Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току.
Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Подольский В.В., Левичев С.Б. Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 2, Стр. 87

Тонкие, прозрачные в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ), самонесущие пластинки кремния (001) облучали в (110)-торец низкоэнергетическими (E=17 keV) ионами He+ в интервале доз 5· 1016- 4.5· 1017 cm-2 при комнатной температуре. Послерадиационными ПЭМ исследованиями структуры Si вдоль пробега ионов установлено, что в области наибольшего повреждения тонких кристаллов Si формируется слой аморфного кремния (a-Si), по всей ширине которого зарождаются и растут гелиевые поры диаметром 2--5 nm и плотностью до 3· 1017 cm-3. Формирование нанопор в слое a-Si сопровождается их линейным упорядочением в виде цепочек, ориентированных вдоль направления движения ионов. Отсутствие пор в неаморфизованной области образца с максимальной концентрацией внедренного гелия объясняется десорбцией атомов гелия из тонкого кристалла в процессе облучения. В результате отжига при 600oC в сохранившемся слое a-Si наблюдается рост объема пор за счет захвата неподвижными порами атомов гелия из аморфной матрицы. Показано, что преимущественным состоянием имплантированного в аморфный Si гелия после облучения является его состояние в виде твердого раствора. В аморфном кремнии, легированном гелием, обнаружены линейные структурные особенности диаметром около 1 nm и плотностью около 107 cm-1, которые интерпретированы как ионные треки от низкоэнергетических ионов He+.
Реутов В.Ф., Сохацкий А.С. Упорядоченные гелиевые поры в аморфном кремнии, индуцированном облучением низкоэнергетическими ионами гелия // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 1, Стр. 73

Рассмотрен метод определения параметров суммарной ступеньки тока на вольт-амперной характеристике цепочки джозефсоновских переходов. Метод основан на статистическом приближении определенным образом выбранной аппроксимирующей кривой к экспериментальной характеристике. Предложен алгоритм самокалибровки цепочек контактов, предназначенных для работы в составе программируемых эталонов Вольта.
Боровицкий С.И., Геликонова В.Д., Комков А.В., Айнитдинов Х.А., Клушин А.М. Метод оценки погрешностей измерения вольт-амперных характеристик джозефсоновских контактов // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 11, Стр. 64

Исследовано влияние водорода на фотолюминесценцию и планарную фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и с островковым слоем Pd на анодноокисленной поверхности. Установлено, что в отличие от нанесения сплошного слоя Pd нанесение островкового слоя не приводит к возникновению дефектов в приповерхностном слоле GaAs, но при этом слой Pd сохраняет высокую каталитическую активность по отношению к водороду. Обнаружены эффекты пассивации дефектов в квантовых ямах атомарным водородом при термообработке таких структур в атмосфере водорода. Исследованы характеристики планарных фоторезисторов с островковым слоем Pd как сенсоров водорода. Установлено, что они имеют почти на 2 порядка более высокую обнаружительную способность к водороду, чем диодные структуры со сплошным слоем Pd.
Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Звонков Б.Н. Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 10, Стр. 63

Исследованы петли температурного гистерезиса отражательной способности пленок диоксида ванадия при фазовом переходе металл--полупроводник. На основе представлений о наличии разброса температур равновесия фаз и размеров зерен пленки, а также о наличии корреляции между температурами равновесия фаз в зернах и размерами самих зерен предложена последовательная схема процесса формирования главной петли исследованного гистерезиса. В рамках предложенной схемы продемонстрирована возможность получения уширенной, смещенной в сторону низких температур и асимметричной главной петли, ветви которой в отличие от ветвей петли гистерезиса монокристалла VO2 имеют протяженность по температуре и могут приобретать ступенчатую форму в случае наличия нескольких максимумов в распределении зерен по размерам. Справедливость предложенной схемы подтверждена экспериментально. Показано также, что на основании информации о распределении зерен пленки по размерам, получаемой с помощью атомно-силового микроскопа, могут быть определены параметры распределения зерен пленки по температурам равновесия фаз без построения полной сетки частных петель гистерезиса, как это требовалось ранее.
Климов В.А., Тимофеева И.О., Ханин С.Д., Шадрин Е.Б., Ильинский А.В., Сильва-Андраде Ф. Формирование петли температурного гистерезиса при фазовом переходе металл--полупроводник в пленках диоксида ванадия // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 9, Стр. 67

