Разработана общая теория параметрической связи волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с дрейфующими носителями заряда, применимая, в частности, для полупроводников типа n-GaAs и n-InP с отрицательной дифференциальной проводимостью, обусловленной междолинными электронными переходами в сильных электрических полях. В основу предложенного подхода положена электродинамическая теория возбуждения волноводов сторонними токами, обобщенная на случай произвольных волноведущих структур со сложными активными средами. Теория позволяет изучать параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в полупроводниковых пленках с учетом реальных условий на их границах, диффузии, анизотропии и частотной дисперсии дифференциальной подвижности электронов, а также с учетом многочастотного и многомодового характера волнового процесса в тонкопленочных структурах.
Барыбин А.А., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 2, Стр. 48

На основе волнового подхода впервые получено точное дисперсионное уравнение для волноводных мод 4-слойной планарной структуры с экспоненциальным профилем диэлектрической проницаемости волноводного слоя. Установлена периодичность модовых характеристик от толщины покровного слоя. Исследуется зависимость распределения энергетических потоков различных мод в волноводной структуре от толщины покровного и волноводного слоев.
Шутый А.М., Семенцов Д.И., Казакевич А.В., Санников Д.Г. Волноводные режимы градиентного планарного волновода с покровным слоем // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 11, Стр. 74

Развивается и уточняется предложенная ранее модель процессов, имеющих место в нано-МИМ (металл--изолятор--металл) диоде с углеродистой активной средой. Учет эффектов перколяции в изолирующем зазоре приводит к качественно новым результатам и обеспечивает лучшее совпадение расчетов с экспериментальными данными при физически разумных значениях всех параметров. Анализ модели позволил выделить в механизме, заложенном в ее основу, два различных элемента, существенных для понимания сути процессов, происходящих в электроформованном нано-МИМ диоде с углеродистой активной средой: наличие внутренней отрицательной обратной связи в структуре и модуляции параметров потенциального барьера на катоде, которые различным образом проявляются в наблюдаемых характеристиках МИМ структур.
Мордвинцев В.М., Левин В.Л. Модель проводимости нано-МИМ диода с углеродистой активной средой с учетом эффектов перколяции // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 11, Стр. 66

Исследовано влияние длительной работы и температуры на спектральное распределение квантового выхода карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя. Обнаружен закономерный характер изменения спектра светодиодов в процессе их длительной работы. Выявлено значительное влияние самопоглощения и температурного сдвига полос на спектральное распределение температурного коэффициента излучения. Определены условия получения максимально стабильных светодиодов, которые возможно использовать в качестве образцовых излучателей для видимой области спектра.
Генкин А.М., Генкина В.К., Гермаш Л.П. Влияние длительной работы и температуры на спектры карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 10, Стр. 69

Приведены результаты исследования кремниевого двухэмиттерного тензотранзистора. Тензотранзистор относится к тензочувствительным полупроводинковым приборам с горизонтальной структурой и внутренним дифференциальным выходом. Определены оптимальная топология прибора и его основные характеристики. Показано, что коэффициент переноса транзистора близок к единице.
Бабичев Г.Г., Козловский С.И., Романов В.А., Шаран Н.Н. Кремниевый двухэмиттерный дифференциальный тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 10, Стр. 63

Реализован метод исследования спектра поверхностных состояний на границе раздела полупроводник--диэлектрик по релаксации напряжения на затворе МДП транзистора, измеряемого в режиме постоянного подпорогового тока. Предлагаемый метод обеспечивает возможность исследования этих состояний в обеих половинах запрещенной зоны полупроводника и удобен для тестового контроля интегральных схем. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения радиационно-стимулированных изменений спектра поверхностных состояний.
Левин М.Н., Бормонтов Е.Н., Татаринцев А.В., Гитлин В.Р. Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП транзистора // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 8, Стр. 60

Выполнен анализ распределения напряженности электрического поля структур, образуемых в диэлектрической среде точечными и нитевидными диполями. Предположены формулы расчета и приведены результаты вычислений.
Волокобинский М.Ю., Ястребов А.С. Электрические поля дипольных структур // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 7, Стр. 77

Исследуется диффузия золота в германии под воздействием энергии, выделяющейся при рекомбинации атомов водорода в молекулы. Кристаллы германия n-типа с пленками золота (d=1· 10-7 m) подвергались воздействию атомарного водорода в течение различного времени (до 104 s) при температурах, близких к комнатной. Диффузия золота в германии исследовалась методом лазерной масс-спектрометрии, а также путем измерения поверхностного сопротивления, времени жизни неосновных носителей заряда и спектров пропускания в ИК области. Предложены механизмы стимулирования гетеродиффузии и сопутствующих процессов.
Матюшин В.М. Низкотемпературная диффузия золота в германии под воздействием атомарного водорода // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 7, Стр. 73

Плоские дислокационные скопления (ПДС) и сегменты криволинейных дислокаций (СКД) рассматриваются как индикаторы локальных полей сдвиговых упругих напряжений (ЛПУН), существовавших в выращиваемых монокристаллах в момент стабилизации их дислокационной структуры. Расчеты по теории дислокаций с использованием экспериментально измеренных по рентгенотопограммам (Ланга и РПКИ) параметров ПДС и СКД дали величины ЛПУН в диапазоне 0.2-1.5· 106 Pa для тонких пластинок монокристаллов SiC (6H), выращенных методом сублимации в графитовом контейнере. Обнаружен сильный неоднородный изгиб пластинок монокристаллов, для исследования дислокационной структуры которых рентгенотопографический метод РПКИ вследствие его малой чувствительности к изгибу предпочтительнее метода Ланга.
Кузнецов Г.Ф. Количественный рентгенотопографический анализ дефектов монокристаллов 6H--SiC и гомоэпитаксиального карбида кремния // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 7, Стр. 64

Обсуждаются возможности использования сегнетоэлектрических материалов для создания новых поколений интегральных схем динамической памяти с высокой плотностью записи (до 1 Gbit на одном кристалле). Рассмотрено соответствие удельной емкости и токов утечки тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторов требованиям для интегральных схем с различной информационной емкостью. Показано сильное влияние вольт-фарадной зависимости сегнетоэлектрика на удельную емкость и скорость снижения напряжения на конденсаторах при их разряде в процессе хранения информации. Рассматриваются перспективы повышения удельной емкости конденсаторов памяти при использовании релаксорных сегнетоэлектриков.
Гольцман Б.М., Ярмаркин В.К. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 5, Стр. 89