Для субмонослойных Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga, исследованы электронные спектры поверхностных состояний и ионизационная энергия как функция покрытия. Использовался метод пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. При Cs-покрытии вблизи половины монослоя в спектре ниже уровня Ферми обнаружены две узкие зоны, индуцированные адсорбцией, что указывает на наличие двух неэквивалентных позиций для атомов Cs при взаимодействии с димерами Ga. Установлено, что Cs-покрытие ~ 0.7 монослоя является насыщающим для оборванных связей Ga и адсорбционная связь имеет преимущественно ковалентный характер. При покрытиях, близких к монослою, впервые наблюдались широкие зоны с энергией 1.9, 2.05 и 2.4 eV, которые могут быть связаны с возбуждением Cs-островков или кластеров и поверхностного Cs-плазмона соответственно. Результаты свидетельствуют о наличии двух фаз адсорбции с сильной и слабой связями. Работа выполнена при поддержке гранта N 98-02-18265 РФФИ и гранта N 99-2.14 программы Миннауки РФ "Поверхностные атомные структуры".

На основе численного решения уравнений движения намагниченности исследуется динамика установления стационарной резонансной прецессии при перпендикулярном подмагничивании феррит-гранатовой пленки типа (100). Обнаружено наличие особого стационарного динамического режима, при котором намагниченность совершает незатухающие спиралеобразные движения, а также большого по амплитуде нутационного движения с периодом, кратным периоду прецессии.

С помощью метода обращенной фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением исследованы незаполненные электронные состояния субмонослойных пленок диспрозия, адсорбированных на поверхности W(100). Показано, что энергетическое положение пика 1.7 eV не зависит от угла падения электронов на поверхность кристалла. Эта особенность связана с переходами электронов на 4f-состояние Dy, расположенное выше уровня Ферми. Изменение энергетического положения этого пика при увеличении концентрации адсорбированного диспрозия коррелирует с изменением работы выхода, что указывает на связь дипольного момента адатомов с их диполь-дипольным взаимодействием.

Изучен процесс роста дисилицида кобальта на грани Si (100) в условиях реактивной эпитаксии при T=350oC в диапазоне толщин напыленного кобальта 10-40 ML. Исследование проведено с помощью нового метода визуализации атомного строения приповерхностного слоя неупруго отраженными электронами средней энергии. Показано, что сформированные пленки состоят из зерен CoSi2 (221) четырех азимутальных ориентаций, развернутых на 90oC друг относительно друга. Такая доменная структура обусловлена фасетированием поверхности подложки плоскостями (111), происходящим в процессе силицидообразования. На фасетках (111) эпитаксиально растут слои CoSi2(111) с B-ориентацией. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17288) и МПНТ (направление \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq, проект N 5.10.99).

С использованием метода погруженного атома проведены расчеты колебательных спектров для поверхности Cu(100) с одним и двумя монослоями Ni. Детально обсуждаются релаксация поверхности, дисперсия поверхностных фононов, а также поляризация колебательных мод адсорбента и подложки. Полученные теоретические результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными и могут использоваться для их интерпретации. Обсуждается изменение межатомных взаимодействий при нанесении адсорбaтов. Работа выполнена при поддержке Министерства промышленности, науки и технологий Российской Федерации (грант N 40-012.1.1.1153).

С использованием теории функционала плотности изучено взаимодействие между молекулами CH3OH и поверхностью алюминия, ограниченной плоскостью (100). Определены численные параметры (сокращение кинетической энергии, число специальных точек для интегрирования зоны Бриллюэна, расширение функции заполнения, число атомных слоев), позволяющие получить надежные результаты при расчете полной энергии и структурной оптимизации рассматриваемой системы. Вычислены геометрические характеристики молекулы метанола, находящейся в изолированном состоянии и адсорбированной на поверхности металла. Показано изменение псевдоэлектронной плотности поверхности металла в присутствии адсорбированной молекулы. Проанализировано влияние ориентации молекулы CH3OH по отношению к поверхности металла и соседним молекулам метанола. Установлено влияние деформации металла и взаимодействия адсорбированных молекул между собой на полную энергию системы. Работа выполнена в соответствии с планом работ Республиканской программы фундаментальных исследований \glqq Поверхность 01\grqq (Белоруссия) и Национального фонда научных исследований PAI/UAP P4-10 (Бельгия).

