На основе импульсной микроволновой техники развита методика быстрой и корректной диагностики полного набора тепловых кинетических коэффициентов в однослойных пленочных структурах. Метод применен к La0.7(Pb0.7Sr0.3)0.3MnO3 пленкам на подложках LaAlO3 и SrTiO3 с рекордным значением температурного коэффициента сопротивления 5-7% для манганитсодержащих материалов при "комнатной" температуре. На основе численного моделирования проанализирована возможность улучшения характеристик неохлаждаемых болометров за счет изменения теплопроводности подложки, а также создания оптимальных пленочных структур за счет согласованного выбора величин тепловых сопротивлений на интерфейсах пленка--подложка и подложка--термостат.

Вычисляется спектр видимого излучения неоднородного столба цезиевой плазмы. Параметры плазмы соответствуют условиям маломощного импульсно-периодического разряда при давлениях 0.1-1.0 atm и температуре на оси T=5500 K. Вычисления выполнены в приближении локального термодинамически равновесной плазмы. Показано, что в рассматриваемых условиях спектр видимого излучения цезиевой плазмы изменяется от дискретного до непрерывного при возрастании давления от 0.1 до 1.0 atm. Это объясняется в основном ростом интенсивности рекомбинационных 6P- и 5D-континуумов и существенным сдвигом порогов этих континуумов в длинноволновую область (на ~ 100 nm для 6P и на ~ 150 nm для 5D) при возрастании концентрации плазмы до ~ 4· 1017 cm-3. В этих условиях оптическая толщина столба плазмы приближается к единице и средние световые потоки, испускаемые единицей длины столба дуги, достигают 6500 lm/cm при радиусе столба R=2 mm и скважности 0.1.

Приводятся результаты экспериментальных и теоретических исследований энергетических спектров электронов, отраженных от многослойных мишеней. Простроена последовательная теория отражения электронов от многослойных поверхностей. Приведены простые аналитические модели электронного отражения, наглядно иллюстрирующие возможность измерения послойного состава мишеней на их основе. Измерены энергетические спектры отраженных электронов (нормальное падение) от многослойных структур вида Nb/Si, Nb/Al/Nb/Si под углом 45o от нормали. Для определения послойного состава таких структур использовалась развитая в работе методика.

В рамках допущения о квазистационарности процесса рассчитаны давление и радиус канала искрового разряда в воде. Показано, что определяющим параметром является \glqq интеграл действия\grqq S=\intlimits0ti2dt, где i --- ток в канале. Результаты расчета слабо зависят от проводимости, что позволяет принять допущения о ее постоянстве. Полученные формулы применимы для оценок в случае разряда вдоль оси цилиндрической камеры, заполненной водой, если деформация стенки за время разряда пренебрежимо мала, а длительность импульса в несколько раз больше времени распространения звука в воде от оси до стенки камеры. В области относительно малых давлений (P=<108 Pa) имеет место зависимость P~ R-4/3, где R --- радиус камеры.

Представлены результаты экспериментального исследования процессов формирования зависимостей мгновенных значений внутреннего квантового выхода и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных излучателей от времени, среднего поля в слое люминофора и заряда, протекающего через этот слой, а также формировния зависимостей внутреннего квантового выхода и светоотдачи от амплитуды напряжения возбуждения. Показано, что при увеличении частоты этого напряжения выше 10 Hz на участке роста яркости и тока через слой люминофора на зависимостях мгновенных значений квантового выхода и светоотдачи от времени появляется провал, а на участке спада яркости и тока --- пик, обусловленные различием скоростей нарастания и спада яркости и тока.

Афанасьева В.К. Аккадская (Вавилоно-ассирийская) литература. // История всемирной литературы. - Т. 1. - Наука, 1983. - СС. 100-117.

Исследовано влияние флуктуаций числа Ферми-частиц на зарядовое состояние мелкодисперсных металлических гранул в диэлектрической матрице. Предполагается, что система гранул не образует туннельную среду и обмен заряда между металлическими элементами композита происходит за счет надбарьерного теплового переброса электронов. Из результатов расчета большой статистической суммы системы следует, что средний заряд i-й гранулы связан нелинейным соотношением с потенциалами Vi проводников. Работа поддержана Министерством образования и науки Украины (проект 2М/71-2000), а также Королевской академией наук Швеции.

Рассмотрена квазибаллистическая модель токопереноса в двухбарьерной гетероструктуре AlxGa1-xAs--GaAs--AlAs со слабо легированной ямой. Учтено рассеяние электронов в слое GaAs в X-долину, незеркальность отражения электронов от барьера AlAs и квантование энергии в предбарьерной области. Показана возможность реализации S-образной вольт-амперной характеристики в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре в отсутствие электрон-электронных столкновений при относительно широком барьере AlAs.

Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики фототока при T=4.2 и300 K в ненапряженной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Al с туннельно-прозрачными слоями ZnSe и Ge-квантовыми точками. При комнатной температуре без освещения на вольт-амперных характеристиках наблюдались особенности типа \glqq кулоновской лестницы\grqq. На основе анализа экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры. Втранзисторной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/p-Ge с каналом из p-Ge и с плавающим затвором из Ge-квантовых точек при освещении светом разного спектрального состава наблюдалось как увеличение, так и уменьшение полного тока канала. Указанные изменения тока канала связаны с захватом положительного и отрицательного заряда на квантовых точках при разных оптических переходах. Накопление заряда ведет к изменению состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии и либо уменьшает, либо увеличивает полный ток.

В 1968 г. школьники целинного совхоза "Дергачевский" в бассейне р. Алтаты (левый приток р. Большая Узень) выявили 18 селищ эпохи бронзы и одну неолитическую стоянку. До этих находок в Дергачевском р-не Саратовской обл. не было известно археологических памятников. Ближайшее селище срубной культуры, раскопанное И. В. Синицыным в 1958 г. близ с. Осинов-Гай на правом берегу р. Большая Узень, находится в соседнем Ершовском р-не. Все селища расположены на верхней террасе на расстоянии от 0,5 до 1 км друг от друга, что указывает на большую плотность населения в бассейне р. Алтаты в эпоху бронзы.