В рамках феноменологической модели рассматривается влияние на устойчивость спирального магнитного домена параметров доменной структуры, пленок и внешнего магнитного поля. Показано, что с помощью выбранной модели можно описать ряд закономерностей, установленных экспериментально для динамических спиральных доменов, образующихся в результате процесса самоорганизации доменов и доменных границ, в пленках ферритов-гранатов, помещенных во внешнее переменное магнитное поле. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке программы \glqq Фундаментальные исследования в области естественных наук\grqq (грант N E00-3.4-258) и гранта N REC-005 Фонда гражданских исследований и развития для независимых государств бывшего Советского Союза (CRDF).

Рассмотрены особенности стабилизации суспензий наноалмазов детонационного синтеза в полярных и неполярных средах. Продемонстрирована периодичность изменения полидисперсности частиц наноалмазов в водной среде при наложении поля ультразвука и найдены условия, позволяющие поддерживать оптимальную дисперсность в течение длительного времени. Предложена методика химической модификации поверхности наноалмазов прививкой органосилильных групп, позволяющая получать высокодисперсные суспензии наноалмазов в неполярных органических средах. Разработана модель агрегата частиц наноалмазов детонационного синтеза, стабилизированного водородными связями функциональных групп различной природы.

Метод выжигания провалов позволяет запоминать (\glqq фотографировать\grqq) структуру поля деформаций, в том числе и динамических, и выбирать точку измерения в глубине образца. Указано на еще одну интересную возможность --- измерение деформации в материале, не прозрачном для света. Для этого надо в образец внедрить оптические волокна --- световоды и активировать их чувствительными к выжиганию провалов примесями, имеющими в спектрах хорошие бесфононные линии. PACS: 78.40.-q, 78.30.-j

Рассматривается поперечная устойчивость фронта ударной ионизации в кремниевой p+-n-n+-структуре большой площади. Предложена аналитическая модель, обеспечивающая совместное движение фронта ионизации и процесса вытеснения основных носителей из необедненной части n-базы. Исследована устойчивость плоского фронта, вычислены инкременты нарастания и указаны физические механизмы неустойчивости. Сформулирован критерий квазиустойчивого распространения волны.

Исследованы деградационные характеристики светоизлучающих p-i-n-диодов BeZnSe/Zn(Be)CdSe. Показано, что использование вместо p-легированного BeZnSe : N эмиттера нелегированных короткопериодных сверхрешеток, обеспечивающих эффективный перенос дырок из p+-BeTe : N приконтактной области (инжектора дырок) в активную область, позволяет значительно увеличить время жизни светодиодов при экстремально больших плотностях постоянного тока (~ 4.5 кА/см2) при комнатной температуре.

Рассчитаны интервалы несмешиваемости икритические температуры спинодального распада тройных полупроводниковых систем Ga--In--Sb, Ga--In--P иIn--As--Sb сучетом как деформационной энергии, так иэффекта пластической релаксации, обусловленного дислокациями несоответствия. Показано, что такой учет упругой энергии ведет ксужению области спинодального распада ипонижению его критической температуры. Введение феноменологического параметра вформулу Метьюза--Блейксли позволило удовлетворительно согласовать теоретически рассчитанные значения критических толщин эпитаксиальных пленок сэкспериментально известными.

Исследованы характеристики облученных протонами эпитаксиальных i-GaAs-структур фотодетекторов со встречно-штыревой системой электродов до и после воздействия гамма-нейтронного облучения. Чтобы уменьшить темновой ток фотодетекторов, металлизация электродов производилась на облученных протонами i-GaAs-структурах, а затем проводилось вжигание при температуре300oC в течение30 мин, что приводило к частичному восстановлению проводимости эпитаксиального слоя. На основании измерений спектральных зависимостей фоточувствительности структур показано, что при энергиях оптических квантов, близких к ширине запрещенной зоны, фоточувствительность облученных протонами структур устойчива к воздействию гамма-нейтронного облучения, что позволяет предложить их для создания радиационно-стойких фотодетекторов.

Начальные стадии роста слоевGe иSi на сингулярной поверхностиSi(111) демонстрируют необычную морфологию ростовой поверхности при осаждении с низкой скоростью: образование треугольных островков высотой до трех атомных слоев. Спомощью моделирования по методу Монте-Карло показано, что дополнительный барьер 0.5-0.6 эВ для встраивания атомов на димеризованные связи на краях треугольных островков приводит к ускоренному росту островков в высоту и к изменению ориентации треугольников. Предложена гипотеза, объясняющая начальный рост многослойных островков и ограничение их высоты тремя бислоями влиянием краевых димеров, ориентация которых изменяется при достижении ступенью, перпендикулярной направлениям< 1 1 2>, высоты в 3бислоя. Спомощью сканирующей туннельной микроскопии обнаружены новые особенности атомной структуры регулярных трехбислойных ступеней на поверхностиSi(557). Результаты анализа изображений, полученных на сканирующем туннельном микроскопе, подтверждают гипотезу о формировании ряда димеров на краю трехбислойной ступени.

Исследована термодинамика стабильности твердых растворов Cd1-xHgxTe, MnxHg1-xTe иZnxHg1-xTe. Расчеты, проведенные в модели \glqqdelta-параметра решетки\grqq, указывают на стабильность твердых растворов CdHgTe иZnHgTe во всем диапазоне концентраций компонент при типичных температурах выращивания. Втоже время вMnHgTe обнаружена область несмешивания 0.33

Разнообразие и характер распределения дефектов структуры, а также флуктуации состава обусловливают индивидуальность и неустойчивость фотооткликаI детекторов и спектрометров на основе Cd1-xZnxTe при интенсивных воздействиях или при экстремальных условиях эксплуатации. Показано, что они наиболее полно отражаются в дифференциальных спектральных характеристиках I(hnu) и построенных на их основе диаграммах dI/dnu=f(I). PACS: 72.40.+w, 77.22.Ch