В рамках двумерной модели исследуются процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с гетеробарьером. Дается сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Анализируются ограничения в отклике планарного МПМ диода, возникающие при последовательном уменьшении размеров встречно-штыревой системы контактов. Обсуждается возможность увеличения скорости отклика МПМ диода. Показано, что структура с InP/GaInAs гетеробарьером сильно видоизменяет движение фотогенерированных носителей заряда и существенно увеличивает скорость отклика МПМ фотодиода.
Аверин С.В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 6, Стр. 51

С целью выяснения природы особенностей в поведении намагниченности M(T) и M(H) пленок La0.6Sr0.2Mn1.2O3 и La2/3Ca1/3MnO3, полученных методом импульсного лазерного (KrF) осаждения, устанавливается связь между магнитными свойствами, электропроводностью и атомно-кристаллической структурой. С помощью анализа рентгеновских дифракционных картин исследовалась кластеризованная кристаллическая структура манганитов. Показано, что вариации температуры роста, типа подложек и последующего облучения лазером сопровождаются изменениями не только в матричной структуре (с дальним порядком в расположении ионов), но и в кластеризованной структуре (с мезоскопическим порядком). Экспериментально наблюдаемые особенности поведения магнитных, электронных и оптических свойств манганитов объясняются с позиций выявленных закономерностей локальных изменений в атомной и электронной подсистемах кластеризованных структур, обеспечивающих магнитные взаимодействия между кластерами.
Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Дьяченко Т.А., Черенков О.П., Szymczak R., Szymczak H., Lewandowski S.J., Baran M., Gierlowski P. Влияние кластеризованной структуры эпитаксиальных пленок LaCa(Sr)MnO на их магнитные, электронные и оптические свойства // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 4, Стр. 58

В системе магнитных пленок с кубической кристаллографической и одноосной наведенной анизотропией, связанных межслойным обменным взаимодействием антиферромагнитного типа, найдены равновесные ориентационные состояния магнитных моментов, отвечающие различным величинам и направлениям подмагничивающего поля. Установлены интервалы поля, где реализуются неколлинеарные состояния и состояния бистабильности, приводящие к ориентационным фазовым переходам и гистерезису. Обнаружен эффект 90-градусного переключения магнитных моментов слоев за один цикл перемагничивания, а также ориентационный фазовый переход, имеющий характер бифуркации. Построены петли гистерезиса 180-градусного плоскостного перемагничивания.
Семенцов Д.И., Шутый А.М. Равновесные состояния и квазистатическое перемагничивание мультислойной структуры // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 4, Стр. 42

Предложено двумерное исследование эффекта спиновой аккумуляции в пленочных магнитных наномостиках. Наномостики представляют собой два плоских электрода, соединенных перемычкой нанометровых размеров; они привлекают к себе значительный интерес для различных приложений микроэлектроники. Получена зависимость магнитосопротивления, а также распределения неравновесной спиновой концентрации, от геометрических параметров системы.
Звездин К.А., Хвальковский А.В. Магнитосопротивление плоского наномостика // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 3, Стр. 37

Представлены результаты экспериментальных комплексных исследований взаимосвязи свойств исходных монокристаллических пластин и эпитаксиальных структур арсенида галлия со спектрометрическими пороговыми характеристиками детекторов ионизирующих излучений на их основе.
Беспалов В.А., Воронцов А.В., Горбацевич А.А., Егоркин В.И., Жигальский Г.П., Ильичев Э.А., Кулаков А.В., Налбандов Б.Г., Пантуев В.С., Распутный В.Н., Свешников Ю.Н., Шмелев С.С. Электрофизические свойства GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 3, Стр. 28

Методом вакуумного осаждения на полимерной подложке выращены аморфные пленки серебра, меди, золота и железа толщиной 6-350 nm. Исследованы особенности наноструктуры пленок. Получена зависимость удельной проводимости от толщины пленки, а также выявлена связь поведения проводимости с особенностями морфологии поверхности.
Антонец И.В., Котов Л.Н., Некипелов С.В., Голубев Е.А. Особенности наноструктуры и удельной проводимости тонких пленок различных металлов // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 3, Стр. 24

