В интервале температур 213-353 K исследован ферромагнитный резонанс в феррогранатовых пленках Y3Fe5-xGaxO12 (0=< x=< 0.63), полученных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) на подложках из галлий-гадолиниевого граната. Установлено, что при ЖФЭ коэффициент распределения галлия в пленках изменяется в пределах от 2.2 до 4.0 в зависимости от состава и условий выращивания. Установлена возможность температурной стабилизации резонансных магнитных полей за счет температурных изменений намагниченности насыщения и поля анизотропии.
Ющук С.И., Костюк П.С., Лопатинский И.Е. Феррогранатовые пленки с повышенной термостабильностью магнитных параметров // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 9, Стр. 46

На основе кривых дифракционного отражения и трехкристальных спектров проведен анализ структурных нарушений монокристаллов Si. Рассчитано относительное изменение периода решетки, распределение его по глубине, определен тип возникающих дефектов и поведение имплантированной примеси в результате термического отжига.
Петраков А.П., Тихонов Н.А., Шилов С.В. Анализ структурных нарушений имплантированных бором монокристаллов кремния по результатам двух- и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 6, Стр. 91

Поставлены и решаются две задачи: диффузия в двухфазной системе с движущейся границей раздела и учет конечной скорости реакции при образовании новой фазы. Для нахождения численных решений использован вариационный метод, что имеет ряд преимуществ для практики.
Зон Б.А., Ледовский С.Б., Лихолет А.Н. Моделирование некоторых гетерогенных процессов полупроводниковой технологии // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 4, Стр. 75

В работе исследуется влияние электронного облучения на светоизлучающие свойства пористого кремния (ПК) p- и n-типа, приготовленного электрохимическим травлением. Определены дозовые и энергетические зависимости электронностимулированного гашения фотолюминесценции (ФЛ). Показано, что электронная обработка поверхности ПК и последующее длительное хранение на воздухе могут быть использованы для стабилизации ФЛ. Впервые обнаружен эффект возгорания фотолюминесценции под действием УФ лазера на участках ПК, подвергшихся предварительной электронной обработке. Исследовано влияние энергии электронов и мощности лазерного луча на этот процесс. Представленные результаты объясняются изменением количества центров излучательной рекомбинации в процессе разрушения и восстановления водородных групп на поверхности пор.
Костишко Б.М., Орлов А.М. Влияние последовательного электронного и лазерного облучения на фотолюминесценцию пористого кремния // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 3, Стр. 58

Исследованы характеристики ионного и электронного потоков на поверхность растущей пленки кремния в различных режимах высокочастотного разряда в силане при частотах 13.56 и 58 MHz в установке для плазмохимического осаждения пленок. Измерены энергетические спектры ионов и электронов, бомбардирующих растущую пленку. Исследованы электронные свойства пленок, выращенных при различной ионной бомбардировке. Обсуждается корреляция этих свойств с параметрами ионов в плазме высокочастотного разряда в процессе роста пленок.
Абрамов А.С., Виноградов А.Я., Косарев А.И., Смирнов А.С., Орлов К.Е., Шутов М.В. Исследование ионной бомбардировки пленок аморфного кремния в процессе плазмохимического осаждения в высокочастотном разряде // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 2, Стр. 52

Исследовались особенности контактообразования в системе NbN--GaAs при изменении структурно-фазового состояния металлического конденсата. Показано, что роль химического фактора в процессах контактообразования снижается с возрастанием степени структурного совершенства сплава NbN. Обсуждаются причины соответствующих изменений в электронной структуре границы раздела, вызванных фазовым переходом NbN--Nb4N3. До и после отжига в вакууме при T=850oC в течение 10 s измерены оже-спектры и вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики поверхностно-барьерных структур NbN--GaAs.
Беляев А.А., Готовы И., Венгер Е.Ф., Ляпин В.Г., Конакова Р.В., Миленин В.В., Тхорик Ю.А., Кашин Г.Н. Связь электронных свойств границы раздела фаз с межфазными взаимодействиями в гетероструктурах NbN--GaAs // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 1, Стр. 63

Исследована анизотропия поверхностных плазмон-фононных поляритонов первого и второго типов гексагональной окиси цинка при разных концентрациях электронов и ориентациях оси C кристалла относительно его поверхности. Показано, что при концентрации электронов больше 2·1018 cm-3 в ZnO при K normal C и xy normal C генерируются поверхностные плазмон-фононные поляритоны третьего типа. Рассчитан спектр ППФП 3-го типа и определены условия существования поверхностных плазмон-фононных поляритонов третьего типа в монокристаллах ZnO.
Мельничук А.В., Мельничук Л.Ю., Пасечник Ю.А. Поверхностные плазмон-фононные поляритоны гексагональной окиси цинка // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 1, Стр. 58

Рассмотрено влияние внешнего поля на величину потенциальных барьеров и рельеф потенциала вблизи заряженных границ раздела кристаллитов в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках. Показана зависимость этого влияния от взаимного направления внешнего поля и поляризованности в объеме сегнетоэлектрика. Показано, что возникновение различного типа нелинейных зависимостей тока от напряжения в поликристаллических сегнетоэлектриках можно объяснить переносом носителей заряда в поле потенциальных барьеров с различным рельефом.
Павлов А.Н., Раевский И.П. Варисторный эффект в полупроводниковой сегнетокерамике // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 21

В сверхвысоком вакууме получены слоистые структуры FeNi--Cu--FeNi со взаимно перпендикулярными ориентациями осей легкого намагничивания в слоях FeNi и исследованы их физические свойства: ферромагнитный резонанс, квазистатическое перемагничивание, фарадеевское вращение плоскости поляризации световой волны.
Кононов В.П., Худяков А.Е., Морозова Т.П., Чернов В.К., Пискунов О.Н., Жигалов В.С., Бондаренко Г.В., Эдельман И.С., Овчинников С.Г. Сэндвичи пермаллой--медь--пермаллой со взаимно перпендикулярными осями анизотропии в магнитных слоях // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 11, Стр. 45

На основе анализа имеющихся экспериментальных данных, а также предложенных механизмов и моделей процессов, имеющих место при электроформовке структуры металл--изолятор--металл, делается вывод, что она включает следующие две стадии: образование углеродистой проводящей среды из органических молекул за счет протекания тока в изолирующей щели и самоорганизацию нанометрового зазора в углеродистой проводящей среде через бифуркацию при локальном превышении температурой этой среды некоторого критического значения из-за ее саморазогрева. Можно утверждать, что нанозазор является диссипативной структурой, возникающей в силу тепловой неустойчивости в углеродистой среде при прохождении через нее потока электронов и наличии сильного электрического поля, стабильность которой обеспечивается существенной нелинейностью происходящих в нем процессов, включенных в механизм обратной звязи. Показано, что необходимая для выполнения электроформовки начальная проводимость структуры может быть реализована за счет нанометровой ширины изолирующей щели, что продемонстрировано экспериментально с помощью конструкции, названной открытой "сэндвич"-МИМ структурой.
Валиев К.А., Левин В.Л., Мордвинцев В.М. Электроформовка как процесс самоорганизации нанометрового зазора в углеродистой среде // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 11, Стр. 39