Исследовалось влияние концентрации основных носителей тока (n) и плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) вобразцах n-Si. Показано, что зависимость eta(varphi) имеет максимум, который сувеличениемn смещается всторону больших значенийvarphi. Наблюдаемый эффект объясняется существованием оптимального соотношения между концентрациями первичных радиационных дефектов, образующихся вединицу времени, изаряжающих их свободных носителей тока.

Исследовались образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, сконцентрацией фосфора ~6·1013 см-3, облученные электронами сэнергией 2 МэВ ипротонами сэнергией 25 МэВ. Показано, что кинетика изохронного отжига A-центров идивакансией (температура отжига иперестройка радиационных дефектов, когда диссоциация одних приводит кобразованию более стабильных центров) сложным образом зависит от энергии, дозы итемпературы облучения, т. е. от соотношения концентраций различных радиационных дефектов изарядового состояния вступающих вреакции первичных радиационных дефектов при взаимодействии друг сдругом, спримесными атомами иразупорядоченными областями. Увеличение концентрации дивакансий вобласти 180-210oC объясняется диссоциацией разупорядоченных областей.

Приведены результаты исследований влияния мелкой донорной примеси на температурную зависимость микротвердости ифотомеханического эффекта вмонокристаллическом кремнии. Показано, что сувеличением концентрации примеси изменяется температурная зависимость темновой микротвердости, уменьшается величина фотомеханического эффекта итемпературный интервал его существования. Полученные данные объясняются на основе механизма уменьшения микротвердости сростом температуры за счет увеличения концентрации фононов иантисвязывающих квазичастиц, при этом за наблюдаемые изменения фотомеханического эффекта ответственным является перераспределение концентрации антисвязывающих квазичастиц, созданных межзонными переходами ипереходами спримесных уровней, которые обладают разной величиной расслабляющего действия.

Образцы p-Si, легированные бором, облучались электронами сэнергией 8 МэВ. Энергии активации отжига K-центров и комплексов (V+B), определенные по кривым изохронного отжига этих дефектов, равняются ~ 0.915 и 1.6 эВ соответственно. Вдоль локально облученных кристаллов измерялось распределение объемной фотоэдс. По проведенным оценкам энергия миграции положительно заряженных вакансий EV++M~ 0.6 эВ, а нейтральных--- EV0M~ 0.345 эВ.

Исследовались образцы p-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. На основе анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей токаtau, удельного сопротивленияrho, концентрацииp и холловской подвижности muH от температуры изохронного отжига Tann высказано предположение, что многокомпонентные комплексы V3+O или V2+O2 не являются рекомбинационными центрами. Глубокие доноры с энергетическими уровнями Delta Ei=Ev+0.40 эВ, комплексы типа V3+O3 или V3+O2 влияют на величиныmuH иtau. По кривым изохронного отжига определены энергии активации отжига Eann для таких дефектов, как K-центры, межузельный углерод Ci, комплексы V+B, V2+O2, дивакансииV2, а также для дефектов с уровнями Delta Ei=Ev+0.20 эВ, которые равняются Eann=0.9, 0.25, 1.6, 2, 1.54 и2.33 эВ соответственно.

Предложен механизм стимулирования низкотемпературного плазменного анодирования с использованием катализатора или ультафиолетового облучения при получении оксидных пленок металлов и полупроводников. Стимулирующее действие этих воздействий на процесс плазменного анодирования объясняется появлением дополнительной концентрации антисвязывающих квазичастиц (электронов идырок), ослабляющих химические связи анодируемого вещества. Приводятся условия проведения стимулированных процессов.

Цель работы заключается в изучении влияния зарядового состояния неравновесных вакансий на процессы, происходящие во время облучения и термообработки в кристаллах кремния. Образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов N=6·1013 см-3 облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K. Облученные кристаллы исследовались методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что природа и энергетический спектр радиационных дефектов в кристаллах n-Si в основном определяются зарядовым состоянием неравновесных вакансий.

Рассчитана нелинейная динамика компенсированного полупроводника при примесном электрическом пробое в классически сильном магнитном поле в режиме закороченных контактов Холла и воздействии резонансного облучения, частота которого соответствует энергии ионизации водородоподобных донорных примесей. Врезультате получены как регулярные, так и хаотические автоколебания; причем для соответствующих значений бифуркационных параметров реализуются все три сценария возникновения хаоса. Полученные результаты могут стать теоретической основой функционирования легкоуправляемого высокочастотного генератора, режимы работы которого (включение, переход от регулярного режима в хаотический и наоборот) можно менять посредством изменения интенсивности подсветки.

Построена теория нелинейных поверхностных акустических волн в полупроводниках при наличии парамагнитных примесей. Рассматривается процесс образования нелинейных волн в многослойных системах в условиях, когда два различных (резонансный и нерезонансный) механизма формирования нелинейных волн являются одновременно эффективными. Получены явные аналитические выражения для поверхностных акустических бризеров. Показано, что взаимодействие волны с электронами проводимости приводит к слабому затуханию амплитуды и изменению параметров бризера. PACS: 43.20.El, 77.65.Dq

Сцелью изучения влияния температуры облученияTirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией2 МэВ винтервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились методом Холла в интервале77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (Tann>=350oC) достигает максимума при Tirr=150oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектовPV2 на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий. PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc