Отмечено, что узость чисто электронных бесфононных линий (БФЛ) открывает привлекательные возможности их спектрального исследования с помощью эффекта Доплера --- доплеровской спектроскопии (ДС). Установлено, что для сдвига БФЛ шириной 10 MHz в новое положение достаточно скоростей приемника относительно источника ~ 10 m/s. Показано, что чем уже линия или спектральный провал (ее \glqq негативное изображение\grqq), тем более эффективна ДС. Отмечена возможность измерения формы спектральных провалов с помощью ДС, рассмотрены возможности сверхчувствительной ДС. Указана особенность ДС-модуляции частоты --- отсуствие возмущения внутренних состояний излучателя и поглотителя. Сделан вывод о необходимости изучения интерференции фотона \glqq с самим собой\grqq, когда частота \glqq его половины\grqq изменяется с помощью ДС. Автор благодарит за поддержку Фонд науки Эстонии (грант N 5547), Фонд А.Ф. Гумбольдта и Международный центр научной культуры --- Мировую лабораторию. PACS: 71.55.-i, 78.20.Bh, 78.55.-m, 78.90.+t
Ребане К.К. Доплеровская спектроскопия бесфононных линий // ФТТ, 2007, том 49, выпуск 1, Стр. 83

Экспериментально исследованы спектры отражения света от полупроводниковых структур GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Теоретический анализ спектров выполнен в рамках экситон-поляритонной модели в приближении размерного квантования экситонного центра масс с учетом вкладов в поляризацию как тяжелых, так и легких экситонов. Оценены границы применимости теории квантования центра масс для гетероструктур GaAs/AlGaAs. Установлено, что для квантовых ям толщиной более 180 nm наблюдаемые в спектрах отражения эффекты интерференции поляритонных волн с хорошей точностью воспроизводятся в теоретическом расчете, основанном на квантовании экситонного центра масс. При толщинах квантовых ям менее 150 nm результаты эксперимента лучше описываются моделью квантования электронов и дырок. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 06-02-17157-a), Министерства науки и образования РФ (грант N РНП.2.1.1.362), а также Международного научного технического центра ISTC (грант N 2679). PACS: 71.35.-y, 73.61.Ey, 78.66.Fd
Логинов Д.К., Убыйвовк Е.В., Ефимов Ю.П., Петров В.В., Елисеев С.А., Долгих Ю.К., Игнатьев И.В., Кочерешко В.П., Селькин А.В. Интерференция поляритонных волн вструктурах сширокими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11, Стр. 1979

При возбуждении синхронным излучением исследована люминесценция монокристаллических пленок гадолиний-галлиевого граната, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из Pb- и Bi-содержащих растворов-расплавов на подложках Gd3Ga5O12. Показано, что интенсивность люминесценции в видимой области спектра зависит от типа и концентрации примесных ионов, входящих в пленку из растворителя. PACS: 78.20-e, 78.66.-w
Рандошкин В.В., Алпаров Р.М., Васильева Н.В., Колобанов В.Н., Михайлин В.В., Петровнин Н.Н., Спасский Д.А., Сысоев Н.Н. Люминесценция эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната привозбуждении синхротронным излучением // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11, Стр. 1976

Метод выжигания провалов позволяет запоминать (\glqq фотографировать\grqq) структуру поля деформаций, в том числе и динамических, и выбирать точку измерения в глубине образца. Указано на еще одну интересную возможность --- измерение деформации в материале, не прозрачном для света. Для этого надо в образец внедрить оптические волокна --- световоды и активировать их чувствительными к выжиганию провалов примесями, имеющими в спектрах хорошие бесфононные линии. PACS: 78.40.-q, 78.30.-j
Ребане К.К. О возможности оптического измерения деформаций с помощью устойчивого выжигания провалов в непрозрачном образце // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9, Стр. 1629