Предложена новая модель высокоэнергетической ионной имплантации, основанная на использовании уравнения Фоккера--Планка. Разработан эффективный алгоритм адаптивного типа для численного решения задачи. Проведено моделирование имплантации B в Si в области энергий от 10 до 100 МэВ. Получено хорошее согласование с экспериментальными данными и результатами моделирования методом Монте-Карло.
Комаров Ф.Ф., Мозолевский И.Е., Матус П.П., Ананич С.Э. Распределение внедренной примеси и выделенной энергии при высокоэнергетической ионной имплантации // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 1, Стр. 61