Приведены результаты экспериментальных исследований монокристаллов арсенида галлия ориентации (100), (311)A, (211)A, (111)A и (221)A, легированных ионами кремния на установке "Иолла-3М" при комнатной температуре (энергия ионов 75 keV, плотность ионного пучка 1 muA/cm2, доза имплантации 1.2·103 cm-2) и отожженных на установке "Импульс-5" при температуре 950oC. Методами комбинационного рассеяния света и низкотемпературной фотолюминесценции установлено, что наибольшая электрическая активность имплантированного кремния при одинаковых условиях имплантации и отжига реализуется для (100) и (311)A ориентации арсенида галлия. При этом создаются слои n-типа проводимости.
Васильковский С.В., Духновский М.П., Конакова Р.В., Тхорик Ю.А. Исследование монокристаллов арсенида галлия различной кристаллографической ориентации, имплантированных ионами кремния и подвергнутых импульсному фотонному отжигу // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 5, Стр. 78

Исследованы теоретические и экспериментальные зависимости постоянных нарастания и спада яркости от длительности фронта и амплитуды импульса электролюминесцентных структур на основе сульфида цинка, легированного марганцем, размещенных на гладких и шероховатых подложках, от длительности фронта и амплитуды линейно нарастающего напряжения возбуждения. С помощью этих зависимостей определен ряд параметров и характеристик процесса электролюминесценции: время жизни возбужденных центров свечения, вероятности возбуждения и релаксации центров свечения в единицу времени, сечение ударного возбуждения центров свечения и их зависимости от длительности фронта и амплитуды линейно нарастающего возбуждающего напряжения. Приведены объяснения различного поведения указанных характеристик для структур на гладких и шероховатых подложках.
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. Кинетика электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 5, Стр. 65

Использован обобщенный метод Прони для обработки экспериментальных данных релаксационного типа. Метод позволяет разделять составной релаксационный процесс на элементарные составляющие (затухающие экспоненты) и систематически отслеживать изменение их параметров при внешнем воздействии, что открывает дополнительные каналы информации о порождающем физическом процессе. Метод применен к обработке данных спада фотопроводимости сложнолегированного компенсированного кремния в интервале температур 100--300 K после импульсного возбуждения лазерным излучением с lambda=1.06 mum в микроволновом поле. Получено значение энергии залегания уровня 0.17±0.01 eV, что хорошо согласуется с энергией комплекса кислород--вакансия.
Быковский Ю.А., Колосов К.В., Зуев В.В., Кирюхин А.Д., Расмагин С.И. Определение рекомбинационных параметров полупроводникового материала с помощью метода Прони // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 4, Стр. 54

Разработан итерационный метод решения обратных задач динамической дифракции рентгеновских лучей на неоднородных по глубине кристаллических слоях. С помощью метода рассчитаны структурные характеристики InGaAsSb/AlGaAsSb/GaSb гетероэпитаксиальной системы.
Подоров С.Г., Пунегов В.И. Решение обратной задачи динамической дифракции на неоднородных кристаллах методом итераций // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 3, Стр. 39

Исследовано изменение электрофизических характеристик Pt/6H--SiC структур при воздействии водорода. Обнаружено, что изменение величины напряжения смещения Pt/6H--SiC структуры при фиксированной емкости связано с концентрацией водорода уравнением Нернста. Отклик сенсора при 150oC составляет 39 mV на декаду изменения концентрации водорода. Получены изменения прямого и обратного токов и дифференциальных сопротивлений диодной структуры в атмосфере содержащей водород. Смещение вольт-фарадной характеристики в сторону отрицательных напряжений и уменьшение дифференциального сопротивления перехода вызваны уменьшением высоты потенциального барьера диода Шоттки в результате диссоциативной адсорбции водорода с образованием двойного заряженного слоя на границе металл--полупроводник. При рабочей температуре структуры около 150oC характеристики структур стабильны. Исследовано влияние температурного (500oC) отжига. Образование при этой температуре силицидов платины приводит к деградации газочувствительных свойств перехода металл-полупроводник.
Филиппов В.И., Иванов П.А., Синянский В.Ф., Терентьев А.А., Якимов С.С. Газочувствительность диодных структур на основе карбида кремния // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 2, Стр. 54

