Исследован температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе 6H-SiC. Показано, что температурная зависимость напряжения пробоя может быть объяснена перезарядкой глубоких акцепторных уровней в слое объемного заряда. Результаты проведенных расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, полученными для легированных бором p-n-структур на основе 6H-SiC.

На основе литературных данных произведена подгонка параметров ZnSe и CdSe для расчета уровней в квантовых ямах ZnCdSe/ZnSe. Показана адекватность модели на примере структур с набором квантовых ям, толщина и состав которых определялись независимыми способами.

При T=1.7 K и в магнитном поле B=< 7.5 Тл выполнено оптическое и магнитнооптическое исследование напряженной гетероструктуры с квантовыми ямами в системе (In,Ga)As/GaAs, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Хорошо разрешаемая осцилляционная структура спектров магнитопоглощения позволяет восстанавливать "веерные диаграммы" для переходов между уровнями Ландау квантово-размерных состояний HH1E1 при учете энергий связи экситонов, вычисленных вариационным методом. На основании этого получены приведенные циклотронные массы носителей для квантовых ям с различным содержанием индия. Самосогласованное вариационное решение экситонной задачи в изучаемой структуре показывает, что при слабом потенциале типаII эффект кулоновской локализации дырки приводит к относительному увеличению силы осциллятора экситонного перехода LH1E1, притом экситонные переходы LH1E1 и LH3E1 остаются пространственно прямыми и сохраняют существенную интенсивность. Расщепление ~ 9 мэВ между этими двумя состояниями в нулевом магнитном поле находится в согласии с экспериментом. Существенная сила осциллятора экситонов с легкой дыркой наряду с дублетной структурой являются экспериментальным подтверждением преобразования невысокого барьера для легкой дырки в типеII электронным притяжением в квантовую яму с параболическим "кулоновским" профилем вблизи вершины, или же "кулоновскую яму".

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы массивы напряженных островков InAs в матрице (In,Ga)As на подложке InP(100) и проведено исследование их структурных и оптических свойств. Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии и дифракции быстрых электронов, критическая толщина, отвечающая началу островкового роста, составляет 3монослоя. Образующиеся островки InAs являются когерентно напряженными, размер основания варьируется от 20 до 90 нм. Формирование островков приводит к появлению в спектрах фотолюминесценции доминирующей длинноволновой линии, сдвигающейся в сторону меньшей энергии с увеличением эффективной толщины InAs. Излучение, обусловленное островками InAs, перекрывает диапазон длин волн 1.65/2 мкм.

Исследована низкотемпературная фотолюминесценция гетероструктур ZnS--ZnSe, выращенных в виде одиночных квантовых ям путем нетрадиционной технологии--- фотостимулированной газофазной эпитаксии (photo-assisted vapor phase epitaxy-PAVPE). Показано, что негомогенность квантовых ям может быть объяснена в рамках модели, основывающейся на разоупорядочении гетерограниц между двумя полупроводниками. Установлено, что край подвижности, отделяющий локализованные и нелокализованные состояния в системе экситонов, расположен на 6 мэВ ниже энергии основного состояния "тяжелого" экситона в квантовой яме номинальной толщины Lz=11 Angstrem.

Развивается новый подход к описанию изотермической ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейного изменения потенциала полевого электрода Vg, основанный на представлениях о существенно неравновесном характере транспорта ионов, изначально локализованных у границы раздела (ГР) SiO2/Si на мелких объемных ловушках. В рамках термоэмиссионного механизма переноса ионов через барьер, сформированный поляризующим напряжением (Vg>0), рассчитаны динамические вольт-амперные характеристики деполяризации. Результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными--- узкие с полушириной ~ kT пики тока, проявляющиеся вблизи Vg=0, и их зависимости от температуры, скорости развертки и начальной плотности ионов у ГР SiO2/Si. На этом основании в области температур 423-453 K определены эффективная подвижность ионов mutheta=(2.5-11)·10-8 см2/В·с (theta--- коэффициент прилипания), энергия активации mu (Emu=~0.6 эВ) и глубина объемных ловушек в SiO2 (Et=~0.2 эВ). Согласно литературным данным, значения Emu=~0.6 эВ характерны для подвижных ионов Na+.

На фоне насыщения вольт-амперной характеристики в сильном электрическом поле напряженной структуры InGaAs / AlGaAs обнаружено резкое возгорание дальнего инфракрасного излучения в полях около 1.5 кВ / см. При дальнейшем увеличении электрического поля интенсивность излучения изменяется немонотонно. Предполагается связь возгорания излучения с образованием доменов, являющихся причиной насыщения тока.

Для получения высококачественных гетероструктур на основе ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии предложен режим управления молекулярными потоками, не требующий остановок роста на интерфейсах и реализующий концепцию компенсации разнополярных напряжений. С использованием разработанного метода выращены и исследованы лазерные структуры для оптической накачки, содержащие ZnSSe / ZnCdSe-короткопериодные сверхрешетки или множественные квантовые ямы. Применимость метода показана также для роста гетерострукутр, включающих халькогениды бериллия и содержащих их тройные твердые растворы. Продемонстрирована генерация при 300 K лазерного диода с BeZnSe / ZnSe-сверхрешеткой, используемой в качестве волноводной области.

Проведено систематическое исследование влияния внутренних механических напряжений на параметры светодиодов из арсенида галлия. Светоизлучающие структуры выращивались методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема раствора--расплава GaAs вGa. Раствор--расплав легировался кремнием или кремнием и оловом. Показано, что величина и знак внутренних механических напряжений в эпитаксиальном слое определяються концентрацией примеси в растворе--расплаве. Светодиоды, изготовленные из эпитаксиальных структур с минимальными внутренними механическими напряжениями, имеют максимальную квантовую эффективность и наименьшую скорость деградации параметров. Предложена модель перестройки дефектной структуры арсенида галлия, описывающая наблюдаемые явления.

Теоретически исследовано инфракрасное поглощение в напряженных квантовых ямах p-типа на основе структур In1-xGaxAs/InP для обоих возможных типов деформаций (растяжения и сжатия). Обнаружено, что в условиях нормального падения поглощение существенно возрастает в случае деформации сжатия (когда основное состояние имеет тяжелодырочный характер) и уменьшается в случае деформации растяжения (основное состояние--- легкодырочное). Пиковое поглощение в квантовой яме в условиях сжатия может достигать значительных величин порядка 5000 см-1 при концентрации дырок ~1012 см-2, что делает привлекательным использование "сжатых" квантовых ям p-типа для детектирования ИК излучения.