Сформирована и изучена в качестве сенсора влажности емкостного типа кремниевая МДП структура с подзатворным слоем из сульфонатсодержащего ароматического полиамида. Отличительной особенностью сенсора на основе данного материала является его высокая чувствительность в области больших значений относительной влажности при достаточно хорошем быстродействии. Измерение электрической емкости структуры на различных частотах дает принципиальную возможность выяснения характера распределения воды в матрице полимера. Зависимость высокочастотной (1 MHz) емкости структуры от относительной влажности, т. е. градуировочная кривая сенсора, типична для изотерм сорбции паров воды подобными полимерами.
Тутов Е.А., Бормонтов Е.Н., Павленко М.Н., Нетесова Г.А., Тутов Е.Е. МДП структура с полиамидным диэлектриком в условиях сорбции паров воды // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 8, Стр. 85

Описана технология получения фотонных кристаллов с использованием метода наноимпринта. Для изготовления одномерных и двумерных фотонных кристаллов на основе полиметилметакрилата использовалось непосредственное продавливание полимера штампами Si, полученными методами интерференционной литографии и реактивного ионного травления. Период двумерных фотонных кристаллов, представляющих квадратную решетку отверстий, находился в диапазоне 270-700 nm, диаметр отверстия соответствовал половине периода. Отверстия имели круглую форму с ровными краями. Одномерные фотонные кристаллы на основе GaAs изготавливались путем реактивного ионного травления через маску, сформированную при помощи литографии наноимпринта. Полученные в результате травления GaAs на глубину 1 mum одномерные фотонные кристаллы имели период 800 nm, ширину гребешка 200 nm и очень гладкие и почти вертикальные боковые стенки.
Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Нестеров С.И., Максимов М.В., Гуревич С.А., Seekamp J., Sotomayor Torres C.M. Получение фотонных кристаллов в структурах на основе полупроводников и полимеров с использованием метода наноимпринта // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 8, Стр. 80

Представлен теоретический анализ физических процессов в мощном интегральном тиристоре с внешним полевым управлением. Рассмотрены особенности конструкции такого прибора и влияние параметров диффузионных слоев тиристорной структуры на вольт-амперную характеристику во включенном состоянии. Дан расчет и сделаны оценки предельного выключаемого тока, который определяется током удержания тиристорной структуры, зашунтированной внешним МОП транзистором. Приведены расчетные зависимости максимального запираемого тока от величины эффективного сопротивления, включающего в себя сопротивление канала МОП транзистора и сопротивление металлизации затвора. Выполнено численное моделирование процесса спада тока, которое показало, что при включении МОП транзистора ток после некоторой задержки спадает за доли микросекунды примерно на 90%, а затем следует участок более медленного спада.
Грехов И.В., Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н., Тандоев А.Г., Костина Л.С. Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 7, Стр. 80

Описана технология получения микрорезонаторов и фотонных кристаллов в структурах на основе GaAs с использованием электронной литографии и реактивного ионного травления. Было получено 2 типа структур: с микростолбиками и фотонными кристаллами, представляющими собой квадратную и гексагональную решетки отверстий в планарной волноводной структуре. Минимальный диаметр микростолбиков составил 100 nm, высота --- 700 nm. Размер отверстия фотонных кристаллов контролируемым образом варьировался от 140 до 500 nm, период фотонного кристалла от 400 до 1000 nm. Глубина травления фотонных кристаллов составила более 350 nm.
Аракчеева Е.М., Нащекин А.В., Соловьев В.А., Танклевская Е.М., Максимов М.В., Конников С.Г., Гуревич С.А., Леденцов Н.Н. Технология получения полупроводниковых микрорезонаторов и фотонных кристаллов // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 2, Стр. 78

Были проведены исследования процесса формирования интерфейсов между органическими полупроводниковыми материалами PTCDA и NTCDA и поверхностью монокристалла GaAs (100). Применение спектроскопии полного тока позволило проследить особенности формирования интерфейсной электронной структуры. Между обоими органическими материалами и подложкой GaAs образуется связь за счет затягивания на подложку pi-электронного облака ароматического ядра молекул. При этом наблюдаются модификация соответствующих электронных состояний молекул интерфейсного слоя, а также возникновение диполя на интерфейсе.
Комолов С.А., Аляев Ю.Г., Потюпкин Н.В., Бузин И.С. Электронная структура интерфейсов PTCDA/GaAs и NTCDA/GaAs // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 2, Стр. 73