В рамках статистического подхода построена кинематическая теория дифракции рентгеновских лучей на полупроводниковой сверхрешетке с периодом из двух слоев. Данная теория учитывает два типа структурных искажений: нарушения кристаллической решетки, вызванные хаотически распределенными по толщине сверхрешетки микродефектами, а также нарушения периодичности дополнительного потенциала сверхрешетки из-за случайных отклонений толщин слоев ее периода от заданных значений. Используя численное моделирование, показано влияние структурных нарушений на формирование кривой дифракционного отражения. Результаты теории использованы для анализа экспериментальных рентгенодифракционных спектров полупроводниковой сверхрешетки InxGa1-xAs/GaAs.
Нестерец Я.И., Пунегов В.И., Павлов К.М., Фалеев Н.Н. Исследование структурных характеристик полупроводниковой сверхрешетки (InGa)As/GaAs c использованием высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 2, Стр. 44

Исследован эффект стимулированного сверхвысокочастотным электромагнитным излучением изменения электрофизических параметров узкозонных (CdxHg1-xTe с x=0.22-0.24) и широкозонных (арсенид галлия, фосфиды индия и галлия) полупроводниковых материалов и диодных структур с барьером Шоттки на их основе. Показано, что улучшение параметров материалов и приборных структур обусловлено геттерированием дефектов. Рассмотрены возможные механизмы взаимодействия СВЧ излучения с исследованными объектами.
Беляев А.А., Беляев А.Е., Ермолович И.Б., Комиренко С.М., Конакова Р.В., Ляпин В.Г., Миленин В.В., Соловьев Е.А., Шевелев М.В. Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 12, Стр. 49

Приводятся экспериментальные результаты по электроформовке и измерению вольт-амперных характеристик нано-МИМ (металл--изолятор--металл) --- диода с углеродистой активной средой, изготовленного в виде открытой с торца "сандвич"-МИМ структуры с нанометровой изолирующей щелью, которые отражают процессы самоорганизации и самоформирования углеродистых проводящих наноструктур в изолирующей щели. Показано, что свойства такого элемента существенно отличаются от свойств традиционного МИМ диода и эти отличия могут быть объяснены, если учесть, что последовательно с растущей в изолирующей щели углеродистой проводящей средой встроен тонкий слой диэлектрика. Полученные данные говорят о нанометровых размерах образующейся углеродистой структуры по всем трем измерениям. Развитые модельные представления хорошо соответствуют экспериментальным результатам, объясняя, в частности, проявляющуюся пространственно временную самоорганизацию в такой системе.
Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Особенности процесса самоорганизации углеродистых проводящих наноструктур при электроформовке открытой "сандвич"-структуры металл--изолятор--металл с нанометровой изолирующей щелью // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 11, Стр. 85

Предлагается новый тип быстродействующего детектора, работа которого основана на изменении кинетической индуктивности сверхпроводниковых NbN и Yba2Cu3O7-delta пленок за счет неравновесных квазичастиц, созданных электромагнитным излучением. Быстродействие NbN детектора практически не зависит от температуры и составляет менее 1 pis. Модель, основанная на схеме Оуэна--Скалапино, хорошо описывает экспериментальную зависимость вольт-ваттной чувствительности NbN детектора от частоты модуляции излучения. Малая концентрация равновесных квазичастиц и высокий квантовый выход приводят к величине обнаружительной способности D*=1012 W-1·cm·Hz1/2 при температуре T=4.2 K и D*=1016 W-1·cm·Hz1/2 при T=1.6 K. Постоянная времени низкотемпературного индуктивного YBaCuO детектора определяется только временем электрон-фононного взаимодействия в нодальных областях taue-phd.
Гогидзе И.Г., Куминов П.Б., Сергеев А.В., Елантьев А.И., Меньщиков Е.М., Гершензон Е.М. Неравновесные индуктивные быстродействующие детекторы на основе тонких сверхпроводниковых пленок // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 10, Стр. 63

Проведено исследование самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС) в двухслойных тонких пленках Al/Ni, Al/Fe, Al/Co. Установлено, что СВС в тонких пленках реализуется при температурах инициирования на 300-350o ниже, чем на порошках. Механизм СВС в тонких пленках аналогичен процессу взрывной кристаллизации. Показано, что в начальной стадии твердофазные реакции, возникающие на контактной поверхности пленочных конденсатов, могут быть самораспространяющимся высокотемпературным синтезом. СВС может найти применение в различных технологиях получения пленочных элементов для микроэлектроники.
Мягков В.Г., Жигалов В.С., Быкова Л.Е., Мальцев В.К. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез и твердофазные реакции в двухслойных тонких пленках // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 10, Стр. 58