На кремниевой подложке с буферным слоем Si1-xGex выращены структуры GaAs / InxGa1-xAsсквантовыми точками, обладaющие интенсивной фотолюминесценцией в области1.3 мкм при комнатной температуре. Процесс выращивания осуществлялся последовательно в двух установках молекулярно-лучевой эпитаксии с перегрузкой структуры через атмосферу. Приводятся результаты исследования процесса роста структуры методом дифракции быстрых электронов.

Всверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, начальные стадии роста пленок из молекулC60 иих трансформация на поверхности (100) Si винтервале температур 300-1400 K. Показано, что молекулы C60 сохраняют свою природу вадсорбированном состоянии вплоть до700 K, при больших температурах происходит их постепенный распад, при~1300 K высвободившиеся атомы углерода полностью \glqq забывают\grqq освоем происхождении иобразуют карбид кремния, растущий вглубь образца. При комнатной температуре рост пленки фуллерита идет по механизму, близкому кмеханизму Странского--Крастанова, собразованием кристаллитов поверх монослойного покрытия. Занимаемая кристаллитами доля площади слабо зависит от времени экспозиции исоставляет50-60%.

Исследовалось влияние химической нитридизации поверхности подложек (100) GaAs в гидразин-сульфидных растворах перед формированием барьерных контактов на параметры поверхностно-барьерных структур Au--Ti/GaAs. Структуры, сформированные на нитридизованных подложках, обнаруживают уменьшение обратных токов и увеличение напряжения пробоя. При этом высота потенциального барьера в таких структурах равна 0.71±0.02 эВ, а коэффициент идеальности составляет 1.06±0.01. Наблюдаемый эффект улучшения электрофизических параметров структур обусловлен замещением на поверхности подложки слоя естественного окисла тонким когерентным слоем нитрида галлия.

Методами фотоэмиссионной спектроскопии исследовалась адсорбция сольватированных различными амфипротонными растворителями (вода, спирты) гидросульфид-ионов HS- на свободную от окислов поверхность GaAs(100). Адсорбция проводилась из растворов сульфида аммония в инертной атмосфере, не содержащей кислорода. Было показано, что химический сдвиг компоненты, обусловленной формирующимися связями As--S относительно объемной As--Ga составляющей фотоэлектронного спектра возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя, свидетельствуя о возрастании степени ионности связей As--S. Энергия ионизации полупроводника после адсорбции также зависит от растворителя, из которого производилась адсорбция, причем эта зависимость сохраняется и после отжига поверхности и исчезновения связей As--S, что указывает на влияние растворителя на атомную структуру поверхности. Установлено, что растворитель, сольватируя ион, модифицирует его химические свойства и реакционную способность, что приводит к изменению механизма взаимодействия ионов с поверхностными атомами полупроводника.

В сверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, начальные стадии роста пленок и трансформация адсорбционного слоя из молекулC60 на поверхности(100)W при нагреве. Показано, что молекулыC60 из первого адсорбционного слоя претерпевают существенную трансформацию уже при комнатной температуре, тогда как молекулы во втором и последующих адсорбционных слоях сохраняют свою природу в адсорбированном состоянии вплоть до700 K. При комнатной температуре наблюдается послойный рост пленки фуллерита. Обнаружено, что при термической десорбции фуллеренов на поверхности остается их значительное количество, соответствующее примерно двум монослоям, и предложена физическая модель, объясняющая это явление.

Методами атомно-силовой микроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование морфологических особенностей массива островковGe нанометрового диапазона, сформированных на поверхности Si (100) при молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что присутствие сурьмы на поверхности подложки во время осаждения Ge значительно повышает плотность конечного массива островков, а также подавляет образование dome-кластеров при температурах 550-600oC. Полученные результаты предложено интерпретировать в рамках кинетической модели формирования упругонапряженных островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.

Дифракционным и рентгенографическим методами определены параметры решетки эпитаксиальных твердых растворов AlxGa1-xAs с различным содержанием AlAs (x) в гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Вэпитаксиальных гетероструктурах с x~ 0.50 обнаружена фаза упорядочения (сверхструктурная фаза) AlGaAs2 с постоянной решетки, меньшей, чем параметры решеток твердого раствора Al0.50Ga0.50As и монокристаллической подложкиGaAs.

Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование поведения массива островков Ge, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности Si (100), в зависимости от потока сурьмы к поверхности. Показано, что при увеличении потока Sb до определенного уровня происходит увеличение поверхностной плотности островков, а по достижении его подавление нуклеации островков. При этом на поверхности наблюдаются мезоскопические кластеры Ge малой высоты. Качественное объяснение данного эффекта дается в рамках кинетической модели формирования островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.

Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования процессов формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) при докритической толщине осажденного InAs (1.5-1.6монослоев). Показано, что в докритической области толщин (менее 1.6монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает с увеличением температуры и не зависит от скорости осаждения. Взакритической области (более 1.8монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает при уменьшении температуры и увеличении скорости осаждения. Наблюдаемый эффект связан с переходом от термодинамического режима формирования квантовых точек вблизи критической толщины к кинетическому.

Впервые получены полные комплексы фундаментальных оптических функций оксида цинка в области 0-30 эВ при 100 K для поляризаций E normal c и E|| c. Впервые определены спектры поперечных и продольных компонент переходов и их основные параметры (энергии максимумов Ei, полуширины полос переходов Hi, площади полосSi и силы осцилляторовfi). Расчеты выполнены с помощью синхротронных экспериментальных спектров отражения. Установлены основные особенности спектров оптических функций и компонент переходов. Они сопоставляются с известными теоретическими расчетами зон и спектров оптических функций.