Представлены результаты исследования зависимости спектров фотолюминесценции структур с самоорганизующимися островками GeSi/Si(001) от температуры осаждения Ge. Обнаружен немонотонный характер зависимости положения максимума пика фотолюминесценции от островков при понижении температуры осаждения Ge. Сдвиг пика фотолюминесценции от островков в область больших энергий при понижении температуры роста с 600 до 550oC связывается с происходящим в этом температурном интервале изменением формы островков, которое сопровождается резким уменьшением средней высоты островков. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16792), проекта INTAS NANO N 01-444 и программ Минпромнауки РФ.

Исследовались процессы образования основных радиационных дефектов в кремнии (A-, E-центры, комплексы Ci-Cs и Ci-Oi) в бездислокационных кристаллах и кристаллах с низким содержанием дислокаций (ND~=1· 104 см-2) в зависимости от концентрации кислорода NO. Особенности накопления и отжига радиационных дефектов, наблюдаемые в бездислокационном кремнии, интерпретированы с учетом наличия межузельных включений в объеме таких кристаллов. Установлено, что геттерирующие свойства включений сложным образом зависят от концентрации кислорода и максимально выражены при NO~= 3· 1016 см-3.

Исследованы спектры фотопроводимости и поглощения света в монокристаллах p-CdTe при различных обработках. Показано, что в механически полированных и пластически деформированных кристаллах фотопроводимость и край поглощения определяются нарушенным слоем. Выяснена роль дислокаций в формировании края поглощения и спектра фотопроводимости.

Анализ температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда в бездислокационном n-кремнии позволил сделать заключение о рекомбинационной активности ростовых микродефектов различных типов. Определены параметры основных рекомбинационных центров, связанных с микродефектами A- иB-типа.

Приведены результаты теоретического исследования предельных параметров (рабочей температуры, граничной частоты) и вольт-амперной характеристики одноэлектронных транзисторов на основе различных соединений металлов (Al/AlOx/Al, Al/SiO2/Al, Au/Al2O3/Au, Nb/Al2O3/Nb, Ti/TiOx/Ti, Cr/Cr2O3/Cr, Nb/NbOx/Nb). Сформулированы рекомендации по выбору материалоов и размеров структуры, которые могут использоваться на практике. Расчеты характеристик проводились с использованием созданного комплекса программ моделирования структур на эффекте одноэлектронного туннелирования SET-NANODEV по разработанным методике оценки предельных характеристик и двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора.

Представлена методика получения стекол Si20Te80 различного структурного совершенства. Получены данные об основных параметрах материала: показателе преломления, коэффициенте оптического поглощения, плотности, теплопроводности и теплоемкости. В широком интервале температур и частот исследованы электрические, акустические и акустооптические свойства, а также дисперсия оптического поглощения полученных сплавов. Проведен сравнительный анализ свойств термообработанных образцов с различными режимами закалки. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемых явлений. Показано, что синтезированный сплав является веcьма перспективным для изготовления высокоэффективных акустооптических устройств широкого применения. Разработан и испытан высокоэффективный акустооптический модулятор, работающий в широком диапазоне длин волн lambda=1.87-10.6 мкм.

Анализируются возможности применения технологии MASD (magnetron assisted silane decomposition) для осаждения пленок a-Si : H как базовых материалов для получения поликремния. Показано, как особенности структуры пленок влияют на эффект кристаллизации.

Впредыдущей работе авторов вформализме матрицы плотности построено квантовое кинетическое уравнение, описывающее затухание блоховских осцилляций видеальных сверхрешетках из квантовых точек различной размерности (1D, 2D, 3D) ивыявлены условия, когда единственным каналом рассеяния носителей на фононах вдвумерных(2D) и трехмерных(3D) сверхрешетках из квантовых точек, ответственным за затухание блоховских осцилляций, остается рассеяние на акустических фононах внутри поперечных минизон штарковской лестницы состояний носителей. Настоящая работа посвящена анализу возможностей подавления рассеяния вэтом канале. Показано, что время жизни блоховских осцилляций в двумерных и трехмерных сверхрешетках из квантовых точек при комнатной температуре может всотни раз превосходить период осцилляций, инайдены условия, при которых возможно столь сильное подавление рассеяния. Это существенным образом отличает сверхрешетки из квантовых точек от сверхрешеток из квантовых ям, где при комнатной температуре блоховские осцилляций затухают фактически за один период осцилляций.

Проведен теоретический анализ характеристик многоостровковых одноэлектронных цепочек взависимости от параметров конструкции, материалов, фонового заряда итемпературы окружающей среды спомощью разработанной модели, основанной на решении уравнения Пуассона ииспользовании метода Монте-Карло. Показано, что основным параметром, определяющим температурную стабильность эффекта кулоновской блокады, является высота потенциального барьера туннельных переходов. Исследования трех систем материалов (Co--Al--O; Au--Al2O3; Cr--Cr2O3) показало, что наиболее предпочтительны по рабочей температуре многоостровковые одноэлектронные цепочки на Co--Al--O, анаименее--- на Cr--Cr2O3.

Государственно-общественные основы системы социальной защиты различных слоев регионального социума: Автореф.дис. ...канд.социол.наук:22.00.04 / А. С. Плигузов; Морд.гос.ун-т. - Саранск, 2002. - 20с.