Исследовано формирование объемного разряда в неоднородном электрическом поле без дополнительного источника предыонизации в воздухе при атмосферном давлении. Показано, что при субнаносекундном фронте импульса высокого напряжения пространственное распределение свечения плазмы между плоским и сферическим (а также острийным) электродом имеет объемный характер. При этом характер свечения остается качественно прежним при смене полярности напряжения. В рамках диффузионно-дрейфового приближения проведены расчеты волны ионизации в азоте в сферической геометрии. Независимость качественного вида разряда от полярности напряжения объясняется размножением фоновых электронов в плотном газе.

С помощью низкосимметричных (C3-симметрии) механических напряжений индуцирована дополнительная магнитокристаллическая анизотропия в базисной плоскости монокристалла FeBO3. Магнитооптическим методом проведено исследование влияния наведенной напряжениями анизотропии на основные магнитные свойства этого слабого ферромагнетика. Показано, что возникновение в борате железа дополнительной анизотропии приводит к преобразованию его доменной структуры из 180o-ной в структуру, в которой доменные границы образуют в базисной плоскости кристалла между собой углы ~120o, однако в отличие от обычной 120o-ной доменной структуры азимут вектора спонтанной намагниченности в возникающих доменах изменяется вдоль длины доменных границ. Установлено, что вызванная напряжениями перестройка доменной структуры кристалла оказывает заметное влияние на форму петель гистерезиса, наблюдаемых при квазистатическом режиме намагничивания, увеличивает начальную магнитооптическую восприимчивость, а также приводит к возникновению анизотропии коэрцитивной силы. PACS: 75.50.Bb

Калориметрические исследования никелида титана показали, что предварительное термообратимое деформирование не оказывает влияния на скрытую теплоту мартенситных превращений B2-> R, R-> B2. В то же время оказалось, что возникающие в результате заневоливания реактивные напряжения уменьшают теплоту превращений B19'-> B2, R-> B19', B2-> R, R-> B2 в 1.16-1.4 раза. Предложена формула, позволяющая описать обнаруженный эффект. PACS: 81.30.Kf

Проведены исследования параметров субнаносекундных электронных пучков, формируемых в газовых диодах. Показано, что при короткой длительности фронта импульса напряжения (в данных экспериментах ~ 1 ns и менее) амплитуда регистрируемого сигнала на токовом коллекторе при вводе пучка электронов через диэлектрические пленки определяется не током пучка электронов, а электромагнитным излучением, возникающим в газовом диоде, и емкостным током с коллектора. При вводе пучка электронов через тонкие металлические фольги и густые металлические сетки зарегистрирована длительность импульса тока пучка убегающих электронов на полувысоте ~ 0.1 ns при его амплитуде в сотни ампер. PACS: 41.85.Ar

Рассматриваются напряженные гетероконтакты с антиферромагнитным упорядочением, в которых исходные полупроводники имеют инверсный по отношению друг к другу зонный спектр. Показано, что появляющиеся в этих гетероконтактах интерфейсные состояния расщеплены по спину. В результате, если уровень Ферми попадает в одну из зон интерфейсных состояний, это приводит к магнитному упорядочению в плоскости интерфейса, т. е. может наблюдаться эффект интерфейсного магнетизма.

Изучен процесс взаимодействия ультраслабого потока тепловых нейтронов (In=20 n/s·cm2) с медным катодом при электролизе в 1-молярном растворе KOH в H2O. Обнаружен эффект генерации значительных упругих и пластических деформаций в меди, выражающийся в появлении поперечного изгиба медной пластины и разрушении ее поверхности. Показано, что среднее эффективное сечение поглощения тепловых нейтронов в меди увеличивается примерно в 20 раз по сравнению с его равновесным значением.

Обсуждается влияние отрицательного объемного заряда (ООЗ) на стационарное и нестационарное распределения поля в полимерном диэлектрике. Накопление ООЗ происходит за счет инжекции электронов с микровыступов на катоде. Микровыступ моделируется сферическим конденсатором, в котором электрод меньшего радиуса --- катод. При расчетах учитывается, что распределение ООЗ зависит от скорости захвата и освобождения электронов из ловушек, а энергия активации этого процесса зависит от напряженности электрического поля. Предполагается экспоненциальное распределение ловушек по энергиям. Показано, что заметные электрические перенапряжения вблизи микроострий на катоде возникают лишь в начальный момент времени после включения напряжения. В течение 10-6-10-5 s коэффициент электрических перенапряжений снижается до нескольких единиц и становится близким к своему стационарному значению. Область локализации заметных электрических перенапряжений порядка размеров микроострия.

Получены аналитические выражения для производных от частот магнитостатических волн по напряженности внешнего магнитного поля в анизотропных ферромагнитных пленках. Подробно рассмотрены пленки с кубической анизотропией и поверхностями <100>, <110>, <111>. Частотно-полевые зависимости использованы при экспериментальном определении температурных коэффициентов поля кубической анизотропии и намагниченности насыщения в пленке железо-иттриевого граната.

Методом трансмиссионной электронной микроскопии исследована дислокационная структура деформированных кристаллов цинка. Показано, что полоса сдвига состоит из диполей и индивидуальных дислокационных петель. Установлена связь между внутренними напряжениями и соответствующей дислокационной структурой полос сдвига.

Обнаружено возникновение тока во внешней цепи при упругой деформации локальной области суперионного кристалла RbAg4I5. Изучена зависимость величины и знака деформационного тока от области приложения локальной нагрузки к образцу и исследованы временные характеристики процесса. Исследовано влияние упругой деформации на процессы, происходящие на гетеропереходе суперионный проводник--электрод и предложен механизм возникновения деформационного тока. Рассмотрено явление возникновения фотостимулированных токов при освещении локальной области суперионного проводника светом, соответствующим внутрицентровому возбуждению оптически активных центров. Показано, что поля упругих напряжений, возникающих вокруг фотовозбужденных центров, ответственны за возникновение фотостимулированных токов.