Представлены результаты по определению динамики плазменного канала, созданного сильноточным электронным пучком (энергия электронов Ee=1.1·106 eV, ток пучка Ib=2.4·104 A, длительность импульса t=60·10-9 s) в газах: гелий (He), азот (N2), неон (Ne), воздух (Air), аргон (Ar), криптон (Kr), ксенон (Xe), влажный воздух (Air : H2O) при давлении от 1 до 760 Torr. Экспериментально подтверждено, что в газах, имеющих малое значение отношения частоты столкновений nu к скорости ионизации газа ui, электронный пучок формирует широкий плазменный канал высокой проводимости Rb/Rp

Теоретически исследуется статика одиночных упругих доменов (двойников) в эпитаксиальных тонких пленках тетрагональной симметрии, выращенных на кубической подложке. Рассмотрены различные возможные варианты геометрической формы домена: пластинчатая, трапецеидальная и треугольная кофигурации. Неоднородные внутренние напряжения, существующие в полидоменных эпитаксиальных системах, рассчитываются методом эффективных дислокаций. Отсюда определяются упругие энергии, запасенные в гетероструктурах с различными доменами. Путем минимизации полной внутренней энергии гетероструктуры вычисляется равновесная ширина домена. Далее из энергетических соображений строится диаграмма устойчивости одиночных доменов в эпитаксиальных пленках. Показано, что в значительной части этой диаграммы трапецеидальные домены энергетически более выгодны, чем пластинчатые домены. Исследовано влияние внешнего электрического поля на устойчивость 90o доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках.

Исследована кинетика самосогласованного роста зародышей новой фазы из расплавов эвтектического состава. Показано, что кинетика роста зародышей эвтектического состава зависит от суммы пересыщений по всем компонентам. Определено, что в расплаве эвтектического состава устанавливается единый критический радиус зародышей, определяемый пресыщением по обоим компонентам. Введено понятие "диффузионного диполя" как двухфазного объекта, находящегося в расплаве или твердом растворе эвтектического состава, в котором два зародыша разного состава объединены единым диффузионным полем. Исследована морфологическая устойчивость таких диполей. Найдено, что зародыш эвтектического состава более устойчив по отношению к малым флуктуациям его формы, чем соответствующий однокомпонентный зародыш. Показано, что возмущения, приводящие к искажениям формы диполя, развиваются перпендикулярно оси, соединяющей центры зародышей разного состава (т. е. оси "диполя"). Это соответствует известным экспериментальным данным о слоистом строении эвтектических структур.

В рамках метода полуэмпирического атом-атомного потенциала для системы лантан--углерод исследована относительная устойчивость кристаллических фаз с содержанием металла до 33.3 at.%. Показано, что стабильность этих фаз зависит от стехиометрии, структуры решетки и степени ее упорядочения, а также от размера кристалла. Среди объемных фаз наибольшей стабильностью обладает фаза со структурой карбида кальция. Далее следуют фазы со структурой графитида металла и флюорита. В нанометровых слоях, включающих 1--4 монослоя, энергии образования графитида и карбида лантана сближаются. Это облегчает фазовый переход карбида в графитид, особенно в том случае, когда пленки соединений лантана с углеродом формируются на поверхности монокристаллического графита.

Построены координационные полиэдры для Pb в кристалле PbZrO3. Показано, что между смещениями ионов свинца и дипольными моментами, обусловливающими антисегнетоэлектричество, отсутствует геометрическое подобие, которое обычно допускается при расчетах относительной устойчивости антисегнетоэлектрической и сегнетоэлектрической фаз в чистом PbZrO3 и его твердых растворах. На основе современных данных об атомной структуре фаз с пространственными группами Pbam и Cm2m уточнены традиционные представления о дипольном мотиве этого кристалла. Показано, что в модели точечных диполей антисегнетоэлектрическая дипольная конфигурация энергетически выгоднее сегнетоэлектрической, что согласуется с условиями наблюдения обеих фаз.

Рассматриваются условия возникновения и область устойчивости магнитных неоднородностей типа статических солитонов в кристалле-пластине (001) с комбинированной анизотропией. Показано, что при учете размагничивающих полей пластины статические солитоны могут локализовываться на дефектах определенного типа при подходящих значениях параметров материала. Найдено, что область устойчивости солитонов ограничена двумя крайними значениями материальных параметров: при одних --- солитон неустойчив относительно коллапса, при других --- солитон расплывается. Получено также, что область устойчивости солитона значительно отличается от теоретически предсказанной в модели, не учитывающей конечности образца и наличия дефектов в нем.

Исследуется модель Хаббарда с бесконечным кулоновским отталкиванием в представлении многоэлектронных операторов. С использованием выражений для одночастичных функций Грина в первом порядке по 1/z построены картины плотности состояний. Проанализированы особенности ее поведения вблизи уровня Ферми, в частности кондовского типа. Исследована устойчивость насыщенного ферромагнетизма. Найдены соответствующие значения критической концентрации носителей тока для полуэллиптической и прямоугольной затравочной плотностей состояний, квадратной и кубических решеток. Проведено сравнение с результатами предыдущих работ.

Самосогласованным линейным методом МТ-орбиталей в приближении атомной сферы (ЛМТО--ПАС) проведен расчет электронной структуры дигидридов металлов IV группы в кубической и тетрагональной фазах. Исследовано влияние тетрагональной деформации и водородных вакансий на электронные характеристики. Получено удовлетворительное согласие с экспериментальными результатами по фотоэлектронным спектрам. Обсуждается природа неустойчивости высокотемпературной кубической фазы.

Осуществлено теоретико-полевое описание критического поведения слабо неупорядоченных систем с p-компонентным параметром порядка. Непосредственно для трехмерных систем в двухпетлевом приближении проведен ренорм-групповой анализ эффективного репличного гамильтониана модели с потенциалом взаимодействия, не являющимся реплично-симметричным. Для случая одноступенчатого нарушения репличной симметрии с применением техники суммирования Паде--Бореля выделены фиксированные точки ренорм-групповых уравнений. Их анализ выявил устойчивость критического поведения слабо неупорядоченных систем относительно эффектов нарушения репличной симметрии с реализацией прежнего сценария влияния дефектов структуры на критическое поведение данных систем. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16455).

Определены условия (зоны) параметрического возбуждения изгибных колебаний доменной границы (ДГ), движущейся под действием постоянного магнитного поля, которое превышает критическое значение Уокера (в прецессионном режиме). Колебания возбуждаются распадом однородной прецессии трансляционной моды, вызываемой магнитным полем. Численными методами показана возможность существования установившихся колебаний большой амплитуды, а также их значительное влияние на среднюю скорость ДГ.