Обнаружено инфракрасное (ИК) тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных излучателей после ИК подсветки излучателей в паузе между импульсами напряжения возбуждения, а также уменьшение интенсивности излучения в области ~ 530-540 nm и увеличения интенсивности излучения в полосе 640-690 nm, что объясняется перезарядкой глубоких центров, образованных вакансиями серы V2+S и V+S, с увеличением концентрации центров V+S и перераспределением каналов ударного возбуждения центров Mn2+ и V+S после ИК подсветки в пользу центров V+S. Оценены значения сечения и скорости ударного возбуждения центров V+S, сечения фотовозбуждения центров V2+S, коэффициента поглощения ИК излучения, внутреннего квантового выхода электролюминесценции, вероятности излучательной релаксации центров Mn2+ и коэффициента умножения электронов в слое люминофора.
Гурин Н.Т., Рябов Д.В. Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 1, Стр. 45

На основе экспериментальных исследований диэлектрических и пироэлектрических свойств типичного сегнетоэлектрика-релаксара 0.9PbMg1/3Nb2/3O3-0.1PbTiO3 (PMN-PT) определены значения пирокоэффициента и факторы качества материала при использовании его для детектирования ИК излучения. Приведены их зависимости от температуры и внешнего электрического поля. Рассчитаны значения токовой, вольтовой чувствительности и детектирующей способности ИК фотоприемников на основе исследованных материалов, проведено их сравнение с аналогичными характеристиками пироприемников и диэлектрических болометров, использующих в качестве активного элемента известные пироэлектрические материалы, а также других неохлаждаемых фотоприемников.
Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Смирнова Е.П., Сотникова Г.Ю., Сотников А.В. Сегнетоэлектрики-релаксоры как материалы для ИК фотоприемников // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 9, Стр. 72

Построена термодинамическая модель образования углеродной нанотрубкой из пересыщенной капли расплава углерода в металлическом катализаторе. При построении модели используются также метод молекулярной механики и частично полуэмпирические методы квантовой химии. Расчет позволяет построить фазовую диаграмму, показывающую тип нанотрубки в зависимости от пересыщения расплава углеродом и радиуса капли.
Алексеев Н.И. Термодинамика образования углеродных нанотрубок разной структуры из пересыщенных капель расплава // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 9, Стр. 63

Предложена новая технология конструирования структур полупроводниковых кристаллов пластическим деформированием в электрическом поле, приведена установка, реализующая предложенный способ, позволяющая изучить идею самоорганизации дислокационных, диссипативных структур.
Алиев М.А., Алиев Б.Г., Алиева Х.О., Велиханов А.Р., Муталибов Ш.Р., Селезнев В.В. Влияние особенностей конструирования дефектных структур кристаллов германия на его пластические свойства // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 8, Стр. 58

Построена аналитическая теория работы дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) в качестве прерывателя тока в генераторах с индуктивным накопителем энергии. Теория учитывает нелинейность зависимостей сопротивления базовых областей и барьерных емкостей диодов от прошедшего через них заряда. Получены простые соотношения для параметров ДДРВ (толщины и легирования базы, заряда неравновесных дырок, извлекаемого из базы за время TB фазы высокой обратной проводимости, площади и количества m последовательно соединенных диодов), контура (индуктивности и емкости накопителя, начального напряжения UC0 на емкости), которые обеспечат формирование импульса напряжения с требуемыми длительностью переднего фронта tB и амплитудой Um на нагрузке. Показано, что предельные значения коэффициентов перенапряжения Um/UC0 и обострения TB/tB, которые могут быть достигнуты при заданном коэффициенте полезного действия k, ограничены фактором, пропорциональным komega(1-k)EB/Es, где omega=0.27 (для Um/UC0), или omega=-0.3 (для TB/tB), EB --- пробивная напряженность поля, Es=vs/mu, vs и mu --- насыщенная дрейфовая скорость и подвижность дырок в слабых полях соответственно. Максимальное значение скорости нарастания напряжения, которое может быть получено с помощью одноэлементного (m=1) ДДРВ, равно 0.3vsEB. Проведен сравнительный анализ характеристик ДДРВ на основе Si и 4H-SiC. Результаты аналитической теории подтверждены путем численного моделирования процесса восстановления.
Кюрегян А.С. Теория дрейфовых диодов с резким восстановлением // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 6, Стр. 57