Найдено научных статей и публикаций: 369
71.
К вопросу о короткопериодных осцилляциях коллекторного напряжения при поперечной электронной фокусировке
Цой В.С.. К вопросу о короткопериодных осцилляциях коллекторного напряжения при поперечной электронной фокусировке // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru
72.
Эффект пластифицирования и возбуждение электронной подсистемы в монокристалле LiF под действием ультраслабого потока термализованных нейтронов в режиме релаксации механических напряжений
Липсон А.Г., Саков Д.М., Савенко В.И., Саунин Е.И.. Эффект пластифицирования и возбуждение электронной подсистемы в монокристалле LiF под действием ультраслабого потока термализованных нейтронов в режиме релаксации механических напряжений // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
73.
Фрактальная модель перемагничивания напряженной феррогранатовой пленки
С помощью эффекта Фарадея в напряженных пленках феррограната исследуется доменная структура и ее поведение во внешнем магнитном поле. На основе результатов эксперимента предлагается модель процесса перемагничивания тонких поликристаллических слоев как процесса развития фрактальных кластеров. Предложенная модель апробируется с помощью компьютерного моделирования процесса перемагничивания.
74.
Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения
В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной создание упруго-наряженного состояния позволяет существенно ослабить междузонную ударную рекомбинацию за счет трансформации валентной зоны. В результате резко повышается квантовый выход инфракрасного излучения в области междузонных переходов. Экспериментальные результаты получены на кристаллах InSb.
75.
Наблюдение постоянного напряжения, пропорционального устойчивомутоку в сверхпроводящих кольцах, индуцированного внешним переменнымтоком
На системе асимметричных колец из алюминия, при температурах соответствующих 0.95--0.98 температуры сверхпроводящего перехода, наблюдается постоянное напряжение, индуцированное внешнем переменным током. Величина и знак напряжения периодически изменяются в магнитном поле с периодом, соответствующим кванту потока внутри кольца. Амплитуда этих осцилляций зависит немонотонно от амплитуды переменного тока и не зависит заметно от его частоты в исследованном интервале от 100 Гц до 1 МГц. Наблюдаемое явление интерпретируется как следствие смещения кольца внешним током в динамическое резистивное состояние, в котором имеет место его ``переключение' между замкнутым сверхпроводящим состоянием с ненулевым устойчивым током и незамкнутым состоянием, с ненулевым сопротивлением вдоль окружности кольца. Показано, что в системе последовательно соединенных колец напряжения суммируются: на одном кольце наблюдалось напряжение до 10 мкВ, на системе из трех колец~-- до 40 мкВ и на системе из 20 колец~-- до 300 мкВ.
76.
Калороны и билокальный коррелятор напряженности глюонного поля
В модели инстантонного газа вычислен билокальный коррелятор в глюодинамике при конечной температуре. Показано, что в данной модели корреляционная длина вакуума уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты сравниваются с решеточными данными для билокального коррелятора при конечной температуре. Обсуждается вопрос о плотности инстантонов и возможные структуры непертурбативного вакуума.
77.
Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2д го типа
В модели поля валентных сил с использованием межатомного потенциала Китинга рассчитаны механические напряжения в многослойной гетероструктуре Ge/Si(001) с вертикально совмещенными нанокластерами (квантовыми точками) Ge. Обнаружено, что неоднородное пространственное распределение упругих деформаций в такой среде приводит к появлению в напряженных слоях Si вблизи нанокластеров Ge трехмерной потенциальной ямы для электронов. Глубина потенциальной ямы достигает величины 100 мэВ, а ее пространственные размеры определяются диаметром нанокластеров Ge. Для структуры, состоящей из 4д х островков Ge диаметром 23 нм, расположенных один над другим, определены энергии связи электронов в этой яме и пространственное распределение плотности электронного заряда. Основное состояние имеет sд образную симметрию и характеризуется энергией связи электрона sim 95 и sim60 мэВ для элементного состава Ge в нанокластерах c=1 и c=0.7, соответственно. Существование в зоне проводимости напряженного Si связанных электронных состояний должно приводить к ослаблению правил отбора, определяющих низкую эффективность излучательной рекомбинации в непрямозонных полупроводниках, и позволяет объяснить наблюдающееся на опыте высокое значение силы осциллятора для межзонных переходов в многослойных структурах Ge/Si(001) с вертикальной корреляцией расположения нанокластеров Ge.
78.
Модулированная магнитная структура неоднородно напряженного монокристалла FeBObf 3
Обнаружено, что при намагничивании неоднородно напряженного FeBO3 вдоль двух выделенных направлений в базисной плоскости (в легкой плоскости) в температурной области T
79.
Социально-экологическая напряженность: методология и методика оценки
И. А. Сосунова, социально-экологическая напряженность: методология и методика оценки // Журнал "Социологические исследования", № 7, 2005, http://socis.isras.ru/
80.
Контуры социологической концепции полей социальных напряжённостей
Григас Роумальдас, Контуры социологической концепции полей социальных напряжённостей // Журнал "Социологические исследования", № 5, 2004, http://socis.isras.ru/