В экспериментах по параметрическому усилению фемтосекундных импульсов в широкоапертурных кристаллах DKDP достигнута мощность более 100 ТВт, что значительно превышает рекордный уровень, достигнутый в таких лазерах. Получен КПД параметрического усилителя по энергии 27%. Энергия импульса длительностью 72 фс составила 10 Дж.

Показано, что в адсорбционной системе ``молекулы C60~-- поверхность Nb(100)' закономерности роста наноразмерной фуллеритовой пленки определяющим образом зависят от химического состояния адсорбированной серы. Так, сера в форме поверхностного сульфида NbS с концентрацией (9pm0.2)cdot1014 см-2 практически не влияет на адсорбцию~-- как и на чистом металле, молекулы фуллерена из первого, и частично, из второго слоя претерпевают существенную деструкцию и при последующем прогреве не десорбируются с поверхности ни при каких температурах. Наоборот, на валентно-насыщенном монослое NbS2 с практически такой же концентрацией атомов S на поверхности молекулы C60 сохраняют свою структуру, строят фуллеритовую пленку в виде кристаллитов без образования промежуточного монослоя (механизм Фольмера--Вебера) и полностью покидают поверхность при 800 К, оставляя ее неизменной и незагрязненной.

С помощью оже-электронной спектроскопии высокого разрешения изучено образование и разрушение поверхностного силицида на (100) W при различных режимах очистки поверхности и объема образца. Показано, что степень очистки объема практически не влияет на закономерности формирования ПС при адсорбции атомов Si на нагретой поверхности W, причем почти вплоть до завершения этого формирования все поступающие на поверхность атомы кремния, начиная с самых первых, остаются на ней, встраиваясь в ПС. Разрушение ПС определяющим образом зависит от состояния объема и при T=1400 K на ранних стадиях, видимо, лимитируется переходом атомов Si с поверхности в подповерхностный слой, а на последующих стадиях диффузией кремния внутрь подложки. Сделаны оценки объемной концентрации кремния, лимитирующей разрушение ПС.

Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста.

Впервые экспериментально изучены закономерности диффузии атомов углерода между поверхностью и объемом (100) молибдена непосредственно при температурах протекания процессов в интервале 1400-2000 K и определен полный баланс атомов углерода в системе. В условиях динамического равновесия диффузионных потоков растворения и выделения углерода найдена разность энергий активации обоих процессов Delta E=Es1-E1s, определяющая температурную зависимость степени обогащения поверхности углеродом по отношению к объему. В специальных опытах определена энергия активации растворения атомов углерода Es1=3.9 eV и вычислена энергия активации выделения этих атомов E1s=1.9 eV, которая, как оказалось, близка к энергии объемной диффузии углерода в молибдене.

Термическим испарением при скоростях осаждения 3--30 Angstrem/s и рабочем давлении ~10-5 Torr получены тонкие (50--200 Angstrem) пленки железа на подложках арсенида галлия (100). Методом ФМР на частоте 9.8 GHz исследованы зависимости намагниченности насыщения, констант кубической и одноосной плоскостной анизотропии, ширины линии ферромагнитного резонанса от толщины пленок. Показано, что параметры термически осажденных пленок Fe/GaAs (001) сравнимы с аналогичными величинами, обеспечиваемыми молекулярно-лучевой эмитаксией.

В рамках модели, учитывающей диполь-дипольное отталкивание адатомов и металлизацию адсорбированного слоя, проведен расчет заряда адатомов и изменения работы выхода Deltaphi при нанесении на поверхности (100) кремния субмонослойных пленок щелочных металлов. Достигнуто хорошее согласие с данными эксперимента. Проанализировано изменение параметров модели в ряду Li->Cs.

Исследованы дифракционные картины квазиупругорассеянных электронов, возникающие вследствие их фокусировки в тонком приповерхностном слое монокристалла Si (100)-2x1. Результаты измерений, проведенных в диапазоне энергии 0.6-2 keV, сопоставлены с расчетами, выполненными в кластерном приближении однократного рассеяния. Показано, что данная модель хорошо описывает эксперимент. Проанализирована взаимосвязь дифракционных картин, наблюдаемых для разных граней кремния, и рассмотрено влияние на них ориентации пучка первичных электронов. Установлены закономерности фокусировки квазиупругорассеянных электронов при выходе из кристалла вдоль основных кристаллографических направлений. Изучены особенности эффекта для электронов, испытавших при отражении неупругое взаимодействие с электронной подсистемой кристалла.

Измерена температурная зависимость теплоемкости Cp теллурита висмута. Экспериментальные данные сравниваются с результатами расчета, учитывающего дебаевский и энштейновский механизмы теплоемкости.

Исследованы спектры отражения и низкотемпературной фотолюминесценции пленок ZnTe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (ориентация (100), отклонение на 3o к < 110> ). Показано, что деформационное расщепление свободного экситона (Delta Eex) не зависит от толщины пленок ZnTe в диапазоне 1--5.7 mum и обусловлено двуосным растяжением пленки в плоскости слоя. Величина напряжений определяется в основном разницей термических коэффициентов пленки и подложки. При этом показано, что остаточные напряжения, обусловленные неполной релаксацией параметра решетки пленки к его равновесному значению при температуре роста, также вносят определенный вклад. Положение линии локализованного на нейтральном акцепторе (As) экситона хорошо описывается в рамках существующих моделей, учитывающих напряжения, величина которых вычислена на основе значения Delta Eex. Данная работа выполнена в рамках проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 98-02-16980, N 97-02-16721 и N 99-02-18161) и проекта Межведомственной программы ФТНС министерства науки РФ N 97-1045. Работа также частично поддержана грантом поддержки научных школ РФФИ (N 96-15-96341).