Впервые показана возможность активации поверхности полупроводников, проявляющейся в долговременном изменении адсорбционной способности в результате кратковременного воздействия импульсного магнитного поля. Магнитоиндуцированная активация поверхности исследована на кристаллах кремния, германия и арсенида галлия. Обнаруженный эффект расширяет возможности технологических процессов формирования на поверхности полупроводниковых кристаллов тонких пленок.
Левин М.Н., Татаринцев А.В., Косцова О.А., Косцов А.М. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 10, Стр. 85

Развивается подход, описывающий влияние термоэлектрических эффектов и граничных условий на теплопроводность гетерогенных систем. Показано, что при определенной геометрии гетерогенной структуры заметное влияние на эффективную теплопроводность оказывают возникающие в системе циркуляционные электрические токи, причем максимальное увеличение теплопроводности за счет влияния циркуляционных токов следует ожидать в гетерогенных полупроводниках и полуметаллических системах с разными по знаку термоэлектродвижущими силами.
Крюк В.В., Молодцев Д.А., Пилюгин А.В., Повзнер А.А. Влияние циркуляционных токов на теплопроводность гетерогенных систем // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 8, Стр. 78

Исследована зависимость оптических и электрических свойств золотых пленок толщиной от менее 1 до 8 nm, полученных методом ионно-лучевого распыления с использованием ионов аргона и кислорода. Показано, что свойства пленок не зависят от типа применявшихся для распыления ионов. Установлено, что пленки толщиной от 1 до 5 nm являются сплошными и обладают высокой прозрачностью. Получены методом ионно-лучевого распыления ионами кислорода омические контакты NiOx/Au к p-GaN.
Стогний А.И., Новицкий Н.Н., Тушина С.Д., Калинников С.В. Получение методом ионно-лучевого распыления кислородом и оптические свойства ультратонких пленок золота // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 6, Стр. 86

Исследована структура и инфракрасное поглощение в слоях кубического карбида кремния (beta-SiC), сформированных путем непрерывной высокодозной имплантации ионов углерода (C+) в кремний (E=40 keV, D=5·1017 cm-2) с последующей обработкой имплантированных слоев мощным наносекундным импульсным ионным пуском (С+, tau=50 ns, E=300 keV, W=1.0-1.5 J/cm2). Просвечивающая электронная микроскопия и электронная дифракция свидетельствуют о формировании крупнозернистого поликристаллического слоя beta-SiC с размером зерна до 100 nm. Характерной особенностью сформированных слоев является дендритная поверхностная морфология, что объясняется кристаллизацией из расплава, сильно переохлажденного относительно точки плавления beta-SiC.
Баязитов Р.М., Хайбуллин И.Б., Баталов Р.И., Нурутдинов Р.М. Формирование слоев кубического карбида кремния на кремнии непрерывными и импульсными пучками ионов углерода // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 6, Стр. 82

Проведен теоретический и экспериментальный анализ температурных полей при импульсном токовом нагреве дорожки металлизации на поверхности полупроводниковой пластины. Показано, что любые скачкообразные изменения мощности нагрева возбуждают в пластине изгибные колебания, амплитуда которых в пределах области безопасной работы полупроводниковой структуры пропорциональна величине скачка. Найден коэффициент затухания всего волнового пакета Gamma=1103 s-1 и различных частотных составляющих возбуждаемого излучения для кремниевой пластины толщиной 300 mum.
Орлов А.М., Скворцов А.А., Литвиненко О.В. Генерация изгибных колебаний полупроводниковых пластин локальными тепловыми источниками // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 6, Стр. 76

Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя.
Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Левичев С.Б., Байдусь Н.В. Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 5, Стр. 69

Предложен новый тип линии задержки, предназначенный для задержки солитонных импульсов. В качестве нелинейной среды взята полупроводниковая сверхрешетка. Солитоны, распространяющиеся вдоль слоев сверхрешетки, запираются в ячейках ограниченными поперечными слоями неоднородности. Запирание и извлечение солитона производятся с помощью внешнего электрического тока, включенного внутри ячейки.
Крючков С.В., Капля Е.В. Солитонная линия задержки на основе полупроводниковой сверхрешетки // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 5, Стр. 53

Выращены тонкие пленки GaN на монокристаллических (001) подложках GaAs путем обработки последних в активных радикалах азота. С примерением вторичной оже-спектроскопии проанализированы профили распределения атомов основных химических элементов, входящих в состав соединений эпитаксиальной пленки GaN и монокристаллической подложки GaAs. Обнаружена существенная нестехиометрия состава пленки GaN на поверхности --- избыток азота (~9%), обусловленная присутствием в разрядной камере атомарного азота. Исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев путем применения высокоразрешающей рентгеновской дифрактографии. Показано, что низкотемпературные процессы (температуры отжига меньше 700oC) способствуют формированию кубической структуры тонких пленок GaN на (001) поверхности кубического GaAs, а более высокотемпературные процессы --- гексагональной.
Сукач Г.А., Кидалов В.В., Котляревский М.Б., Потапенко Е.П. Структура и состав пленок нитрида галлия, полученных путем обработки монокристаллов арсенида галлия в атомарном азоте // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 4, Стр. 59

Предложена новая конструкция спинового транзистора на основе ферромагнитных полуметаллов, называемого спиновым полуметаллическим транзистором, и теоретически исследованы его вольт-амперные характеристики. Новое устройство подобно биполярному транзистору способно усиливать ток. В то же время свойства спинового полуметаллического транзистора кардинально зависят от взаимной ориентации намагниченностей трех его контактов. Также в работе предложен F\uparrow-F\downarrow-переход. Это устройство состоит из двух однодоменных полуметаллических частей с противоположными направлениями намагниченности. В некотором диапазоне напряжений вольт-амперные характеристики F\uparrow-F\downarrow-перехода и полупроводникового диода схожи между собой. Исследовано поведение F\uparrow-F\downarrow-перехода при различных условиях.
Звездин А.К., Мищенко А.С., Хвальковский А.В. Вольт-амперные характеристики спинового полуметаллического транзистора // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 4, Стр. 53

Показано, что в гетерогенных полупроводниковых материалах возбуждение электронной подсистемы приводит к геттерированию (аккумуляции) дефектов в областях с малым коэффициентом их диффузии. Это связано с тем, что широкозонная (рабочая) область материала приобретает повышенный коэффициент диффузии, а в узкозонной (области стоков) он остается низким. Рассматриваемое явление приводит к повышению радиационной стойкости гетерогенного материала. Полученный результат проиллюстрирован на примере системы CdS--PbS, образующей ограниченный ряд твердых растворов.
Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 2, Стр. 93