Серия слоев GaAsN была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием нового типа плазменного источника азoта с активацией постоянным током. Эффективность встраивания азота, кристаллическое совершенство, морфология поверхности и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев исследованы во взаимосвязи с различными режимами работы источника.
Жуков А.Е., Семенова Е.С., Устинов В.М., Weber E.R. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaAsN на GaAs с использованием плазменного источника, возбуждаемого постоянным током // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 10, Стр. 59

Изучалось изменение характеристик емкость--напряжение (C-U) и ток--напряжение (If-U и Ir-U) структур полупроводник--твердый металл (GaAs--Ni) в процессе их непрерывного и ступенчатого нагревания. Изначально свойства исследуемых структур соответствовали теории термоэлектронной эмиссии. Показано, что в процессе непрерывного нагревания выпрямляющие структуры переходят в омические при некоторой температуре TOhm=720 K, существенно более низкой, чем температуры плавления металла или эвтектика металла и полупроводника. Для сравнения изучались свойства структур, отожженных при различных температурах Tann и охлажденных до комнатной температуры (ступенчатое нагревание). Показано, что в этом случае I-U-зависимости были близки к исходным после отжига структур при TannT0 на этих характеристиках наблюдались избыточные токи, и, наконец, при увеличении Tann на 200--300 K по сравнению с T0 характеристики полностью переходили в омические. Предполагается, что эти явления связаны с химическим взаимодействием Ni и GaAs, что приводит к изменению поверхностных свойств полупроводника.
Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 9, Стр. 61

Методом газофазной эпитаксии из металлоoрганических соединений изготовлены светодиоды на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP, работающие в диапазоне длин волн 3.3 mum. Внешний квантовый выход диодов составлял 0.7%. В лазерных диодах получено стимулированное излучение на длине волны 3.04 mum при T=77 K.
Гребенщикова Е.А., Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Яковлев Ю.П. InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 9, Стр. 58

Представлены экспериментальные результаты распределения толщины пленки разлагающихся полупроводниковых соединений, полученных с использованием капиллярных испарителей. В приближении вязкого потока получено выражение, описывающее толщину пленки на поверхности подложки в зависимости от расстояния от края капилляра до площадки осаждения и угла между осью капилляра и направлением осаждения.
Грицюк Б.Н., Ляхов А.А., Мельничук С.В., Стребежев В.Н. Получение тонких пленок полупроводниковых соединений с применением капиллярных испарителей // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 9, Стр. 54

Используя экспериментальные зависимости от времени мгновенной яркости и полного тока, протекающего через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель (ТП ЭЛИ) МДПДМ структуры на основе ZnS : Mn, рассчитаны вольт-фарадные, вольт-зарядовые и вольт-амперные характеристики ТП ЭЛИ и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления S- и N-типов. Предложен механизм образования отрицательного сопротивления, основанный на ионизации и перезарядке глубоких донорных и акцепторных центров, обусловленных вакансиями цинка и серы, с образованием объемных зарядов вблизи катодной и анодной границ слоя люминофора.
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 8, Стр. 48

Основываясь на спектрах ИК пропускания, отражения, нарушенного полного внутреннего отражения и комбинационного рассеяния света, проведена апробация различных моделей диэлектрической функции твердых растворов GaPAs. Показано, что использование моделей, учитывающих различие времен поперечной и продольной колебательной релаксации, а также распределение ТО-фононов по частоте, позволяет с разумной точностью описать экспериментальные спектры.
Гончаренко А.В., Горя О.С., Дмитрук Н.Л., Михайлик А.А., Романюк В.Р. Диэлектрическая функция твердых растворов GaPAs в области колебательного поглощения // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 8, Стр. 39

Исследованы Si--Si структуры, изготовленные по предложенной авторами технологии создания диффузионных слоев в едином технологическом цикле с процессом прямого сращивания кремния из источника, находящегося на границе сращивания. В качестве легирующей примеси использовался алюминий. Диффузия атомов Al в полированную поверхность кремния при высокотемпературной термообработке в окисляющей среде приводила к образованию pn-перехода в n-кремнии. Показано, что присутствие алюминия на интерфейсе способствовало формированию непрерывной границы раздела. Для объяснения предложена модель, согласно которой соединение гидрофильных поверхностей пластин кремния в водном растворе нитрата алюминия Al(NO3)3 приводит к увеличению площади сцепления пластин при комнатной температуре за счет взаимодействия Al--OH групп с молекулами воды, адсорбированными на поверхности пластин.
Грехов И.В., Костина Л.С., Аргунова Т.С., Белякова Е.И., Шмидт Н.М., Костин К.Б., Ким Е.Д., Ким С.Ч. Прямое сращивание кремниевых пластин с одновременным формированием диффузионных слоев // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 6, Стр. 45

Изготовлены диодные структуры с барьером Шоттки Pt--W--Cr--SiC, сохраняющие свои электрофизические параметры до температуры 450oC. Методом электронной оже-спектроскопии показано, что термическая стойкость обусловлена использованием многослойной металлической композиции, обеспечивающей стабильность границы раздела металл--карбид кремния. Проведены радиационные испытания полученных поверхностно-барьерных структур. Экспериментально установлено, что в диапазоне концентраций Nd-Na=1016-5· 1017 cm-3 при комплексном воздействии быстрыми нейтронами и сопутствующим gamma-излучением дозами 4.42· 1015 neutr./cm2 и 8.67· 105 R соответственно необратимые изменения характеристик барьерных структур происходят при концентрациях Nd-Na=< 8· 1016 cm-3. При этом деградация характеристик тем больше, чем меньше уровень легирования материала.
Афанасьев А.В., Ильин В.А., Казарин И.Г., Петров А.А. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 5, Стр. 78

Методом компьютерного моделирования исследуются параметры импульсов тока доменного режима диода Ганна в зависимости от напряжения питания и величины нагрузки. Результаты сравниваются с аналитической теорией. Уточняются границы применимости аналитических выражений. В рамках принятой модели минимальная длительность импульса и время формирования домена получены при нулевой нагрузке и напряжении питания в 1.25 раз больше порогового значения.
Домрачев С.И., Кузнецов А.А. Динамика домена в диоде Ганна в цепи с резистивной нагрузкой // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 4, Стр. 58

Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста.
Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Сарайкин В.В., Слепнев Ю.В., Шагимуратов Г.И., Имамов Р.М., Пашаев Э.М. Исследование структурного совершенства, распределения и перераспределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 4, Стр. 47