Предложен новый комбинационный механизм рекомбинации --- ударнотепловой (УТ). Вычислено соответствующее сечение захвата. Установлены области электрических полей, для которых указанный механизм входит в силу и становится доминирующим над лэксовским каскадным механизмом. Вычисления проводились для n-типа образцов с разными концентрациями нейтральных атомов примеси N0 и степенями компенсации K.

Исследованы анизотропия, спектральная временная зависимость релаксации размеров отпечатков микротвердости в Si. Показано, что временная и спектральная зависимости корреллируют с концентрацией возбужденных носителей в той области (дефектная и упругодеформированная), в которой они возбуждаются, а анизотропия определяется различным видом деформации химических связей при разном положении индентора.

На основе теории магнитного резонанса в формализме функций памяти, разработанной одним из авторов, количественно исследуется форма линии поглощения в классических условиях магнитного резонанса в твердых телах. Установлено, что теоретические кривые хорошо описывают платообразность экспериментальной линии, но имеют несколько более пологие крылья. Кроме того, они нетривиальны (негауссовы и нелоренцевы), как это следует из немарковской теории формы линии, и ведут себя "по-провоторовски" с увеличением амплитуды переменного поля (форма гауссового типа трансформируется в лоренцев тип).

С целью уточнения механизма микроиндентирования, на основе анализа экспериментальных данных по влиянию спектрального состава и интенсивности света на микротвердость монокристаллического Si и проведенных теоретических расчетов установлено существование около поверхности Si тонкого слоя высокой твердости, который оказывает разное влияние на величину микротвердости в зависимости от глубины внедрения индентора в вещество.

Предложена модель дивакансии, объясняющая ряд экспериментальных фактов для Ga, облученного при температуре T=77 K потоком ускоренных электронов. В рамках модели объяснены отсутствие фотопроводимости, связанной с фотовозбуждением соответствующих дивакансиям полос инфракрасного поглощения 0.44 и 0.52 eV; различие оптически и электрически определенных значений энергий активации уровней дивакансии; существование предельного положения уровня Ферми в запрещенной зоне при облучении большими потоками радиации.

Развита теория продольного (по отношению к внешнему магнитному полю) отклика совокупной спиновой системы локализованных парамагнитных центров s и свободных носителей заряда e твердого проводника на модулированное насыщение электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). В отличие от ранее опубликованных работ рассмотрение выполнено в общем случае произвольных частот модуляции и расстроек насыщающего СВЧ-поля относительно центральной частоты ЭПР. Использован теоретический подход, основанный на выделении нормальных мод при анализе связанных колебаний спиновых намагниченностей s- и e-подсистем. Показано, что в условиях релаксационной связи между подсистемами продольный отклик, регистрируемый на частоте модуляции, может быть представлен в виде суммы откликов от нормальных мод, каждый из которых описывается универсальной формой резонансной линии, в общем случае отличающейся от лоренцевской формы, характерной для сигналов ЭПР. В предельных случаях слабой и сильной связи получены простые аналитические формулы. Приведенные результаты создают теоретическую основу для применения метода модулированного продольного отклика при измерении весьма коротких времен продольной спиновой релаксации в проводниках с парамагнитными примесями. Этот вывод подкреплен экспериментальными данными на активированных углях, содержащих стабильные свободные радикалы. Работа выполнена при финансовой поддержке Тбилисского государственного университета, Швейцарского национального научного фонда (грант 7GEPJO62429), а также гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-16219.

Обоснован квазиклассический метод оценки структурных и энергетических параметров кристалла. В начальном приближении распределения плотности заряда и потенциала представляются ступенчатыми функциями, что позволяет энергию основного состояния кристалла и матричные элементы определяющего его электронное строение секулярного уравнения выразить конечными суммами. Погрешность такого подхода, позволяющего избежать появления неконтролируемых ошибок, которые возникают при обрыве бесконечных рядов, не превышает нескольких процентов. Посредством квазиклассических расчетов получены значения постоянной решетки и ширины запрещенной зоны двумерного нитрида бора: a=2.64 Angstrem и Eg=6.22 eV соответственно.

Показано, что форма зависимости статической энергии связывания кристалла от его структуры, получаемая в начальном квазиклассическом приближении, допускает аналитическое нахождение равновесной величины параметра решетки. Опробование метода на модификациях нитрида бора приводит к значениям, которые в пределах нескольких процентов совпадают с экспериментальными. Этим путем параметры решеток гексагонального слоя BN, кубического c-BN и \glqq идеального\grqq вюрцитоподобного w-BN кристаллов найдены равными 2.66, 3.49 и 2.44 Angstrem. Соответствующие энергии связывания оценены как 23.2, 14.1 и 13.6 eV/mole. PACS: 71.10.-w, 71.15.-m

Вычислен коэффициент захвата горячих электронов на отталкивающие центры в условиях поперечного убегания. Учитывается зависимость вероятности захвата как от зоммерфельдовского множителя, так и ее экспоненциальная зависимость от энергии протуннелировавшего электрона. Показано, что последняя зависимость играет важную роль вблизи порога поперечного убегания горячих электронов, тогда как далеко от порога вероятность захвата по модели Бонч-Бруевича можно считать хорошей аппроксимацией.

Явно вычислен коэффициент захвата горячих электронов, отталкиваемых кулоновским центром, в условиях, когда функция распределения электронов имеет "иглообразный" вид, а эффективное сечение захвата наряду с зоммерфельдовским множителем экспотенциально зависит от энергии протуннелировавшего сквозь барьер электрона. Получены критерии справедливости эффективного сечения Бонч-Бруевича.