Исследованы спектры решеточного ИК отражения эпитаксиальных пленок ZnSe различной толщины на подложке (001)GaAs. Наблюдалось увеличение частоты TO-моды для пленок с толщинами 0.8 и 1.2 mum, превышающими критическое значение dcr~0.1 mum для пары ZnSe / GaAs. Эффект объясняется существованием в пленках областей с остаточным напряжением.

Упруго-деформированное состояние интерфейса в структурах, полученных прямым сращиванием кремния, было исследовано методами рентгеновской дифракционной топографии и ИК-спектрометрии. Характер контраста, наблюдавшийся на рентгеновских топограммах, и осцилляции интенсивности на ИК-спектрах свидетельствовали о периодическом распределении деформации, обусловленном длиннопериодной микрошероховатостью поверхности сращиваемых пластин. При этом локальная микрошероховатость не превышала 2 Angstrem и не оказывала заметного влияния на структурное состояние интерфейса. Был проведен сравнительный анализ двух типов структур: (1) с гладким интерфейсом, изготовленных по традиционной технологии сращивания, и (2) с интерфейсом в виде регулярного рельефа. В структурах второго типа было обнаружено снижение уровня деформации более чем на порядок. Предложена модель, объясняющая наблюдавшееся снижение уровня упругих напряжений от сросшихся участков интерфейса как результат упругой релаксации свободных поверхностей полостей искусственного рельефа, выражавшейся в виде их прогиба и перемещения.

Обсуждается механизм возникновения акустопластического эффекта в результате приложения к деформируемому кристаллу осциллирующих напряжений звуковой частоты. С помощью компьютерного моделирования в рамках механизма суперпозиции квазистатических и акустических напряжений исследована кинетика эффекта и зависимость его величины от степени пластической деформации, амплитуды акустических напряжений, температуры и скорости деформации.

Исследованы спектры отражения и низкотемпературной фотолюминесценции пленок ZnTe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (ориентация (100), отклонение на 3o к < 110> ). Показано, что деформационное расщепление свободного экситона (Delta Eex) не зависит от толщины пленок ZnTe в диапазоне 1--5.7 mum и обусловлено двуосным растяжением пленки в плоскости слоя. Величина напряжений определяется в основном разницей термических коэффициентов пленки и подложки. При этом показано, что остаточные напряжения, обусловленные неполной релаксацией параметра решетки пленки к его равновесному значению при температуре роста, также вносят определенный вклад. Положение линии локализованного на нейтральном акцепторе (As) экситона хорошо описывается в рамках существующих моделей, учитывающих напряжения, величина которых вычислена на основе значения Delta Eex. Данная работа выполнена в рамках проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 98-02-16980, N 97-02-16721 и N 99-02-18161) и проекта Межведомственной программы ФТНС министерства науки РФ N 97-1045. Работа также частично поддержана грантом поддержки научных школ РФФИ (N 96-15-96341).

Обсуждается дислокационно-кинетический механизм амплитудно-зависимого внутреннего трения и возникновения подобия температурных зависимостей напряжений микротекучести кристалла и напряжений начала его макротекучести. Показано, что подобие зависимостей обусловлено подобием кривых деформационного (дислокационного) упрочнения кристаллов в областях соответственно микро- и макропластических деформаций.

Исследовались предвестники коррозии --- микроканавки, возникающие на упруго сжатой поверхности пластины кремния при травлении. Предвестники коррозии не наблюдались на упруго растянутой поверхности, что отличает обнаруженное явление от явления коррозионного растрескивания металлов, при котором коррозия обычно наблюдается на растянутой поверхности. Предложена общая динамическая модель развития поверхностных микроканавок при травлении, коррозии и росте упруго-напряженных твердых тел, основанная на представлении о двух локальных скоростях травления (роста), линейно зависящих от локального тензора напряжений. Модель описывает как кинетику процесса, так и асимметрию развития коррозии по отношению к знаку деформации. Исследована роль дефектов упаковки, дислокаций и искусственно созданных поверхностных ступеней в развитии коррозии напряженных кристаллов кремния. Авторы благодарны Российскому фонду фундаментальных исследований за поддержку работы (проект N 98-01-01084).

В экспериментах по релаксации напряжений обнаружено, что в кристаллах NaCl с нарушенным шлифовкой поверхностным слоем пластическое течение при низкой гомологической температуре T/TM=0.28 (где TM --- температура плавления) и общей деформации, далекой от стадии III кривой упрочнения, происходит с заметным вкладом процессов динамического возврата, что характерно для более высоких температур. Изучена кинетика релаксации эффективных и дальнодействующих напряжений. Проведено сравнение с поведением нешлифованных кристаллов NaCl при той же температуре, а также с поведением поликристаллических образцов сплава In--4.3 at.%Cd, деформированных при T/TM=0.7, когда динамический возврат протекает в полной мере и проявляется не только в релаксационных экспериментах, но и в форме деформационных кривых. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Швейцарского национального научного фонда (грант N 7UKPJ048645).

Изучена эволюция распределения нанодефектов, образующихся под действием растягивающего напряжения на поверхности полированных фольг молибдена. Нанодефекты образуют четыре статистических ансамбля, распределение по размерам, в каждом из которых задано максимумом конфигурационной энтропии. Энергия образования и средний размер нанодефектов в соседних ансамблях различаются в 3 раза. Когда концентрация нанодефектов в одном из ансамблей достигает термодинамически оптимального значения ~ 5%, часть из них рассасывается, а другая --- трансформируется в нанодефекты следующего ансамбля. Приложенная к образцу нагрузка непрерывно рождает нанодефекты, образующие первый ансамбль, что приводит к периодическим колебаниям концентрации нанодефектов во всех четырех ансамблях. Работа поддержана Министерством образования РФ (грант N E00-4.0-21).

Предложена простая дислокационная модель релаксации термоупругих напряжений, возникающих при выращивании монокристаллов из расплава. Данная модель не требует решения кинетических уравнений для дислокаций, участвующих в процессе релаксации, и позволяет получить оценку снизу плотности дислокаций в объеме выращенного кристалла.

Обсуждается вклад механических напряжений, возникающих за счет различия в температурных коэффициентах линейного расширения подложки и сегнетоэлектрической пленки, в величину самополяризации на примере тонких пленок цирконата-титаната свинца PbZrxTi1-xO3 (PZT) разных составов. Согласно развиваемым представлениям, природа самополяризации связывается с внутренними поляризующими электрическими полями, вызванными различной плотностью заряда на поверхностных состояниях интерфейсов сегнетоэлектрического слоя, тогда как растягивающие или сжимающие механические напряжения способны лишь изменить ориентацию поляризации, что приводит к увеличению или уменьшению величины самополяризации. Рассматриваются проблемы повышения эффективности использования пленок PZT в приемниках ИК-излучения и устройствах памяти. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17-799) и грантом Министерства образования РФ (E02-3.4-89).