Исследовано влияние толщины слоев на магнитные свойства многослойных пленок {Co/Tb}n, {Co/Tb}n/Co и {Co/Tb}n/Co/Cu/Co. Получены зависимости гистерезисных и магниторезистивных свойств структур {Co(1nm)/Tb(1nm)}n/Co(5nm)/Cu(LCu)/Co(5nm) от толщины слоя {Co/Tb}n и прослойки меди. Показана возможность создания спин-вентильных структур на основе многослойных пленок {Co/Tb}n, обладающих плоскостной анизотропией.
Свалов А.В., Савин П.А., Курляндская Г.В., Гутиеррес И., Васьковский В.О. Спин-вентильные магниторезистивные структуры на основе многослойных пленок Co/Tb // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 8, Стр. 54

Пленки ZnS : Cu изготовлены химическим безвакуумным методом путем совместного пиролиза дитиокарбаматов цинка и меди при температуре подложки в диапазоне 260-300oC. Исследование структуры пленок показало, что они являются поликристаллическими, гексагонального типа, с преобладающей ориентацией в направлении < 0001>. Исследованы вольт-яркостные, вольт-зарядовые характеристики пленок, волны яркости, спектры электролюминесценции и деградационные характеристики светоизлучающих структур. Обсужден механизм возбуждения электролюминесценции и характер деградации. Сделан вывод о перспективности применения MOCVD-метода для изготовления электролюминесцентных пленок ZnS : Cu.
Хомченко В.С., Завьялова Л.В., Рощина Н.Н., Свечников Г.С., Прокопенко И.В., Родионов В.Е., Литвин П.М., Литвин О.С., Цыркунов Ю.А. Структура, свойства и механизм электролюминесценции пленок ZnS : Cu, полученных химическим методом // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 8, Стр. 44

Проведено сравнительное исследование влияния gamma-облучения 60Co в диапазоне доз 103-2·105 Gy на характеристики фотопреобразования и темновые ВАХ солнечных элементов (СЭ) поверхностно-барьерного типа (Au/GaAs) в зависимости от морфологии микрорельефа границы раздела, создаваемого с целью увеличения эффективности фотопреобразования. Показано, что из двух типов морфологии микрорельефа (дендритный и квазирешеточный), полученных методом химического анизотропного травления (100) поверхности n-GaAs, более перспективным для использования в СЭ, особенно космического назначения, является микрорельеф квазирешеточного типа, поскольку он позволяет получить СЭ с большей эффективностью и радиационной стойкостью.
Дмитрук Н.Л., Борковская О.Ю., Конакова Р.В., Мамонтова И.Б., Мамыкин С.В., Войциховский Д.И. Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металл--арсенид галлия с текстурированной границей раздела // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 6, Стр. 44

Обсуждаются результаты экспериментальных исследований структуры и электрических свойств селенида галлия и селенида индия, имеющих слоистую кристаллическую структуру, интеркалированных медью и галлием с помощью лазера.
Будзуляк И.М., Григорчак И.И., Остафийчук Б.К., Яблонь Л.С. Получение, свойства и возможности применения в наноэлектронике лазерных интеркалатов // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 6, Стр. 41

Предложен метод формирования пучков ускоренных ионов с энергетическим спектром, отвечающим условию образования в облучаемых образцах заданного профиля внедренных атомов и радиационных дефектов. Проведен строгий математический расчет профилей пленочных поглотителей энергии, формирующих пучки легких и тяжелых ионов с необходимым энергетическим спектром из моноэнергетических ускоренных пучков.
Гусинский Г.М., Матюков А.В. Формирование заданных профилей концентрации внедренных атомов и радиационных дефектов при использовании монохроматических пучков ускоренных ионов // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 65