Представлены результаты расчетов эффективных диэлектрических, пьезоэлектрических и упругих констант двухфазных макроскопически пьезоактивных композитов 3--0- и 3--3-типа. Предполагается, что один из компонентов представляет собой поляризованную сегнетокерамику, а второй --- пассивный материал, упругие свойства которого варьируются. Рассмотрен предельных случай, когда упругие податливости пассивного материала стремятся к бесконечности (пористая сегнетокерамика). Обсуждается область применения используемой модели в связи с различными технологиями изготовления пьезокомпозитов. Результаты расчетов сопоставляются с экспериментальными данными.
Алешин В.И., Цихоцкий Е.С., Яценко В.К. О прогнозировании свойств двухфазных композиционных материалов с пьезоактивным компонентом // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 1, Стр. 62

Квантово-химическим методом открытой электронной оболочки с параметризацией INDO рассчитана модель квазимолекулярной расширенной ячейки для примесного комплекса [Si-V]0 в алмазе. Показано, что основное спин-триплетное состояние комплекса подвержено туннельному (не ян-теллеровскому) расщеплению, связанному с нецентральным сдвигом атома Si вдоль тригональной оси полносимметричной атомной конфигурации  D3d. Поэтому комплекс, являясь источником электронного парамагнитного резонанса KUL1S=1, может оказаться и известным оптическим 1.68-eV центром с характерным ~ meV расщеплением бесфононной линии. Внутрицентровое оптическое возбуждение происходит с заполненного орбитального дублета, локализованного на Si, на орбитальный дублет, локализованный на трех из шести соседних к Si атомах углерода, и имеет мультиплетную структуру.
Моливер С.С. Электронная структура нейтрального примесного комплекса кремний--вакансия в алмазе // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 11, Стр. 90

Пористый кремния (por-Si) получен электрохимическим травлением монокристаллического кремния n-типа проводимости в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты в присутствии пероксида водорода в качестве окислителя. Исследована зависимость высокочастотных вольт-фарадных характеристик гетероструктур Al/por-Si/Si от относительной влажности. Предложены модель конденсаторной структуры и методика анализа зависимости ее емкости от парциального давления паров воды как изотермы адсорбции, в рамках которых определены пористость, эффективная доля фазы диоксида кремния в por-Si, степень связности пор, отношение объемов микро- и мезопор и распределение последних по размерам. Пористый кремний с определенными в работе параметрами может быть использован в качестве чувствительного слоя в сенсорах влажности емкостного типа.
Тутов Е.А., Бормонтов Е.Н., Кашкаров В.М., Павленко М.Н., Домашевская Э.П. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 11, Стр. 83

Представлены результаты экспериментального исследования закономерностей синтеза одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) методом лазерной абляции графитовой мишени с катализатором излучением непрерывного CO2 лазера. Особое внимание уделено установлению связи между режимами испарения и условиями, благоприятными для самоорганизующегося синтеза ОУНТ. Показано, что при плотностях мощности лазерного пучка выше 105 W/cm2 реализуется режим развитого испарения графитовой мишени с образованием в периферийных областях струи фракталоподобных структур. Более благоприятные условия для синтеза углеродных нанотрубок создаются при значениях плотности мощности лазерного пучка в диапазоне 2· 104-5· 104 W/cm2. Методами комбинационного рассеяния света и электронной микроскопии показано, что в этом случае происходит синтез ОУНТ с диаметрами от 1.1 до 1.5 nm в виде отдельных нанотрубок и их пучков. Максимальное содержание ОУНТ в этой серии экспериментов составляло 20%. Анализ полученных результатов позволил высказать некоторые соображения о возможном механизме быстрого роста ОУНТ в объеме лазерного факела.
Козлов Г.И., Ассовский И.Г. Синтез одностенных углеродных нанотрубок в расширяющемся парогазовом потоке продуктов лазерной абляции графита с катализатором // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 11, Стр. 76