Разработана физико-математическая модель для расчета динамики электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых прерывателях сверхплотных токов. Модель учитывает реальный профиль легирования полупроводниковой p+-p-n-n+-структуры и следующие элементарные процессы в электронно-дырочной плазме: диффузию и дрейф носителей тока в сильных электрических полях, рекомбинацию на глубоких примесях и оже-рекомбинацию, а также ударную ионизацию в плотной плазме. Расчет электрической схемы накачки прерывателя основан на решении уравнений Кирхгофа. На основании модели проанализировано движение плазмы в полупроводниковой структуре. Показано, что при сверхвысоких уровнях накачки обрыв тока в прерывателе происходит в высоколегированных областях p+-p-n-n+-структуры и связан с насыщением скорости дрейфа частиц в сильных электрических полях.
Дарзнек С.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н. Динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых прерывателях сверхплотных токов // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 10, Стр. 64

Приведены результаты экспериментальных исследований и анализа температурных зависимостей тока термостимулированной деполяризации в оксидно-цинковой керамике для высоковольтных варисторов. Предложена модель деполяризационных явлений, учитывающая перезаряд локализованных электронных состояний по обе стороны межкристаллитного потенциального барьера. На ее основе получены оценки энергии ионизации и концентрации объемных мелкого (~0.07 eV, 1·1017 cm-3), более глубокого (~0.2 eV, 1·1018 cm-3) и поверхностного локализованного (~0.1 eV, 1·1013 cm-2) уровней.
Тонкошкур А.С., Клименко В.И., Гомилко И.В. Особенности термодеполяризационных явлений в оксидно-цинковой керамике для варисторов // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 10, Стр. 60

Рассмотрены две модели процесса туннельной перезарядки приграничных состояний, заглубленных в диэлектрик. В одной из них пространственное распределение этих состояний считается однородным, в другой объемная плотность ловушек экспоненциально спадает с глубиной. Получены аналитические выражения для ширины и положения максимума кривых нормированной проводимости в обеих моделях, показаны их точность и ограничения. Предложена новая методика исследования приграничных состояний методом адмиттанса, использующая G-V-характеристики структур металл--диэлектрик--полупроводник (МДП), снятые на фиксированной частоте.
Бормонтов Е.Н., Лукин С.В. Исследование приграничных состояний в МДП структурах одночастотным методом адмиттанса // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 10, Стр. 55

Рассчитана зависимость распределения напряженности неоднородного электрического поля в квадрупольном электрооптическом дефлекторе, свойста среды которого одновременно описываются непропорциональными друг другу тензорами диэлектрической проницаемости и проводимости, от фазы переменного управляющего напряжения. Показано, что возникающий в таком случае объемный электрический заряд сдвинут по фазе относительно управляющего напряжения. Результаты вычислений сравниваются с экспериментальными данными.
Крылов Б.В., Лепарский В.Е. Квазистатическое неоднородное электрическое поле в слабопроводящей анизотропной среде // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 10, Стр. 51

Исследованы линейные и нелинейные свойства поликристаллических пленок селенида цинка в зависимости от условий их осаждения. Показана корреляция величины комплексного нелинейного показателя преломления и размеров кристаллитов в осаждаемой пленке, что позволяет рассматривать локализацию электронов на поверхностных состояниях кристаллитов как возможный механизм оптической нелинейности в пленках селенида цинка при их возбуждении в полосе прозрачности на длине волны 633 нм.
Хомченко А.В. Структура и нелинейные оптические свойства пленок селенида цинка // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 9, Стр. 60

Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней изучено влияние введения кислорода в газовую фазу на образование дефектов в эпитаксимальных слоях GaP. Обсуждены экстремальные зависимости концентрации носителей заряда и ловушки для электронов с энергией Ec-0.24 эВ от потока кислорода.
Сказочкин А.В., Бондаренко Г.Г., Крутоголов Ю.К., Майор В.И., Кунакин Ю.И., Матяш А.А. Дефектообразование в фосфиде галлия, выращенном в присутствии кислорода // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 9, Стр. 52

Проведено моделирование процесса формирования упругонапряженных гетерокомпозиций типа InAs1-x-ySbxBiy/InSb и InAs1-x-ySbxBiy/InSbyBiy методом "капиллярной" ЖФЭ. Выявлены закономерности изменения ширины запрещенной зоны Eg и толщины d эпитаксиальных слоев от условий проведения процесса. Показано, что вследствие резкого возрастания скорости эпитаксиального осаждения с повышением температуры ЖФЭ успешный рост эпитаксиальных слоев докритической толщины возможен лишь до T
Акчурин Р.Х., Комаров Д.В. Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом жидкофазной эпитаксии . II. Моделирование процесса создания гетерокомпозиций на основе твердых растворов системы индий--мышьяк--сурьма--висмут // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 7, Стр. 50

Проанализированы проблемы формирования многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом "капиллярной" жидкофазной эпитаксии с принудительной гидравлической сменой растворов в ростовом канале. Показано, что при малых временах контакта растворов с поверхностью кристаллизации характер их течения в канале играет важную роль в достижении однородности физических характеристик наращиваемых слоев. На примере ряда систем АIII--BV произведены расчетные оценки гидродинамической устойчивости растворов при движении в тонких каналах. Разработана расчетная модель, позволяющая моделировать условия создания упругонапряженных гетерокомпозиций. Она включает в себя учет диффузионного и конвективного массопереноса в жидкости при различных режимах ее течения в капилляре и эффекта смещения гетерогенных равновесий в системе под влиянием упругих напряжений.
Акчурин Р.Х., Комаров Д.В. Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом жидкофазной эпитаксии . I. Теоретические аспекты проблемы и расчетная модель // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 7, Стр. 42

Обоснована правомочность двумерного описания переноса инжектированных носителей в базах дрейфовых инжекционных магниточувствительных структур. На основе рассмотрения распределения электрического потенциала в приэмиттерной области базы предложены две модели эмиттера таких структур. Получен критерий выбора одной из этих моделей в зависимости от конструкционно-технологических параметров и электрического режима структур.
Глауберман М.А., Егоров В.В., Канищева Н.А., Козел В.В. Особенности двумерного моделирования дрейфовых инжекционных магниточувствительных структур // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 7, Стр. 39

Исследованы структурные, электрические, оптические и теплофизические свойства тонких поликристаллических пленок перспективного для изготовления солнечных элементов тройного полупроводника CuInSe2. Тонкие пленки получены термическим испарением порошков CuInSe2 и Se из двух автономных источников и осаждением в замкнутой ячейке (квазиравновесное осаждение) в высоком вакууме. Проанализировано влияние отжига на воздухе на параметры тонких пленок и динамику изменения свойств пленок от длительности отжига. Приведены температурные зависимости электропроводности, подвижности, теплопроводности тонких пленок CuInSe2, спектральная зависимость фототока короткого замыкания фоточувствительной структуры Au--CuInSe2--Au.
Магомедов М.-Р.А., Амирханова Дж.Х., Исмаилов Ш.М., Хохлачев П.П., Зубайруев Р.З. Влияние термообработки на электрофизические свойства тонких пленок диселенида меди и индия // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 3, Стр. 34