Представлены результаты исследования роста самоорганизующихся наноостровков Ge на Si (001) при 700oC и изменения их параметров в процессе отжига. Получены островки с малым разбросом (~ 6%) по латеральным размерам и высоте. Из спектров комбинационного рассеяния света и рентгенодифракционных исследований обнаружено растворение Si в островках, определена его доля в твердом растворе SixGe1-x и измерены упругие напряжения в островках. Установлено, что в процессе отжига структур с наноостровками происходит увеличение доли Si в островках. Это изменение состава приводит к изменению формы и размеров островков.

В области температур T=10/ 300 K при помощи спектроскопии фотоотражения исследована температурная зависимость остаточных механических напряжений в эпитаксиальных пленках n-GaAs (толщина 1/ 5 мкм, концентрация электронов 1016/1017 см-3), выращенных на подложках Si (100). Количественный анализ показывает, что спектры фотоотражения, измеряемые в энергетической области перехода E0 GaAs, двухкомпонентны и состоят из электромодуляционной компоненты, обусловленной переходом "валентная подзона |3/2;± 1/2>--зона проводимости", и низкоэнергетической экситонной компоненты. Величина механических напряжений определяется из значения деформационно-индуцированного сдвига энергии фундаментального перехода из подзоны |3/2;±1/2> по отношению к ширине запрещенной зоны ненапряженного эпитаксиального материала, E0(T)-E0|3/2;±1/2>(T). Обнаруженное увеличение энергетического сдвига E0-E0|3/2;±1/2> от 22± 3 мэВ при 296 K до 29± 3 мэВ при 10 K указывает на рост биаксиального напряжения растяжения при понижении температуры.

Проведено исследование эпитаксиально-диффузионных 6H-SiC-диодов с наличием в базе высокоомной прослойки, сопротивление которой изменялось при включении диода в прямом направлении. Показано, что несмотря на отсутствие обычных признаков влияния последовательного сопротивления (независимость емкости от частоты и малая величина емкостной отсечки), емкостные измерения в таких структурах могут быть некорректны.

В рамках модели самосогласованной электрон-деформационной связи показано, что вблизи гетероконтакта механически напряженной сверхрешетки ZnSe/ZnS внутри основной квантовой ямы (ZnSe) и над основным барьером (ZnS) возникают дополнительные периодические локальные электрон-деформационные ямы и барьеры. Установлено, что при толщине наращиваемого слоя ZnSe от 10 до 20 Angstrem энергия основного состояния электрона E0c монотонно уменьшается с увеличением концентрации электронов проводимости nc, а при толщине, большей 20 Angstrem, концентрационная зависимость E0c=f(nc) имеет немонотонный характер с минимумом, который при увеличении толщины слоя смещается в сторону меньших концентраций nc.

Теоретически исследована зависимость энергий локализованных состояний акцепторов в квантовых ямах (напряженных слоях Ge в гетероструктурах Ge/Ge1-xSix) от ширины квантовой ямы и от положения в ней. Проведен расчет спектра примесного поглощения в дальнем инфракрасном диапазоне. Сопоставление результатов расчета с наблюдаемыми спектрами фотопроводимости позволило оценить распределение акцепторов по квантовой яме, в частности сделать вывод о том, что акцепторы могут в значительной мере концентрироваться вблизи гетерограниц. Выполнен расчет спектра поглощения с учетом резонансных примесных состояний, позволивший объяснить наблюдаемые особенности в коротковолновой области спектра фотопроводимости переходами на резонансные энергетические уровни, "привязанные" к верхним подзонам размерного квантования.

Приведены экспериментальные результаты исследований спектров экситонной фотолюминесценции напряженных сверхрешеток ZnS--ZnSe с несовершенными гетерограницами. Показано, что энергетическое состояние экситонов в таких структурах обусловлено влиянием как несовершенных гетерограниц, так и внутренних деформаций, которые возникают за счет рассогласований постоянных решеток полупроводников, образующих сверхрешетку.

Дана оценка порогового значения скорости роста напряжения на обратно смещенной диодной структуре, необходимого для возбуждения в ней фронта ударной ионизации, распространяющегося с большей скоростью, чем насыщенные дрейфовые скорости носителей.

Измерены температурные и деформационные зависимости фотопроводимости, фотоэлектромагнитного эффекта, а также темновой электрической проводимости и коэффициента Холла в p-CdxHg1-xTe c cоставом x~ 0.20-0.22 при низких температурах. Показано, что рекомбинационные переходы в температурном диапазоне T

Предложена и реализована новая методика экспериментального определения дифференциального усиления и дисперсии коэффициента амплитудно-фазовой связи в полупроводниковых инжекционных лазерах. Спомощью этой методики найдены значения alpha-фактора и дифференциального усиления для квантово-размерных полупроводниковых лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой в широком спектральном диапазоне (от 957 до 996 нм) при разных плотностях тока накачки (от 280 до 850 А/см2). Впервые для InGaAs-лазеров экспериментально найден коэффициент, характеризующий дисперсию групповой скорости и ограничивающий минимальную длительность импульса генерации на уровне 10-13 с.

В модели Китинга с учетом дальнодействующих кулоновских сил проведен расчет динамики решетки для напряженных (001) сверхрешеток ZnSe/ZnS, ZnSe/ZnTe, ZnS/ZnTe. Исследовано влияние двуосной деформации на изменение фононных спектров объемных материалов и сверхрешеток. Проведен анализ сдвигов исследуемых мод при напряжении как функции числа монослоев и относительной толщины составляющих композитов.