hc. Установлено, что возникновение системы клиновидных доменов оказывает существенное влияние на процесс технического намагничивания напряженного кристалла. Обсуждение полученных результатов проведено в рамках термодинамической теории доменной структуры. Показано, что используемая теоретическая модель позволяет описать экспериментально полученные температурную и полевую зависимости величины D/sqrt(L)sqrt (D -- средняя ширина клиновидного домена, L --- его длина), при этом рассчитанное значение D оказывается примерно в 1.3 раза меньше ширины наблюдаемых доменов.

Исследовано распределение дефектов в дислокационных дорожках при различных углах индентирования кремниевых пластин. Выявлены закономерности изменения линейной плотности и максимального пробега дислокаций в линиях скольжения. Предложена модель, описывающая распределение дефектов в дислокационных дорожках. Согласование теории с экспериментом позволило выявить зависимость этого распределения от времени релаксации энергии.

Представлены результаты исследования влияния механических напряжений на диэлектрические свойства тонкой сегнетоэлектрической пленки PZT. К образцу прикладывалась внешняя нагрузка G, приводящая к росту остаточного напряжения растяжения вдоль одной из осей пленки. Определено, что при малых и средних электрических полях рост напряжения sigma способствует увеличению диэлектрической проницаемости varepsilon' образца. Дальнейшее увеличение напряженности измерительного поля ведет к обратному эффекту --- наблюдается уменьшение varepsilon' с возрастанием G. Наблюдаемые эффекты объясняются особенностями поведения доменной структуры пленки в полях внутренних напряжений. Работа выполнена при поддержке гранта \glqq Ведущие научные школы\grqq (НШ-1514.2003.2). PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 68.60.Bs

Существующие экспериментальные данные относительно состава и условий кристаллизаци полупроводниковых твердых растворов Hg1-zMnzTe, эпитаксиально выращиваемых на подложке Cd(Zn)Te, обнаруживают ряд особенностей, позволяющих говорить о существенном влиянии подложки на характер кристаллизации твердой фазы. В нашей работе данные жидкофазной эпитаксии Hg1-zMnzTe рассматриваются в свете возможного влияния на состав и условия кристаллизации упругих напряжений, возникающих вследствие несоответствия параметров кристаллической решетки подложки и эпитаксиального слоя. Основным инструментом исследования является термодинамический анализ метастабильного равновесия между напряженной твердой фазой и пересыщенным раствором компонент.

Теоретически исследован беспороговый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей в квантовых ямах с напряженными слоями. Показано, что анализ зависимости скорости оже-рекомбинации от величины напряжения, высот гетеробарьеров для электронов и дырок, возможен только при микроскопическом расчете интегралов перекрытия между начальными и конечными состояниями частиц. В квантовых ямах с напряженными слоями наличие деформации качественно и количественно влияет на интеграл перекрытия электрон-дырка. Выполнен анализ зависимости скорости оже-рекомбинации от параметров квантовой ямы, величины напряжения и температуры для гетероструктур на основе InGaAsP/InP и InGaAlAs/InP.