Вакар З., Галль Н.Р., Макаренко И.В., Рутьков Е.В., Титков А.Н., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М.. Рост кристаллитов из молекул C$_{60}$ на нагретом (100)Мо // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru

Якимов А.И., Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Пчеляков О.П.. Формирование нуль-мерных дырочных состояний при молекулярно-лучевой эпитаксии Ge на Si (100) // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Терещенко О.Е., Литвинов А.Н., Альперович В.Л., Терехов А.С.. Поверхность Cs/GaAs(100): двумерный металл или хаббардовский диэлектрик? // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Борман В.Д., Зенкевич А.В., Лай С.Ч., Неволин В.Н., Пушкин М.А., Тронин В.Н., Троян В.И., Шевалье Дж.. Наблюдение упорядочения в ансамбле нанометровых кластеров Au на поверхности NaCl(100) при больших скоростях осаждения // Письма в ЖЭТФ, том 72, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Lu Y.F., Zhang L., Song W.D., Zheng Y.W., Luk'yanchuk B.S.. Laser writing of sub-wavelength structure on silicon (100) surfaces with particle enhanced optical irradiation // Письма в ЖЭТФ, том 72, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

С помощью метода эллипсометрии получено непосредственное экспериментальное подтверждение нетермического структурного превращения в квазимонокристаллическом графите, возбуждаемом лазерным импульсом длительностью 100 фс.

Экспериментально изучены закономерности диффузии атомов углерода между поверхностью (100)Mo и объемом непосредственно при температурах протекания процессов в интервале 1400--2000 К и определен полный баланс атомов углерода в системе. В условиях динамического равновесия диффузионных потоков растворения и выделения углерода найдена Delta E=ES1-E1S~-- разность энергий активации обоих процессов, определяющая температурную зависимость степени обогащения поверхности углеродом по отношению к объему. В специальных опытах определена энергия активации растворения атомов углерода ES1=3.9 эВ и вычислена энергия активации выделения этих атомов E1S=1.9 эВ, которая, как оказалось, близка к энергии объемной диффузии углерода в молибдене.

Обнаружена анизотропия продольного магнетосопротивления двумерного электронного газа с высокими подвижностью и концентрацией в GaAs квантовых ямах, выращенных при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии на (100) GaAs подложках. Полученные экспериментальные данные объясняются самоорганизацией пространственно-модулированных гетерограниц и согласуются с результатами атомно-силовой микроскопии ростовых поверхностей.

Экспериментально обнаружено уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100) под влиянием адсорбированного цезия, проявляющееся в разупорядочении As-стабилизированной поверхности и в снижении на sim100 circС температуры перехода к Ga-стабилизированной поверхности (100)GaAs(4/2)/c(8/2). Эффект обусловлен перераспределением плотности валентных электронов между атомами мышьяка в верхнем слое и атомами галлия в нижележащем слое вследствие передачи заряда от электроположительного адсорбата в полупроводник. В сочетании с аналогичным эффектом уменьшения энергии связи атомов галлия на Ga-стабилизированной поверхности GaAs при адсорбции электроотрицательных адсорбатов (галогенов) обнаруженный эффект позволяет осуществить атомно-слоевое травление полярной грани GaAs(100).

Показано, что в адсорбционной системе ``C60~-- монослой TaS2--(100)Та'', в противоположность всем ранее изученным системам, нагрев до sim800 К приводит к полному удалению нанесенных молекул фуллеренов. Предложена модель, объясняющая наблюдаемое явление очень слабым, нехемосорбционным взаимодействием между молекулами C60 и валентно-насыщенной поверхностью дисульфида тантала, образующего слоистые кристаллы с ван-дер-ваальсовым взаимодействием между слоями.