Приводятся результаты исследований процесса формирования профилированных голограммных дифракционных решеток с использованием эффекта взаимодействия пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников и серебра. С помощью атомно-силового микроскопа определена форма профиля штрихов получаемых таким образом способом профилированных решеток. Проведено измерение спектральных и угловых зависимостей их дифракционной эффективности, проанализирована связь этих зависимостей с формой рельефа поверхности решетки.
Сопинский Н.В., Романенко П.Ф., Индутный И.З. Использование эффекта взаимодействия пленок серебра и триселенида мышьяка для профилирования голограммных дифракционных решеток // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 2, Стр. 71

Представлены экспериментальные результаты лазерно-стимулированной диффузии ("имплантации") атомов магния в кремний. Показано, что облучение неодимовым лазером (lambda=1.06 mum, tau~ 0.4 ms) приводит к увеличению растворимости и коэффициента диффузии магния в кремний. Исследованы вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики, а также спектры термостимулированных токов кристаллов <Si + Mg>.
Арутюнян В.М., Ахоян А.П., Адамян З.Н., Барсегян Р.С. Лазерная имплантация и диффузия магния в кремний // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 2, Стр. 67

Представлена модификация известной модели вольт-амперных характеристик Оверстратена и др. [1] для МОП транзистора в области слабой инверсии, учитывающая планарную неоднородность поверхностного потенциала полупроводника. Предложена простая и удобная методика определения спектральной плотности поверхностных состояний и флуктуационного параметра по выходным (сток-стоковым) и передаточным (сток-затворным) однопороговым вольт-амперным характеристикам. Дополнительное измерение порогового напряжения МОП транзистора дает возможность рассчитать эффективный заряд окисла. Методика позволяет определять указанные поверхностные параметры МОП транзисторов с достаточно хорошей точностью и удобна для тестового контроля интегральных микросхем.
Бормонтов Е.Н., Левин М.Н., Вялых С.А., Борисов С.Н. Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 2, Стр. 61

Проведено численное моделирование фазовых переходов в арсениде галлия при комбинированном лазерном воздействии наносекундного импульса, инициирующего плавление, и дополнительного излучения неодимового лазера, позволяющего управлять скоростью движения границы раздела фаз. Показано, что при встречной геометрии воздействующих потоков лазерного излучения из-за сильной температурной зависимости коэффициент поглощения на длине волны 1.06 mum на межфазной границе возникает волна прогрева, которая затем отрывается от фронта плавления и, распространяясь навстречу излучению неодимового лазера, экранирует расплав. В случае попутной геометрии воздействия могут существовать режимы, при которых временная зависимость глубины распространения расплава имеет немонотонный характер.
Жвавый С.П., Ивлев Г.Д., Садовская О.Л. Моделирование фазовых переходов, инициируемых в арсениде галлия комбинированным воздействием лазерного излучения // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 1, Стр. 62

Методом ферромагнитного резонанса исследуется влияниие шероховатости поверхности подложек GaAs (001) на магнитные свойства пленок Fe толщиной t~ 12... 140 Angstrem, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией при комнатной температуре и скоростях осаждения 9 и 3 Angstrem/min. Для пленок, выращенных на подложках с величиной среднеквадратичного отклонения амплитуды шероховатости sigma~ 10 и 30 Angstrem, обнаружено, что вид спектра существенно определяется соотношением толщины пленки t и величины sigma. При толщинах t=<sigma и t<= 3sigma в спектре наблюдается одиночная линия поглощения, тогда как при sigma=< t=< 3sigma --- две линии поглощения. Отмеченные особенности спектров связываются с островковым характером роста пленки и влиянием шероховатости на процесс сращивания островков.
Высоцкий С.Л., Джумалиев А.С., Казаков Г.Т., Филимонов Ю.А., Цыплин А.Ю. Влияние шероховатости подложек GaAs (001) на магнитные свойства эпитаксиальных пленок Fe // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 50

