Исследованы структуры Si--SiO2, сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO2 на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя.
Аскинази А.Ю., Барабан А.П., Милоглядова Л.В. Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 61

Совместно методами электролюминесценции и методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, исследовались структуры Si--SiO2, полученные термическим окислением кремния КЭФ-5 (100) во влажном кислороде при температуре 950oC (толщина окисного слоя 250 nm), имплантированные ионами аргона с энергией 130 keV и дозами 1013-3.2· 1017 cm-2. Установлена связь природы, свойств и механизмов формирования дефектов, образующихся в окисном слое имплантированных структур. На основании этого предложена модель дефектообразования в результате имплантации ионов Ar в структуры Si--SiO2.
Барабан А.П., Милоглядова Л.В. Дефекты и дефектообразование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремний--двуокись кремния // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 56

Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала.
Бабичев Г.Г., Козловский С.И., Романов В.А., Шаран Н.Н. Кремниевый однопереходный тензотранзистор // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 4, Стр. 66

Экспериментальными методами исследованы и классифицированы системы отрицательных кристаллов карбида кремния. Обсуждаются особенности структуры и морфологии отрицательных кристаллов карбида кремния, образующихся в процессе роста, травления и эрозии.
Карачинов В.А. Отрицательные кристаллы карбида кремния // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 4, Стр. 60

Экспериментально показано, что при электроформовке (образовании углеродистой проводящей среды при прохождении тока через органический материал в условиях сильного электрического поля) в открытых "сандвич"-структурах с изолирующей щелью шириной несколько десятков нанометров существуют факторы, которые способствуют (внешнее балластное сопротивление) или препятствуют (локальное сопротивление растекания и наличие начальной проводимости по изолирующей щели) формированию единичного проводящего элемента между электродами. В терминах эквивалентной электрической схемы построена простая модель, которая позволила сформулировать баланс этих факторов и получить диаграмму ток--напряжение, демонстрирующую наличие области, в пределах которой при выполнении электроформовки можно сформировать единичную проводящую наноструктуру. Получено выражение для минимального возможного значения сопротивления наноструктуры, связанного с ее геометрическими параметрами.
Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е. Условия формирования единичной проводящей наноструктуры при электроформовке // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 4, Стр. 53

Представлены результаты исследования кинетики мгновенной яркости свечения тонкопленочных электролюминесцентных структур, возбуждаемых знакопеременным напряжением треугольной формы частотой 0.1-2 Hz. Обнаружены два участка нарастания во времени мгновенной яркости и тока, "быстрый" и "медленный", которым соответствуют разные области на полевых, зарядовых зависимостях мгновенной яркости и на других электрофизических характеристиках. На основании решения кинетического уравнения получены зависимости мгновенной яркости и внутреннего квантового выхода от времени. Результаты объясняются образованием объемных зарядов в слое люминофора, сопровождающем уменьшением эффективной толщины этого слоя, и изменением механизма возбуждения центров свечения.
Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 2, Стр. 74

Выполнен полноволновый расчет дисперсионных характеристик многощелевых линий передачи сверхвысоких частот на многослойной структуре, включающей в себя сегнетоэлектрическую пленку, и найдено затухание, вызванное конечной проводимостью в металлических электродах.
Мироненко И.Г., Иванов А.А. Многощелевые линии передачи сверхвысоких частот на основе структуры сегнетоэлектрическая пленка--диэлектрическая подложка // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 2, Стр. 68

Приведены результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований зависимостей электрофизических характеристик n-GaAs при радиационном воздействии.
Демарина Н.В., Оболенский С.В. Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 1, Стр. 66

Рассмотрены пути дальнейшего повышения плотности записи в устройствах магнитной памяти. Показано, что перспективным материалом для носителей могут стать наногранулированные магнитопленочные среды. Чтобы свойства этих пленок соответствовали требованиям, предъявленным к носителям для сверхплотной магнитной записи, в них необходимо сформировать определенный структурный порядок. Для реализации этого подхода предложено использовать высокую адсорбционную способность наночастиц 3d-металлов к высокомолекулярным соединениям. Для создания носителей с плотностью записи 1010 bit/cm2 на базе наногранулированных магнитопленочных материалов, в которых наночастицы размером =<5 nm микрокапсулированы в полимерной матрице, необходимо совмещение физического и химического методов получения нанокомпозитов.
Фролов Г.И. Пленочные носители для устройств памяти со сверхплотной магнитной записью // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 12, Стр. 50

Изучается нелинейное взаимодействие волн в периодической структуре, образованной чередующимися слоями полупроводника и диэлектрика и помещенной во внешнее магнитное поле. Для теоретического исследования нелинейных процессов применяется методика "трехволновых взаимодействий". Показано, что характер нелинейных явлений в среде с трансляционной симметрией и в однородной среде различен. Проанализированы условия резонансного взаимодействия первой и второй гармоник. Показано, что возбуждение второй гармоники может происходить как при взаимодействии первых пространственных гармоник, распространяющихся в одном направлении, так и при распространении их в противоположных направлениях, что возможно именно в периодических структурах. Рассмотрены резонансные явления, приводящие к повышению эффективности генерации гармоник.
Булгаков А.А., Шрамкова О.В. Нелинейное возбуждение второй гармоники в полупроводниковой сверхрешетке, помещенной в магнитное поле // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 12, Стр. 43