Найдено научных статей и публикаций: 416   
81.

Смещение Штарка состояний дырок одиночных квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках(100) и(311)AGaAs     

Соболев М.М., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Поляков Н.К., Тонких А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) эмиссии носителей из состояний одиночных квантовых точек p-n-гетероструктур InAs/GaAs, полученных на ориентированных подложках (100) и (311)A GaAs, в зависимости от величины напряжения обратного смещенияU. Установлено, что эти структуры имеют различные зависимости смещения Штарка для уровней энергий квантовых состояний точек от величиныU.
82.

Адсорбция, десорбция, контактная итермическая трансформация молекул C60 наповерхностиTa (100)     

Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
В сверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, десорбция, начальные стадии роста пленок, контактная и термическая трансформация молекул C60 на поверхности Ta(100) в диапазоне температур 300-2000 K. Показано, что молекулы C60 из первого адсорбционного слоя претерпевают существенную трансформацию уже при комнатной температуре, формируя неплотный монослой. При этом последующий рост фуллерита идет по механизму Странского--Крастанова с образованием плотноупакованных островков. Определены температурные интервалы стабильности фуллеритовой пленки на тантале и показано, что разрушение пленки происходит в интервале 850-950 K, в основном не за счет термической десорбции, а за счет распада молекул, индуцированного каталитическим действием поверхности.
83.

Инфракрасные спектры отражения иморфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs (100) сфазой упорядоченияAlGaAs2     

Домашевская Э.П., Середин П.В., Лукин А.Н., Битюцкая Л.А., Гречкина М.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы инфракрасные спектры отражения, обусловленные колебаниями решетки в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с различными концентрациямиAl в металлической подрешетке. Вспектре образца с x~0.50 обнаружены моды колебаний, соответствующие сверхструктурной фазе упорядочения AlGaAs2. Атомно-силовая микроскопия поверхности образца с x~0.50 показала наличие областей упорядочения нанорельефа с периодом ~115 нм, в которых проявляется структурная фаза AlGaAs2. PACS: 78.66.Fd, 81.05.Ea, 68.05.Nq
84.

Латеральное упорядочение квантовых точек инитей вмногослойных структурах (In,Ga)As/GaAs (100)     

Стрельчук В.В., Литвин П.М., Коломыс А.Ф., Валах М.Я., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Исследованы морфология поверхности и оптические свойства многослойных структур (In,Ga)As/GaAs (100) с самоорганизованными квантовыми точками и квантовыми нитями, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что упорядоченное расположение квантовых точек в плоскости гетерограницы начинает формироваться при выращивании первых периодов многослойной структуры. При увеличении количества периодов наблюдается выстраивание квантовых точек в ряды и формирование нитей вдоль направления[0 1 1]. Повышение латеральной упорядоченности рассматриваемых структур коррелирует с увеличением оптической анизотропии излучения, обусловленной анизотропией релаксации упругих деформаций и формой нанообъектов. Обсуждается возможный механизм латерального упорядочения квантовых точек и нитей в многослойных структурах, включающий как эффекты анизотропии полей деформаций и диффузии адатомов, так и упругое взаимодействие соседних квантовых точек. PACS: 68.65.Hb, 68.65.La, 78.67.Hc, 78.67.Lt, 78.55.Cr
85.

Техноэкономика 50-100 нм наноэлектроники     

Бубенников А.н., Бубенников А.а., Зыков А.в., Ракитин В.в. - Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы , 2000
Бубенников А.н., Бубенников А.а., Зыков А.в., Ракитин В.в. Техноэкономика 50-100 НМ наноэлектроники // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 140
86.

Массово параллельные системы мвс-100 и мвс-1000     

Забродин А.в., Левин В.к., Корнеев В.в. - Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления , 2000
Забродин А.в., Левин В.к., Корнеев В.в. Массово параллельные системы МВС-100 и МВС-1000 // Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления, стр. 194-195
87.

Периодические структуры в системе кластеров Au на поверхности NaCl(100) при импульсном лазерном осаждении     

Лай С., Пушкин М.а., Борман В.д., Зенкевич А.в., Неволин В.н., Тронин В.н., Троян В.и., Филатова Н.а. - Научная сессия МИФИ-2000. Ч.8 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Ультрадисперсные (нано-)материалы , 2000
Лай С., Пушкин М.а., Борман В.д., Зенкевич А.в., Неволин В.н., Тронин В.н., Троян В.и., Филатова Н.а. Периодические структуры в системе кластеров Au на поверхности NaCl(100) при импульсном лазерном осаждении // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.8 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 32-33
88.

О создании кафедры специального металловедения (к 100-летию профессора д.м. скорова)     

Бычков Ю.ф. - Научная сессия МИФИ-2000. Ч.9 Памяти Д.М.Скорова. Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Физическая химия растворов , 2000
Бычков Ю.ф. О создании кафедры специального металловедения (к 100-летию профессора Д.М. Скорова) // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.9 Памяти Д.М.Скорова. Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Физическая химия растворов, стр. 16
89.

Формирование и визулизация трехмерной карты города на основе двухмерных данных с использованием отечественной линии супер-эвм мвс-100/1000     

Чучкин В.и., Шувалов В.б., Шульц С.б. - Научная сессия МИФИ-2001. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии. Параллельные вычислительные технологии , 2001
Чучкин В.и., Шувалов В.б., Шульц С.б. Формирование и визулизация трехмерной карты города на основе двухмерных данных с использованием отечественной линии супер-ЭВМ МВС-100/1000 // Научная сессия МИФИ-2001. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии. Параллельные вычислительные технологии, стр. 153-154
90.

Наблюдение упорядочения в ансамбле кластеров Au на поверхности NaCl(100) при больших скоростях осаждения     

Неволин В.н., Троян В.и., Пушкин М.а., Лай С.ч. - Научная сессия МИФИ-2001. Т.9 Памяти В.С.Емельянова. Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-)материалы , 2001
Неволин В.н., Троян В.и., Пушкин М.а., Лай С.ч. Наблюдение упорядочения в ансамбле кластеров Au на поверхности NaCl(100) при больших скоростях осаждения // Научная сессия МИФИ-2001. Т.9 Памяти В.С.Емельянова. Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 171-172