Приведены результаты исследования p-канальных полевых тензотранзисторов на основе кремния. Рассмотрены тензотранзисторы двух типов: МДП тензотранзистор и полевой тензотранзистор с p-n-переходом в качестве затвора. Тензотранзисторы относятся к тензочувствительным монополярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и внутренним дифференциальным выходом. Определена оптимальная топология приборов, а также рассчитаны их основные характеристики.
Бабичев Г.Г., Козловский С.И., Романов В.А., Шаран Н.Н. Кремниевые двухстоковые полевые тензотранзисторы // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 45

Представлены результаты исследования механизма деградации поверхноcти арсенида галлия в результате воздействия мощного эксимерного лазера с плотностью мощности в диапазоне от пороговой до плотности мощности, приводящей к локальному плавлению поверхности. Выявлено два механизма деградации поверхности, первый из которых связан с формированием тонкого приповерхностного слоя нестехиометрического модифицированного арсенида галлия при плотности мощности лазерного излучения более 1· 107 W/cm2, а второй --- с образованием отдельной фазы галлия. Образование отдельной фазы галлия может происходить как при воздействии одиночного импульса лазерного излучения с плотностью мощности более 2.7· 1011 W/cm2, так и при воздействии нескольких импульсов с меньшей плотностью мощности. Установлено эмпирическое соотношение между плотностью мощности и количеством воздействующих импульсов, приводящих к формированию отдельной фазы галлия. Установлено также, что в результате воздействия лазерного излучения на границе "холодный" арсенид галлия--"горячий" арсенид галлия формируются периодические структуры дефектов в виде блочных структур, ориентированных по направлениям [100].
Градобоев А.В., Федоров А.И. Деградация арсенида галлия при воздействии эксимерного лазера // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 40

Построена эффективная модель, позволяющая рассчитывать параметры роста кремниевых пленок в PECVD-реакторах диодного и триодного типов, а также анализировать причины, приводящие к изменению процесса осаждения кремнийсодержащих радикалов. Выяснены механизмы влияния разбавления силана молекулярным водородом на процесс роста пленки.
Горбачев Ю.Е., Затевахин М.А., Кржижановская В.В., Швейгерт В.А. Особенности роста пленок гидрированного аморфного кремния в PECVD-реакторах // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 8, Стр. 77

Моделирование процесса отжига эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7 в рабочих диапазонах частоты и температуры показало, что преобладающими источниками фликкер-шума в сверхпроводниковых микрополосках являются переходы кислорода вблизи малоугловых границ блоков. Для изготовления сверхпроводящих микрополосков размером ~ 1 mum применялись технологии магнетронного распыления и травления химическим и ионно-лучевым методами.
Карманенко С.Ф., Семенов А.А., Леонов В.Н., Бобыль А.В., Дедоборец А.И., Лунев А.В., Нащекин А.В., Сурис Р.А. Источники фликкер-шума и технология сверхпроводящих микрополосков на основе пленок иттрий-бариевого купрата // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 4, Стр. 63

На основе физико-математической модели исследован процесс обрыва тока в мощных полупроводниковых прерывателях при различных профилях легирования p+-p-n-n+-структуры. Модель учитывает реальный профиль легирования структуры, диффузию и дрейф носителей тока в сильных электрических полях, рекомбинацию на глубоких примесях и оже-рекомбинацию, а также ударную ионизацию в плотной плазме. Расчет электрической схемы накачки прерывателя основан на решении уравнений Кирхгофа. Показано, что в режиме наносекундного обрыва сверхплотных токов при плотности обрываемого тока в единицы и десятки kA/cm2 определяющее влияние на процесс обрыва тока оказывает ширина p-области исходного профиля легирования структуры. Увеличение ширины p-области от 100 до 200 mum приводит к возрастанию скорости движения фронта избыточной плазмы вдоль p-области на стадии обратной накачки в 5--7 раз. Более высокая скорость движения фронта плазмы обусловливает увеличение жесткости процесса отключения тока, что выражается в сокращении времени обрыва тока и увеличении перенапряжения на прерывателе.
Дарзнек С.А., Рукин С.Н., Цыранов С.Н. Влияние профиля легирования структуры на процесс отключения тока в мощных полупроводниковых прерывателях // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 4, Стр. 56