Приводятся фотографии импульсных СВЧ разрядов инициированных металлическим шаром, помещенным в фокус квазиоптического электромагнитного пучка с линейной поляризацией поля в воздухе, элегазе, водороде и гелии при давлении в несколько сотен Torr. Отмечаются общие черты в этих газах и их характерные особенности.

Приведены результаты экспериментальных исследований монокристаллов арсенида галлия ориентации (100), (311)A, (211)A, (111)A и (221)A, легированных ионами кремния на установке "Иолла-3М" при комнатной температуре (энергия ионов 75 keV, плотность ионного пучка 1 muA/cm2, доза имплантации 1.2·103 cm-2) и отожженных на установке "Импульс-5" при температуре 950oC. Методами комбинационного рассеяния света и низкотемпературной фотолюминесценции установлено, что наибольшая электрическая активность имплантированного кремния при одинаковых условиях имплантации и отжига реализуется для (100) и (311)A ориентации арсенида галлия. При этом создаются слои n-типа проводимости.

Обсуждается зависимость коэффициента обратного рассеяния первичных электронов от их энергии и от порядкового номера элемента Z. На основе использования амплитуды волновой функции, полученной в первом боновском приближении, и модели атома Томаса--Ферми вычислены значения постоянной экранирования атомными электронами электрического поля ядра. Проведено сравнение теоретически вычисленных интегральных коэффициентов обратного рассеяния первичных электронов с экспериментальными в интервале 12

На основе анализа спектров квазаров получены наиболее надежные ограничения на возможное изменение постоянной тонкой структуры alpha и отношения массы протона к массе электрона mu в ходе космологической эволюции от эпохи, соответствующей космологическому красному смещению z~ 2.8 (т. е. ~ 1010 лет назад), до современной эпохи (z=0): |alpha/alpha|< 2· 10-14 yr-1 и |mu/mu|

Проведен теоретический анализ электрических характеристик квантовых интерференционных T-транзисторов на материалах GaAs, InAs, InSb, Si с учетом зависимости эффективных масс от размеров квантовой проволоки. Показано, что при экстремально малых размерах проволоки ни один из материалов не будет иметь существенных преимуществ перед другими по частотным характеристикам исследованных транзисторов.

Проведен анализ процессов макроскопического проникновения электромагнитного поля внутрь сверхпроводящих сред с различными типами вольт-амперных характеристик, индуцированного изменяющимися внешним магнитным полем или транспортным током. Показано, что даже при наличии в сверхпроводнике конечного электрического напряжения, возникающего задолго до критического тока, магнитный поток, как и в модели критического состояния, проникает в сверхпроводник с конечной скоростью в виде характерной электромагнитной волны. На ее фронте выполняется особое условие --- плавный переход напряженности электрического поля, индуцированного каким-либо внешним возмущением, к соответствующему невозмущенному значению. Записаны формулы для расчета скорости проникновения электромагнитного поля внутрь сверхпроводника. Для подтверждения сформулированных закономерностей выполненное исследование сопоставлено с соответствующими численными расчетами.

Проведен расчет энергий пиннинга плоских (ламинарных) вихрей в трехмерной джозефсоновской среде, основанный на модели непрерывного вихря для двух видов функции V(varphi): V=1-cos varphi и V=2/pi4varphi2(2pi-varphi)2. Предложен алгоритм точного численного решения системы разностных уравнений для нахождения формы и энергии вихря в его устойчивом и неустойчивом состояниях. Значения магнитной и джозефсоновской энергий вихря оказываются различными. Магнитная и джозефсоновская компоненты энергии пиннинга близки по величине и имеют разные знаки, так что суммарная энергия пиннинга на порядок меньше ее составляющих. Проведен теоретический анализ, подтвердивший эти закономерности. Предложен метод аналитического расчета в модели непрерывного вихря, сохраняющий разностные члены в выражении для энергии. При расчете по этому методу магнитная энергия отличается по величине от джозефсоновской энергии, а магнитная компонента энергии пиннинга противоположна по знаку джозефсоновской. Проведен сравнительный анализ возможностей расчета энергий на основе приближенных подходов в модели непрерывного вихря при сохранении разностных членов и их замене на производные, показавший, что модель непрерывного вихря не дает правильных значений джозефсоновской и магнитной составляющих энергии пиннинга. Точные значения этих величин в десятки и сотни раз больше значений, полученных на базе модели непрерывного вихря. Несмотря на это, вследствие различия знаков джозефсоновской и магнитной составляющих энергии пиннинга точные значения суммарной энергии пиннинга несущественно отличаются от результатов применения модели непрерывного вихря.

Проведены исследования эрозии поверхности различных сортов вольфрама под воздействием мощных импульсных потоков плазмы, имитирующих срывы плазмы. На примерах поликристалла (W-13I) и монокристалла вольфрама (грань (111)) сравниваются распределения продуктов эрозии, собранные под разными углами от мишени, по размерам. Наблюдалась характерная капельная эрозия поверхности. Мелкие капли или возвращаются на поверхность или отлетают параллельно поверхности. Крупные капли отлетают ближе к нормали к поверхности. У монокристалла вольфрама отсутствуют мелкие, размером менее 0.125 mum капли характерные для поликристаллических вольфрамов. Эрозия монокристалла вольфрама наименьшая из исследованных сортов вольфрама.

Методом Z-scan исследована динамика нелинейной восприимчивости chi(3) (-omega;omega,omega,-omega) и нелинейного показателя преломления коллоидного серебра с ростом степени агрегации в поле пикосекундного и наносекундного излучения (lambda=1064 nm). chi(3) агрегированного серебра, обусловленная керровской нелинейностью и тепловой самофокусировкой, она составила -1.5·10-14 CGSE и -4.4·10-11 CGSE. Представлены результаты исследования временной динамики прохождения лазерного излучения наносекундной длительности через коллоидный раствор.

Методами электронной микроскопии изучена структура нанокластеров углеродной сажи, осажденной на зонд в различных областях дугового разряда при испарении графита в условиях синтеза фуллеренов. Установлено, что пространственная сетка нанокластеров сажи образована чередующимися областями повышенной плотности или ассоциатами углеродных частиц. Обнаружено два типа нанокластеров с корреляционным радиусом ассоциатов, равным 0.6--0.8 и 1.6--2.2 nm соответственно. Нанокластеры первого типа составляют основу микрочастиц сажи и их структура практически не меняется с увеличением расстояния r сажесборника от оси разряда в исследованном диапазоне значений r=1-9 cm. Рассчитанный на основе скейлинговых соотношений эффективный радиус R0 \glqq элементарных\grqq частиц, формирующих ассоциаты в нанокластерах сажи первого типа, составляет 0.15--0.17 nm и близок по величине к газокинетическому радиусу атомов углерода. Нанокластеры второго типа обнаружены в саже при r>3 cm. Рассчитанная для них величина R0 составляет 0.6--0.9 nm и уменьшается с увеличением r, что позволяет предположить присутствие в таких нанокластерах ассоциатов молекул фуллерена.