На основе экспериментальных наблюдений вводится классификация электрических разрядов в воздухе среднего и высокого давления в квазиоптических пучках электромагнитного излучения СВЧ-диапазона длин волн. Определяются диффузный и стримерный, надкритический, подкритический и глубоко подкритический типы. Для каждого типа разряда для двух длин волн электромагнитного поля выясняются области их реализации в зависимости от давления воздуха и уровня поля. PACS: 52.80.Pi

Зависимости акустопластического эффекта (АПЭ) и внутреннего трения от амплитуды колебательной деформации измерялись на различных стадиях деформирования монокристаллов примесного алюминия. Обнаружено, что АПЭ наблюдается не только в макропластической области диаграммы деформирования, но и при микропластическом деформировании на стадиях "упругого" нагружения и разгрузки. В процессе разгрузки знак эффекта меняется. Увеличение скорости деформирования приводит к усилению АПЭ и поглощения энергии ультразвуковых колебаний частотой около 100 kHz, вызывающих этот эффект. Делается вывод о том, что АПЭ как при макро-, так и при микропластическом деформировании обусловлен необратимым высокоскоростным движением дислокаций через дальнодействующие поля напряжений других дислокаций после прорыва через атмосферы Коттрелла.

Исследована медленная релаксация поляризации сегнетоэлектрика в слабом электрическом поле на примере кристаллов триглицинсульфата с различным состоянием доменной структуры и поверхности. Приводится описание установки, позволяющей регистрировать релаксацию в автоматическом режиме с рекордной точностью. Показано, что при условии малого изменения "степени метастабильности" структуры, изменение Delta P поляризации со временем t во всех случаях следует закону Delta P=C/(1+t/a)n, где параметры C, a, n зависят от состояния структуры и поверхности. В предположении независимости зародышей и их аддитивного вклада в общую поляризацию кристалла проведен феноменологический анализ экспериментальных данных и построены спектры распределения энергетических барьеров для доменных стенок. Выявлены особенности трансформации спектров при изменении характера доменной структуры, глубины рельефа поверхности и величины внешнего электрического поля.

Проведено электронно-микроскопическое изучение синтетических опалов, в регулярно расположенные пустоты которых введен теллур либо из расплава под давлением, либо из раствора. В первом случае выявлена трехмерная решетка из связанных друг с другом через мостики кластеров теллура. При переходе от одного к другому они сохраняют одну и ту же кристаллографическую ориентацию. Эти данные свидетельствуют о том, что при охлаждении объекта после введения теллура происходит его направленная кристаллизация, которая контролируется, возможно, каналами между кластерами. При втором способе введения теллура образуется неоднородная кластерная решетка: объемные кластеры вырастают не во всех пустотах. Поверхность большинства силикатных сфер покрыта тонким несплошным слоем теллура. Такая структура кластерной решетки обеспечивает нелинейную вольт-амперную характеристику объекта в целом. Продемонстрирована принципиальная возможность инженерии кластерных решеток, отличающихся структурными параметрами.

Построена теория оптической анизотропии и размерноквантованного эффекта Поккельса в структурах с квантовыми ямами CA/C'A'(001) с различным катионно-анионным составом, т. е. при C#C' и A#A'. Теория основана на обобщенном методе эффективной массы, в котором в граничных условиях для плавных огибающих учтено смешивание состояний тяжелых и легких дырок при нормальном падении дырки на интерфейс. Показано, что анизотропия поглощения при междузонных переходах возникает при различных коэффициентах смешивания tl-h в граничных условиях для правого (A-C') и левого (A'-C) интерфейсов. Проанализирован интерфейсный вклад в анизотропию, наведенную внешним электрическим полем, при совпадающих и несовпадающих разрывах зон на интерфейсах. Для оценки различия между коэффициентами tl-h (A-C') и tl-h (A'-C) использована микроскопическая модель сильной связи sp3s*.

Методом оптической спектроскопии с наносекундным разрешением изучено влияние предыстории (наличия примесей, термической обработки) кристаллов CaF2 на процессы создания автолокализованных экситонов (АЭ) под действием импульса ускоренных электронов. Обнаружено нарушение условия дисперсности создания АЭ в номинально чистом, термически необработанном кристалле. Показано, что исходные дефекты структуры играют определяющую роль при создании первичной дефектности. Построена модель радиационного разупорядочения реального кристалла флюорита. Прослежена аналогия с процессами примесного и термического разупорядочения.

Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов из монокристаллов триглицинсульфата, номинально чистых и легированных примесями ионов Cr3+. Исследована связь между основными параметрами процессов переключения и эмиссии электронов из сегнетоэлектриков коэрцитивным полем и пороговым полем возникновения эмиссии. Показано, что температурные и концентрационные зависимости порогового поля могут быть объяснены соответствующими зависимостями коэрцитивного поля.

Предлагается кластерный механизм синтеза алмазов, основанный на представлениях о колебательном взаимодействии объектов с аномально высокой дебаевской температурой. Полученные оценки размеров кристаллов находятся в соответствии с данными экспериментов по динамическому и статическому синтезу алмазов из различных твердых форм углерода: органических веществ, наноалмазов, фуллерита, графита, нанотруб. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и технологии Российской Федерации по проекту ГНТП "Новые материалы", направление "Сверхтвердые материалы", в 1999 г.

Методами термодесорбционной спектрометрии и Оже-электронной спектроскопии исследована кинетика адсорбции европия на грани W(100) с различной степенью окисления. Термодесорбционный спектр атомов Eu с грани W(100) состоит из трех последовательно заполняющихся фаз десорбции, энергия активации десорбции в которых уменьшается от 3 до 2.1 eV с ростом степени покрытия. Термодесорбционный спектр атомов Eu с грани W(100), покрытой моноатомной пленкой кислорода, содержит пять последовательно образующихся фаз десорбции, причем энергия активации десорбции в высокотемпературной фазе увеличивается до 4 eV. Окисленный W восстанавливается европием, и десорбция окислов W заменяется десорбцией окисла EuO. Адсорбированная пленка Eu на вольфраме после заполнения монослоя растет в виде трехмерных кристаллитов. С увеличением степени окисления W уменьшается неоднородность роста пленки Eu, и на объемных окислах W растет сплошная пленка Eu, полностью экранирующая Оже-сигнал вольфрама. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17972) и в рамках Российской государственной программы "Поверхностные атомные структуры" (проект N 4.5.99).

Проведено сравнительное исследование методов очистки одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ), полученных электродуговым синтезом. Методы очистки включали: окисление исходного материала на воздухе при различных температурах, обработку и/или окисление растворами неорганических кислот, микрофильтрацию суспензии исходного и/или окисленного материала, а также различные комбинации этих методов. Чистота полученных ОУНТ характеризовалась методом спектроскопии комбинационного рассеяния. Показано, что наилучшие результаты дает метод очистки, включающий следующие последовательные стадии: обработка и окисление исходного материала в азотной кислоте, микрофильтрация суспензии окисленного материала в водном растворе поверхностно-активных веществ через трековые мембраны, сушка, окисление на воздухе и отжиг в вакууме при различных температурах. Чистота полученных ОУНТ достигала 70--80 wt.%. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проекты N 00-03-32086, 01-02-17358), МНТЦ-1400, ГНТП "Фуллерены и атомные кластеры" и ИНТАС.