Методами дифракции быстрых электронов на отражение и атомно-силовой микроскопии исследованы морфологические особенности формирования квантовых точек в системе (Ge,Sb) / Si при молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что в случае одновременного напыления Ge и Sb происходит увеличение плотности и однородности наноостровков по сравнению со случаем напыления чистого Ge. Закономерности образования островков обсуждаются с точки зрения теории формирования островков в системах, рассогласованных по параметру решетки. Проведено исследование полевых эмиссионных свойств полученных объектов с помощью сканирующего электронного микроскопа. Оценка приведенной яркости для (Ge,Sb) / Si-наноструктур дает величину B~ 105 A/(cm2·sr·V), что на порядок превышает значение этой величины для Шоттки-катодов. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Министерства науки и образования, Российской академии наук, а также Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374). Г.Э. Цырлин выражает признательность Alexander von Humboldt Stiftung, А.А. Тонких благодарит фонд DFG.

Эпитаксиальные слои ZnSe на GaAs (100) были выращены методом фотостимулированной газофазной эпитаксии с использованием He--Cd-лазера (мощность P~= 1 мВт/см2, hnu=2.807 эВ) при температуре подложки T=(175-300)oC. Исследованы температурные зависимости подвижности основных носителей заряда в слоях, легированных в процессе роста с применением таких источников, как AlCl3, Zn, Al, Ga. На основании анализа кривых термостимулированного тока и термостимулированной деполяризации установлены параметры 7глубоких локальных уровней, оказывающих существенное влияние на электрические характеристики гетероструктур.

Исследовано влияние напряжения рассогласования на структурные, транспортные и оптические свойства толстых слоев InGaAs, выращенных на подложках InP (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что слои с напряжением растяжения могут быть выращены с большим рассогласованием до начала пластической релаксации напряжения по сравнению со слоями с напряжением сжатия. Критическое рассогласование для толстых слоев InGaAs не описывается с достаточной точностью ни моделью механического равновесия, ни моделью баланса энергии. Диапазон рассогласования, необходимый для получения высоких значений подвижности носителей и эффективности излучательной рекомбинации в слоях InGaAs, выращенных на подложках InP, существенно уже диапазона псевдоморфного роста. Наибольшие подвижности и наименьшие ширины пика фотолюминесценции достигаются в слоях, согласованных по параметру решетки с подложкой, а также в слоях, слабо обогащенных галлием. Исследована зависимость ширины запрещенной зоны от состава с учетом влияния напряжения.

Эпитаксиальные пленки ZnSe на GaAs (100) были выращены методом рентгеностимулированной газофазной эпитаксии с использованием источника УРС-55а (излучение CuKalpha; lambda=1.542 Angstrem; P~1-3 мВт/см2) из порошкового сырья в токе очищенного водорода. Исследованы различия в спектрах фотолюминесценции и экситонного отражения монокристаллических пленок ZnSe на GaAs (100) при T=4.5 K, испытывающих деформацию сжатия и выращенных методами рентгеностимулированной газофазной эпитаксии и обычной газофазной эпитаксии. Полученные результаты указывают на улучшение кристаллической структуры эпитаксиального слоя, полученного методом рентгеностимулированной газофазной эпитаксии. Это подтверждается и данными ретгенодифракционного анализа. Обнаруженные эффекты объясняются рентгеноактивационными процессами адсорбции и десорбции, изменением проверхностной подвижности адсорбированных атомов.